公开(公告)号：DE112011102135T5

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：DE112011102135

申请日：2011-06-08

Applicant: IBM

Inventor： DOAN THAI ,  DUNBAR GEORGE A ,  HE ZHONG-XIANG ,  HERRIN RUSSELL T ,  JAHNES CHRISTOPHER V ,  MALING JEFFREY C ,  DANG DINH ,  MURPHY WILLIAM J ,  TWOMBLY JOHN G ,  STAMPER ANTHONY K ,  WHITE ERIC J

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H59/00

Abstract: Es werden Strukturen mikroelektromechanischer Systeme (MEMS) mit planarem Hohlraum, Herstellungsverfahren und Design-Strukturen bereitgestellt. Das Verfahren weist das Bilden mindestens eines Hohlraums (60a, 60b) eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS), welcher eine planare Fläche aufweist, unter Anwendung eines reversen Damaszener-Verfahrens auf.

公开(公告)号：DE112011102134T5

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：DE112011102134

申请日：2011-06-08

Applicant: IBM

Inventor： HERRIN RUSSELL T ,  JAHNES CHRISTOPHER V ,  STAMPER ANTHONY K ,  WHITE ERIC J

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01H59/00

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden mindestens eines Hohlraums (60b) eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS) weist das Bilden einer ersten Hohlraum-Opferschicht (18) über einer Verdrahtungsschicht (14) und einem Substrat (10) auf. Das Verfahren weist ferner das Bilden einer Isolatorschicht (40) über der ersten Hohlraum-Opferschicht auf. Das Verfahren weist ferner das Durchführen eines reversen Damaszener-Rückätzverfahrens auf der Isolatorschicht auf. Das Verfahren weist ferner das Planarisieren der Isolatorschicht und der ersten Hohlraum-Opferschicht auf. Das Verfahren weist ferner das Austreiben oder Ablösen der ersten Hohlraum-Opferschicht zu einer planaren Fläche für einen ersten Hohlraum (60b) des MEMS auf.

公开(公告)号：GB2494600B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：GB201300265

申请日：2011-06-08

Applicant: IBM

Inventor： DANG DINH ,  DOAN THAI ,  DUNBAR GEORGE A ,  HE ZHONG-XIANG ,  HERRIN RUSSELL T ,  JAHNES CHRISTOPHER V ,  MALING JEFFREY C ,  MURPHY WILLIAM J ,  STAMPER ANTHONY K ,  TWOMBLY JOHN G ,  WHITE ERIC J

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H57/00

Abstract: A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes patterning a wiring layer to form at least one fixed plate and forming a sacrificial material on the wiring layer. The method further includes forming an insulator layer of one or more films over the at least one fixed plate and exposed portions of an underlying substrate to prevent formation of a reaction product between the wiring layer and a sacrificial material. The method further includes forming at least one MEMS beam that is moveable over the at least one fixed plate. The method further includes venting or stripping of the sacrificial material to form at least a first cavity.

公开(公告)号：GB2498154B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：GB201307079

申请日：2011-09-13

Applicant: IBM

Inventor： DEMUYNCK DAVID ,  HE ZHONG-XIANG ,  MIGA DANIEL ,  MOON MATTHEW D ,  VANSLETTE DANIEL ,  WHITE ERIC J

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

公开(公告)号：GB2494359A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：GB201300085

申请日：2011-06-08

Applicant: IBM

Inventor： HERRIN RUSSELL T ,  JAHNES CHRISTOPHER V ,  STAMPER ANTHONY K ,  WHITE ERIC J

IPC: B81C1/00 ,  H01H57/00

Abstract: A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) cavity (60b) includes forming a first sacrificial cavity layer (18) over a wiring layer (14) and substrate (10). The method further includes forming an insulator layer (40) over the first sacrificial cavity layer. The method further includes performing a reverse damascene etchback process on the insulator layer. The method further includes planarizing the insulator layer and the first sacrificial cavity layer. The method further includes venting or stripping of the first sacrificial cavity layer to a planar surface for a first cavity (60b) of the MEMS.