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1.发明申请PLANAR CAVITY MEMS AND RELATED STRUCTURES, METHODS OF MANUFACTURE AND DESIGN STRUCTURES 审中-公开平面CAVITY MEMS及相关结构，制造和设计结构的方法
公开(公告)号：WO2011162953A3
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/US2011039571
申请日：2011-06-08
Applicant: IBM , DUNBAR GEORGE A , HE ZHONG-XIANG , MALING JEFFREY C , MURPHY WILLIAM J , STAMPER ANTHONY K
Inventor： DUNBAR GEORGE A , HE ZHONG-XIANG , MALING JEFFREY C , MURPHY WILLIAM J , STAMPER ANTHONY K
CPC classification number: B81C1/00365 , B81B3/0021 , B81B3/0072 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes forming a lower wiring layer on a substrate. The method further includes forming a plurality of discrete wires (14) from the lower wiring layer. The method further includes forming an electrode beam (38) over the plurality of discrete wires. The at least one of the forming of the electrode beam and the plurality of discrete wires are formed with a layout which minimizes hillocks and triple points in subsequent silicon deposition (50).
Abstract translation: 形成至少一个微机电系统（MEMS）的方法包括在基板上形成下布线层。 该方法还包括从下布线层形成多个分立布线（14）。 该方法还包括在多个离散导线上形成电极束（38）。 形成电极束和多个离散导线中的至少一个形成有最小化后续硅沉积（50）中的小丘和三个点的布局。
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2.发明申请PLANAR CAVITY MEMS AND RELATED STRUCTURES, METHODS OF MANUFACTURE AND DESIGN STRUCTURES 审中-公开平面CAVITY MEMS及相关结构，制造和设计结构的方法
公开(公告)号：WO2011162949A2
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：PCT/US2011039560
申请日：2011-06-08
Applicant: IBM , DANG DINH , DOAN THAI , DUNBAR GEORGE A , HE ZHONG-XIANG , HERRIN RUSSELL T , JAHNES CHRISTOPHER V , MALING JEFFREY C , MURPHY WILLIAM J , STAMPER ANTHONY K , TWOMBLY JOHN G , WHITE ERIC J
Inventor： DANG DINH , DOAN THAI , DUNBAR GEORGE A , HE ZHONG-XIANG , HERRIN RUSSELL T , JAHNES CHRISTOPHER V , MALING JEFFREY C , MURPHY WILLIAM J , STAMPER ANTHONY K , TWOMBLY JOHN G , WHITE ERIC J
CPC classification number: B81C1/00365 , B81B3/0021 , B81B3/0072 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: Planar cavity Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) structures, methods of manufacture and design structure are provided. The method includes forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) cavity (60a, 60b) having a planar surface using a reverse damascene process.
Abstract translation: 提供了平面腔微机电系统（MEMS）结构，制造方法和设计结构。 该方法包括使用反向镶嵌工艺形成具有平面表面的至少一个微机电系统（MEMS）腔（60a，60b）。
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公开(公告)号：GB2494600B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：GB201300265
申请日：2011-06-08
Applicant: IBM
Inventor： DANG DINH , DOAN THAI , DUNBAR GEORGE A , HE ZHONG-XIANG , HERRIN RUSSELL T , JAHNES CHRISTOPHER V , MALING JEFFREY C , MURPHY WILLIAM J , STAMPER ANTHONY K , TWOMBLY JOHN G , WHITE ERIC J
Abstract: A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes patterning a wiring layer to form at least one fixed plate and forming a sacrificial material on the wiring layer. The method further includes forming an insulator layer of one or more films over the at least one fixed plate and exposed portions of an underlying substrate to prevent formation of a reaction product between the wiring layer and a sacrificial material. The method further includes forming at least one MEMS beam that is moveable over the at least one fixed plate. The method further includes venting or stripping of the sacrificial material to form at least a first cavity.
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公开(公告)号：GB2494360B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：GB201300091
申请日：2011-06-08
Applicant: IBM
Inventor： DUNBAR GEORGE A , HE ZHONG-XIANG , MURPHY WILLIAM J , STAMPER ANTHONY K , MALING JEFFREY C
IPC: B81C1/00
Abstract: A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes patterning a wiring layer to form at least one fixed plate and forming a sacrificial material on the wiring layer. The method further includes forming an insulator layer of one or more films over the at least one fixed plate and exposed portions of an underlying substrate to prevent formation of a reaction product between the wiring layer and a sacrificial material. The method further includes forming at least one MEMS beam that is moveable over the at least one fixed plate. The method further includes venting or stripping of the sacrificial material to form at least a first cavity.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE112011102135T5
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：DE112011102135
申请日：2011-06-08
Applicant: IBM
Inventor： DOAN THAI , DUNBAR GEORGE A , HE ZHONG-XIANG , HERRIN RUSSELL T , JAHNES CHRISTOPHER V , MALING JEFFREY C , DANG DINH , MURPHY WILLIAM J , TWOMBLY JOHN G , STAMPER ANTHONY K , WHITE ERIC J
Abstract: Es werden Strukturen mikroelektromechanischer Systeme (MEMS) mit planarem Hohlraum, Herstellungsverfahren und Design-Strukturen bereitgestellt. Das Verfahren weist das Bilden mindestens eines Hohlraums (60a, 60b) eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS), welcher eine planare Fläche aufweist, unter Anwendung eines reversen Damaszener-Verfahrens auf.
