公开(公告)号：JP2010261990A

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：JP2009110334

申请日：2009-04-30

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： TAIRA YOICHI ,  NAKAGAWA SHIGERU ,  NUMATA HIDETOSHI ,  SUEOKA KUNIAKI

IPC: G02B6/13 ,  G02B6/122 ,  G02B6/42

CPC classification number: G02B6/4214 ,  B29D11/0075 ,  G02B5/04 ,  G02B6/421 ,  G02B6/43

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical coupling structure for interfacing between an optical device arranged on a substrate with an optical waveguide formed on the substrate. SOLUTION: A method for manufacturing an optical coupling element includes steps for: preparing a wafer 130 formed on an inorganic solid material on a dicing tape 140; cutting the back surface of the wafer 130 to form substantially angled portions using a dicing blade 142 having a point angle; and stripping the dicing tape 140 from the wafer 130 and separating the wafer at the valleys between the substantially angled portions to obtain a three-dimensional polyhedral light-reflecting member 114, which includes a mirror surface corresponding to a surface M of the wafer 130, as an optical coupling element. The obtained optical coupling element 114 is inserted into a trench, which opens in the substrate main surface of an optical transmission substrate 100 while crossing the optical waveguide 106a of the optical transmission substrate 100 substantially perpendicularly, to provide an optical coupling structure with the outside. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于在布置在基板上的光学装置与形成在基板上的光波导之间进行接口的光耦合结构。 解决方案：一种用于制造光耦合元件的方法包括以下步骤：制备形成在切割带140上的无机固体材料上的晶片130; 使用具有点角度的切割刀片142切割晶片130的后表面以形成大致成角度的部分; 并从晶片130剥离切割胶带140，并在基本成角度的部分之间的谷处分离晶片，以获得三维多面体光反射部件114，其包括对应于晶片130的表面M的镜面， 作为光耦合元件。 所获得的光耦合元件114被插入到在光传输基板100的基板主表面上大致垂直地穿过光传输基板100的光波导106a的沟槽中，以提供与外部的光耦合结构。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JPS63292405A

公开(公告)日：1988-11-29

申请号：JP11726787

申请日：1987-05-15

Applicant: IBM

Inventor： SUEOKA KUNIAKI

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/127

公开(公告)号：DE112018003756T5

公开(公告)日：2020-04-16

申请号：DE112018003756

申请日：2018-09-28

Applicant: IBM

Inventor： MUNETOH SEIJI ,  SUBRAMANIAN CHITRA ,  HORIBE AKIHIRO ,  SUEOKA KUNIAKI ,  KOHDA YASUTERU

IPC: H01L21/66

Abstract: Ein Chip-Zwischenkörper weist einen Halbleiterbereich auf, der mehrere Chip-Bereiche enthält. Die Chip-Bereiche sind jeweils als Halbleiterchips herausgeschnitten. Ein Schneidebereich ist entlang von Rändern der Chip-Bereiche bereitgestellt, wobei der Schneidebereich geschnitten wird, um die Halbleiterchips herauszuschneiden. Ein Kontaktbereich ist über den Schneidebereich hinweg den Chip-Bereichen gegenüberliegend bereitgestellt, wobei der Kontaktbereich konfiguriert ist, von einer Prüfspitze einer Prüfeinheit kontaktiert zu werden, um die Chip-Bereiche zu prüfen, und wobei eine elektrische Verdrahtung durchgehend mit dem Schneidebereich bereitgestellt ist, um die Chip-Bereiche und den Kontaktbereich zu verbinden.

公开(公告)号：DE112018003107T5

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：DE112018003107

申请日：2018-07-26

Applicant: IBM

Inventor： HORIBE AKIHIRO ,  WATANABE TAKAHITO ,  SUEOKA KUNIAKI

IPC: H01M10/0583

Abstract: Eine Technik wird offenbart, die sich auf eine Batteriestruktur bezieht. Ein Basissubstrat und eine Batterieschicht mit einem Trägersubstrat werden hergestellt. Die Batterieschicht enthält eine Schutzschicht, die auf dem Trägersubstrat ausgebildet ist, ein Dünnschicht-Batterieelement, das auf der Schutzschicht ausgebildet ist, und einen Isolator, der das Dünnschicht-Batterieelement bedeckt. Die Batterieschicht wird auf dem Basissubstrat platziert, wobei die Unterseite des Trägersubstrats aufwärts gewandt ist. Das Trägersubstrat wird anschließend zumindest zum Teil durch Ätzen von der Batterieschicht entfernt, während das Dünnschicht-Batterieelement durch die Schutzschicht geschützt wird. Darüber hinaus wird eine gestapelte Batteriestruktur offenbart, die das Basissubstrat und die zwei oder mehr Batterieschichten enthält.

公开(公告)号：DE60141225D1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：DE60141225

申请日：2001-12-18

Applicant: IBM

Inventor： SUZUKI HIROSHI ,  SUEOKA KUNIAKI

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49

Abstract: The present invention provides a thin film transistor structure in which at least a trench is formed in an insulating polymer film formed on a substrate. In the thin film transistor structure, a trench formed in the insulating polymer film accommodates a gate wiring constituted of a plurality of conductive layers. Provided also are a method of manufacturing the thin film transistor structure, and a display device including a thin film transistor array composed of the thin film transistors constituted as described above.

公开(公告)号：AT456863T

公开(公告)日：2010-02-15

申请号：AT01273779

申请日：2001-12-18

Applicant: IBM

Inventor： SUZUKI HIROSHI ,  SUEOKA KUNIAKI

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49

Abstract: The present invention provides a thin film transistor structure in which at least a trench is formed in an insulating polymer film formed on a substrate. In the thin film transistor structure, a trench formed in the insulating polymer film accommodates a gate wiring constituted of a plurality of conductive layers. Provided also are a method of manufacturing the thin film transistor structure, and a display device including a thin film transistor array composed of the thin film transistors constituted as described above.

公开(公告)号：DE3876849T2

公开(公告)日：1993-07-01

申请号：DE3876849

申请日：1988-04-19

Applicant: IBM

Inventor： SUEOKA KUNIAKI

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/127

公开(公告)号：DE3876849D1

公开(公告)日：1993-02-04

申请号：DE3876849

申请日：1988-04-19

Applicant: IBM

Inventor： SUEOKA KUNIAKI

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/127