中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

38 records (took 0.024 seconds)

    12.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10261328A1

    公开(公告)日：2003-07-17

    申请号：DE10261328

    申请日：2002-12-27

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LEHMANN GUNTHER ,  FRANKOWSKY GERD ,  TERLETZKI HARTMUD

    IPC: G11C7/10 ,  G11C7/18 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/4097 ,  G11C8/00

    Abstract: A memory is provided having an array of rows and columns of memory cells. The memory includes plurality of sense amplifiers, each one having a true terminal and a compliment terminal. The memory also includes a plurality of pairs of twisted bit lines, each one of the pairs of lines being coupled to true and compliment terminals of a corresponding one of the plurality of sense amplifiers. A plurality of word lines is provided, each one being connected to a corresponding one of the rows of memory cells. An address logic section is fed by column address signals, fed to the bit lines, and row address signals, fed to the word lines, for producing invert/non-invert signals in accordance with the fed row and column address signals. The memory includes a plurality of inverters each one being coupled to a corresponding one of the sense amplifiers for inverting data fed to or read from the sense amplifier selectively in accordance with the invert/non-invert signals produced by the address logic.

    Wortleitungsaktivierung
    13.
    发明专利
    Wortleitungsaktivierung 未知

    公开(公告)号：DE102014117963B4

    公开(公告)日：2022-08-25

    申请号：DE102014117963

    申请日：2014-12-05

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： GUPTA SIDDHARTH ,  LEHMANN GUNTHER

    IPC: G11C8/08 ,  G11C7/12 ,  G11C11/419

    Abstract: Verfahren, welches Folgendes umfasst:Bereitstellen einer Speicheranordnung (11) , welche mehrere Wortleitungen (32) umfasst, undÄndern einer Spannung einer ausgewählten Wortleitung der mehreren Wortleitungen (32) von einer ersten Spannung, bei der die Wortleitung deaktiviert ist, auf eine zweite Spannung, bei der die Wortleitung aktiviert ist, über mehrere verschiedene Zwischenspannungen, wobei jede Zwischenspannung während einer jeweiligen bestimmten Zeit gehalten wird,wobei eine erste Spannungsdifferenz zwischen der ersten Spannung und einer ersten Zwischenspannung, eine zweite Differenz zwischen aufeinanderfolgenden Zwischenspannungen und eine dritte Spannungsdifferenz zwischen einer letzten Zwischenspannung und der zweiten Spannung gleich sind, undZugreifen auf eine mit der ausgewählten Wortleitung gekoppelte Speicherzelle erst, nachdem die zweite Spannung erreicht wurde.

    17.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102006022867B4

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：DE102006022867

    申请日：2006-05-16

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LEHMANN GUNTHER ,  MARTELLONI YANNICK ,  LARGUIER JEAN-YVES ,  GUPTA SIDDHARTH

    IPC: G11C7/06 ,  G11C7/14 ,  G11C17/12

    Abstract: The circuit has an input, in which a read signal is coupled and has a high signal level and another low signal level related to reference potential depending on the information contained. A comparator circuit is provided for comparing the read signal with adjustable threshold. A threshold read-out device (22) is provided for adjusting the threshold of the circuit related to the former and latter signal level of the coupled read signal. A control signal generator that is for controlling the device of the read signal, particularly with the low signal level, produces, similar control signal.

    20.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102004053574B4

    公开(公告)日：2006-09-21

    申请号：DE102004053574

    申请日：2004-11-05

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LARGUIER JEAN-YVES ,  MARTELLONI YANNICK ,  LEHMANN GUNTHER ,  GUPTA SIDDHARTH

    IPC: G11C17/00 ,  G11C17/18

    Abstract: Memory cells (MC) can be addressed by word lines and bit lines (BL) (BL0-BL7) that link to an output structure via a column multiplexer (10) so as to sort the MC. Either a non-inverted or an inverted allocation in the first and second conditions of the MC is used for the BL at first and second values. An independent claim is also included for a device for permanent storage of data with multiple memory cells.

Patent Agency Ranking