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公开(公告)号：DE112011102130B4
公开(公告)日：2019-03-14
申请号：DE112011102130
申请日：2011-06-08
Applicant: IBM
Inventor： DUNBAR GEORGE A , HE ZHONG-XIANG , MALING JEFFREY C , MURPHY WILLIAM J , STAMPER ANTHONY K
Abstract: Verfahren zum Bilden mindestens eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS), aufweisend:Bilden einer unteren Verdrahtungsschicht auf einem Substrat (10);Bilden mehrerer diskreter parallel zueinander verlaufender Leiter (14) aus der unteren Verdrahtungsschicht, wobei die parallel zueinander verlaufenden Leiter (14) an einem jeweiligen ersten Ende durch einen ersten Verbindungsleiter, der senkrecht zu den parallel zueinander verlaufende Leitern (14) verläuft, verbunden sind, und wobei Längen der parallel zueinander verlaufende Leiter (14) von einem außenliegenden der Leiter (14) der so geschlitzten Leiterstruktur zu einem anderen außenliegenden Leiter (14) der geschlitzten Leiterstruktur suksessive zunehmen,Bilden eines zweiten Verbindungsleiters, der die parallel zueinander verlaufenden Leiter (14) an einem jeweiligen zweiten Ende der parallel zueinander verlaufende Leiter (14) miteinander verbindet, und wobei der erste Verbindungsleiter und der zweite Verbindungsleiter jeweils eine Breite aufweist, die geringer ist als eine Breite eines der parallel zueinander verlaufenden Leiter (14), wobei eine untere Kondensatorplatte des MEMS durch die parallel zueinander verlaufenden Leiter (14) sowie den ersten und den zweiten Verbindungsleiter gebildet wird, undBilden eines MEMS-Elektrodenarms über den mehreren parallel zueinander verlaufender Leitern (14), wobei der MEMS-Elektrodenarm eine obere Kondensatorplatte des MEMS aufweist.
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公开(公告)号：DE112011102130T5
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：DE112011102130
申请日：2011-06-08
Applicant: IBM
Inventor： DUNBAR GEORGE A , HE ZHONG-XIANG , MALING JEFFREY C , MURPHY WILLIAM J , STAMPER ANTHONY K
Abstract: Ein Verfahren zum Bilden mindestens eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS) weist das Bilden einer unteren Verdrahtungsschicht auf einem Substrat auf. Das Verfahren weist ferner das Bilden mehrerer diskreter Drähte (14) aus der unteren Verdrahtungsschicht auf. Das Verfahren weist ferner das Bilden eines Elektrodenarms (38) über den mehreren diskreten Drähten auf. Mindestens eines aus dem Bilden des Elektrodenarms und der mehreren diskreten Drähte erfolgt mit einem Layout, welches Hügel und Triplepunkte bei der folgenden Siliciumabscheidung (50) minimiert.
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公开(公告)号：GB2494600A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：GB201300265
申请日：2011-06-08
Applicant: IBM
Inventor： DANG DINH , DOAN THAI , DUNBAR GEORGE A , HE ZHONG-XIANG , HERRIN RUSSELL T , JAHNES CHRISTOPHER V , MALING JEFFREY C , MURPHY WILLIAM J , STAMPER ANTHONY K , TWOMBLY JOHN G , WHITE ERIC J
Abstract: Planar cavity Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) structures, methods of manufacture and design structure are provided. The method includes forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) cavity (60a, 60b) having a planar surface using a reverse damascene process.
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公开(公告)号：GB2494360A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：GB201300091
申请日：2011-06-08
Applicant: IBM
Inventor： DUNBAR GEORGE A , HE ZHONG-XIANG , MURPHY WILLIAM J , STAMPER ANTHONY K , MALING JEFFREY
IPC: B81C1/00
Abstract: A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes forming a lower wiring layer on a substrate. The method further includes forming a plurality of discrete wires (14) from the lower wiring layer. The method further includes forming an electrode beam (38) over the plurality of discrete wires. The at least one of the forming of the electrode beam and the plurality of discrete wires are formed with a layout which minimizes hillocks and triple points in subsequent silicon deposition (50).
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