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公开(公告)号：DE102016102744B4
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：DE102016102744
申请日：2016-02-17
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： DOMES DANIEL , BREKEL WALERI , BAYERER REINHOLD
Abstract: Leistungshalbleiteranordnung (1) mit einer Mehrzahl von parallel zu verschaltenden, in einer Ebene angeordneten, gleichartigen Leistungshalbleiter-Schaltelementen (2a, 2b, 2c), wobei jedes Leistungshalbleiter-Schaltelement (2a, 2b, 2c) einen Laststromanschluss (3a) für eine Laststromzufuhr (S) und einen Laststromanschluss (3b) für eine Laststromabfuhr (S') aufweist und wobei die Mehrzahl von Leistungshalbleiter-Schaltelementen (2a, 2b, 2c) jeweils wenigstens einen äußeren Laststromanschluss und jeweils wenigstens einen inneren Laststromanschluss pro Laststromrichtung aus Laststromzufuhr und Laststromabfuhr definiert, wobei die Leistungshalbleiteranordnung (1) ferner wenigstens eine Kontaktierungseinrichtung (5, 5') zur jeweils gemeinsamen elektrischen Kontaktierung mehrerer, insbesondere aller, Laststromanschlüsse (3a, 3b) derselben Laststromrichtung aus Laststromzufuhr (S) und Laststromabfuhr (S') aufweist, wobei die Kontaktierungseinrichtung (5, 5') mehrere Anschlusszungen (5a, 5b, 5c, 5'a, 5'b, 5'c) aufweist, die jeweils an einem zugehörigen Laststromanschluss befestigt sind, und wobei sich die Geometrie und/oder der Verlauf der Anschlusszunge eines äußeren Laststromanschlusses (5a, 5'a) von der Geometrie und/oder dem Verlauf der Anschlusszunge (5b, 5'b) eines inneren Laststromanschlusses derselben Kontaktierungseinrichtung (5, 5') unterscheidet.
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公开(公告)号：DE102015115312A1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：DE102015115312
申请日：2015-09-10
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HOHLFELD OLAF , BOENIG GUIDO , HERBRANDT ALEXANDER , DOMES DANIEL
IPC: H01L25/07 , H01L23/367
Abstract: Ein Aspekt betrifft ein Halbleitermodul (100) mit einem ersten Leistungshalbleiterchip (1), einem elektrisch leitenden ersten Kühlkörper (51), und einem elektrisch leitenden ersten Anschlusselement (61). Der erste Leistungshalbleiterchip (1) weist einen ersten Lastanschluss (11) und einen zweiten Lastanschluss (12), sowie eine zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12) ausgebildete erste Laststrecke (11–12). Der erste Leistungshalbleiterchip (1) ist auf dem ersten Kühlkörper (51) angeordnet, und der erste Kühlkörper (51) ist elektrisch zwischen die erste Laststrecke (11–12) und das erste Anschlusselement (61) geschaltet.
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13.发明专利
公开(公告)号：DE102012218579A1
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：DE102012218579
申请日：2012-10-11
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BAYERER REINHOLD , DOMES DANIEL
Abstract: Gemäß einer Ausgestaltung eines Kondensatormoduls umfasst dieses ein Substrat (114) mit einer ersten Metallisierung (108), die auf eine erste Seite des Substrats (114) aufgebracht ist, eine Vielzahl von Anschlüssen (112), die elektrisch leitend mit der ersten Metallisierung (108) verbunden sind, und eine Vielzahl von Kondensatoren (104), die auf der ersten Metallisierung (108) angeordnet sind. Die Vielzahl von Kondensatoren (104) umfasst einen ersten Satz von Kondensatoren (104) aufweisen, die elektrisch zwischen einem ersten Satz von Anschlüssen (112) und einem zweiten Satz von Anschlüssen (112) zueinander parallel geschaltet sind. Das Kondensatormodul (100) umfasst weiterhin ein Gehäuse (102), das die Vielzahl von Kondensatoren (104) umschließt.
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公开(公告)号：DE102009001029B4
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：DE102009001029
申请日：2009-02-20
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： DOMES DANIEL , BAYERER REINHOLD
IPC: H03K17/567
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公开(公告)号：DE102009001029A1
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：DE102009001029
申请日：2009-02-20
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： DOMES DANIEL , BAYERER REINHOLD
IPC: H03K17/567
Abstract: Es wird eine Schaltungsanordnung offenbart, die Folgendes umfasst: einen rückwärtsleitfähigen IGBT, der einen Laststrom sowohl in einer Vorwärtsrichtung als auch in einer Rückwärtsrichtung führen kann, mit einer Gate-Elektrode zum Ein- und Ausschalten des IGBTs; eine Ansteuerschaltung, der ein Steuersignal, welches einen Soll-Schaltzustand des IGBTs repräsentiert, zugeführt ist und die dazu ausgebildet ist, ein Treibersignal zur Ansteuerung der Gate-Elektrode zu erzeugen, um den IGBT entsprechend dem Steuersignal ein- oder auszuschalten, wobei ein Einschalten des IGBTs blockiert wird, wenn der IGBT in Rückwärtsrichtung Strom führt.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102009061841B3
公开(公告)日：2021-02-04
申请号：DE102009061841
申请日：2009-07-06
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BAGINSKI PATRICK , BAYERER REINHOLD , DOMES DANIEL , RÜTHING HOLGER
Abstract: Ein Beispiel der Erfindung betrifft einen Halbleiterchip umfassend einen Halbleiterkörper und ein darin integriertes Leistungshalbleiterbauelement mit einem Steueranschluss (G, Gint), einer mit dem Steueranschluss (G) elektrisch verbundenen internen Steuerelektrode (Gint) und einem Lastanschluss (E). Das Leistungshalbleiterbauelement (T1) weist ein auf einer ersten Oberfläche des Halbleiterkörpers angeordnetes Lastelektrodenfeld (EP), ein auf der ersten Oberfläche angeordnetes Steuerelektrodenfeld (GP), das elektrisch vom Lastelektrodenfeld (EP) isoliert ist, eine in den Halbleiterkörper integrierte Widerstandsbahn (WI), die eine elektrische Verbindung zwischen dem Lastelektrodenfeld (EP) und dem Steuerelektrodenfeld (GP) gewährleistet, ein auf der ersten Oberfläche angeordnetes Bauelementelektrodenfeld (SP), welches von dem Lastelektrodenfeld (EP) und dem Steuerelektrodenfeld (GP) elektrisch isoliert ist, und welches mittels einer Bondverbindung mit dem Lastelektrodenfeld (EP) oder mit dem Steuerelektrodenfeld (GP) niederohmig verbunden ist, wobei die Widerstandsbahn (WI) das Bauelementelektrodenfeld (SP) mit dem Lastelektrodenfeld (EP) oder das Bauelementelektrodenfeld (SP) mit dem Steuerelektrodenfeld (GP) verbindet, und einen Randabschluss (RA) auf, der die Elektrodenfelder (SP, EP, GP) umgibt. Die Widerstandsbahn (WI) ist entlang des Randabschlusses (RA) angeordnet.
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公开(公告)号：DE102015115312B4
公开(公告)日：2020-10-29
申请号：DE102015115312
申请日：2015-09-10
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HOHLFELD OLAF , BOENIG GUIDO , HERBRANDT ALEXANDER , DOMES DANIEL
IPC: H01L25/07 , H01L23/367
Abstract: Halbleitermodul miteinem ersten Leistungshalbleiterchip (1), einem elektrisch leitenden ersten Kühlkörper (51), und einem elektrisch leitenden ersten Anschlusselement (61), wobeider erste Leistungshalbleiterchip (1) einen ersten Lastanschluss (11) und einen zweiten Lastanschluss (12) aufweist, sowie eine zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12) ausgebildete erste Laststrecke (11-12),der erste Leistungshalbleiterchip (1) auf dem ersten Kühlkörper (51) angeordnet ist, undder erste Kühlkörper (51) elektrisch zwischen die erste Laststrecke (11-12) und das erste Anschlusselement (61) geschaltet ist,einem zweiten Leistungshalbleiterchip (2), einem elektrisch leitenden zweiten Kühlkörper (52), und einem elektrisch leitenden zweiten Anschlusselement (62), wobeider zweite Leistungshalbleiterchip (2) einen ersten Lastanschluss (21) und einen zweiten Lastanschluss (22) aufweist, sowie eine zwischen dem ersten Lastanschluss (21) und dem zweiten Lastanschluss (22) ausgebildete zweite Laststrecke (21-22),der zweite Leistungshalbleiterchip (2) auf dem zweiten Kühlkörper (52) angeordnet ist, undder zweite Kühlkörper (52) elektrisch zwischen die zweite Laststrecke (21-22) und das zweite Anschlusselement (62) geschaltet ist,einer dielektrischen Vergussmasse (210), die sich ausgehend vom ersten Kühlkörper (51) bis über den ersten Halbleiterchip (1) hinaus erstreckt und diesen abdeckt, die sich ausgehend vom zweiten Kühlkörper (52) bis über den zweiten Halbleiterchip (2) hinaus erstreckt und diesen abdeckt;einem elektrisch leitenden Anschlussblock (53), der elektrisch leitend an den zweiten Lastanschluss (22) des zweiten Halbleiterchips (2) angeschlossen ist, wobeider Anschlussblock (53) oder ein Abschnitt des Anschlussblocks (53) zwischen dem ersten Kühlkörper (51) und dem zweiten Kühlkörper (52) angeordnet ist; undzwei dielektrischen ersten Trennwänden (201, 202), die zwischen dem ersten Kühlkörper (51) und dem zweiten Kühlkörper (52) angeordnet sind, wobei der Anschlussblock (53) zwischen den zwei ersten Trennwänden (201, 202) angeordnet ist.
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公开(公告)号：DE102016110035A1
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：DE102016110035
申请日：2016-05-31
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BASLER THOMAS , LAVEN JOHANNES GEORG , BABURSKE ROMAN , DOMES DANIEL , RUPP ROLAND
IPC: H01L23/58 , H01L29/739 , H01L29/778
Abstract: Eine elektrische Baugruppe umfasst eine bipolare Schaltvorrichtung (510) und eine Transistorschaltung (560). Die Transistorschaltung (560) ist mit der bipolaren Schaltvorrichtung (510) elektrisch parallel verbunden und umfasst einen selbstleitenden Transistor (560a) mit breiter Bandlücke.
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公开(公告)号：DE102011086129B4
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：DE102011086129
申请日：2011-11-10
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： DOMES DANIEL
IPC: H03K17/567 , H01L29/739
Abstract: Eine Schaltungsanordnung, die aufweist: einen Feldeffekttransistor (T1), der dazu ausgebildet ist, einen Stromfluss eines Laststroms sowohl in eine Vorwärtsrichtung als auch in eine Rückwärtsrichtung zu ermöglichen, wobei der Feldeffekttransistor (T1) einen Laststrompfad und eine Gate-Elektrode (G) aufweist; eine Gate-Steuereinheit (10), die mit der Gate-Elektrode (G) verbunden und dazu ausgebildet ist, den Feldeffekttransistor (T1) durch Laden bzw. Entladen der Gate-Elektrode (G) nach Maßgabe eines Gate-Steuersignals (S1) zu aktivieren bzw. zu deaktivieren; eine Gate-Treibereinheit (102), die dazu ausgebildet ist, durch Detektieren eines Gatestroms (iGATE), der durch eine Änderung des Spannungsabfalls über den Laststrompfad aufgrund eines Wechsels des Feldeffekttransistors (T1) in den rückwärtsleitenden Zustand verursacht wird, zu detektieren, ob der Feldeffekttransistor (T1) Strom in Vorwärts- oder Rückwärtsrichtung leitet, wobei die Gate-Steuereinheit (10) weiter dazu ausgebildet ist, den Feldeffekttransistor (T1) zu deaktivieren oder dessen Aktivierung zu verhindern, wenn die Gate-Treibereinheit (10) detektiert, dass der Feldeffekttransistor (T1) sich in seinem rückwärtsleitenden Zustand befindet.
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公开(公告)号：DE102013210146A1
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：DE102013210146
申请日：2013-05-31
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： DOMES DANIEL
Abstract: Die Erfindung betrifft eine Halbleitermodulanordnung sowie ein Verfahren zu deren Betrieb. Die Halbeitermodulanordnung umfasst ein Hauptsubstrat (3) mit einem isolierenden Träger (30), der mit einer strukturierten Metallisierungsschicht (31) versehen ist und die einen ersten und einen zweiten Metallisierungsabschnitt (311, 312) aufweist. Auf dem ersten Metallisierungsabschnitt (311) ist ein erstes Teilsubstrat (1) angeordnet, das einen ersten Isolationsträger (10) aufweist, sowie eine erste obere Metallisierungsschicht (11). Auf dem zweiten zusammenhängenden Metallisierungsabschnitt (312) ist ein zweites Teilsubstrat (2) angeordnet, das einen zweiten Isolationsträger (20) aufweist, eine zweite obere Metallisierungsschicht (21), sowie eine zweite untere Metallisierungsschicht (22), die auf eine Unterseite des zweiten Isolationsträgers (20) aufgebracht ist. Auf einem ersten Abschnitt (111) der ersten oberen Metallisierungsschicht (11) ist ein erster steuerbarer Halbleiterchip (6) angeordnet, der einen ersten Lastanschluss (61) und einen Steueranschluss (63) aufweist, die an einer der ersten oberen Metallisierungsschicht (11) abgewandten Oberseite des ersten Halbleiterchips (6) angeordnet sind, sowie einen zweiten Lastanschluss (62), der an einer Unterseite des ersten Halbleiterchips (6) angeordnet ist. Auf einem ersten Abschnitt (211) der zweiten oberen Metallisierungsschicht (21) ist ein zweiter steuerbarer Halbleiterchip (7) angeordnet, welcher einen ersten Lastanschluss (71) und einen Steueranschluss (73) aufweist, die an einer Oberseite des zweiten Halbleiterchips (7) angeordnet sind, sowie einen zweiten Lastanschluss (72), der an einer Unterseite des zweiten Halbleiterchips (7) angeordnet ist. Der erste zusammenhängende Metallisierungsabschnitt (311) weist eine erste Grundfläche (A311) auf. Der zweite zusammenhängende Metallisierungsabschnitt (312) weist eine zweite Grundfläche (A312) auf, die kleiner ist als das 1/0,95-fache der ersten Grundfläche (A311) und größer als das 1/1,05-fache der ersten Grundfläche (A311).
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