公开(公告)号：DE102009001028B4

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：DE102009001028

申请日：2009-02-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROTH ROMAN ,  SIEPE DIRK

IPC: H01R4/02 ,  H01L21/607 ,  H01R43/02

公开(公告)号：DE102006052202B3

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：DE102006052202

申请日：2006-11-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GUTT THOMAS ,  SIEPE DIRK ,  LASKA THOMAS ,  MELZL MICHAEL ,  STECHER MATTHIAS ,  ROTH ROMAN

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L23/52

Abstract: The component has a metal layer (1) comprising a coherent section. The other metal layer (2) is arranged on the coherent section of the former metal layer. The latter metal is harder than the former metal. The latter metal layer is structured between two layered regions (2a,2b) arranged on the coherent section of the former metal layer. The latter metal comprises boron or phosphorous containing metal and boron or phosphorous containing metal alloy. Independent claims are also included for the following: (1) a contact element comprising a layer pile with a continuous sub-area of a metallization layer of a semiconductor component (2) a method for producing a semiconductor component.

公开(公告)号：DE102015219183B4

公开(公告)日：2019-06-06

申请号：DE102015219183

申请日：2015-10-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WAGNER WOLFGANG ,  ROTH ROMAN

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60

Abstract: Leistungshalbleiterbauelement (1), umfassend einen an einen ersten Lastanschluss (11) und an einen zweiten Lastanschluss (12) gekoppelten Halbleiterkörper (10) und konfiguriert zum Führen eines Laststroms zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12), wobei der erste Lastanschluss (11) Folgendes umfasst:- eine an den Halbleiterkörper (10) gekoppelte zusammenhängende Metallschicht (11-1); und- mindestens zwei Metallinseln (11-2), jeweils auf und in Kontakt mit der zusammenhängenden Metallschicht (11-1) angeordnet, jeweils kontaktiert durch ein Ende (31) mindestens eines Bonddrahts (3) und konfiguriert zum Empfangen mindestens eines Teils des Laststroms mit Hilfe des Bonddrahts (3), wobei die zusammenhängende Metallschicht (11-1) und die Metallinseln (11-2) aus dem gleichen Metall bestehen, und wobei die mindestens zwei Metallinseln (11-2) durch einen von der Herstellung der zusammenhängenden Metallschicht (11-1) separaten Abscheidungsschritt hergestellt sind.

公开(公告)号：DE102015213630B4

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：DE102015213630

申请日：2015-07-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  HÜSKEN HOLGER ,  VOSS STEPHAN ,  SCHÄFER CARSTEN DR ,  ROTH ROMAN ,  PFIRSCH FRANK ,  SANDOW CHRISTIAN DR

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Halbleitervorrichtung (1), welche Folgendes aufweist:- ein Source-Gebiet (104), das elektrisch mit einem ersten Lastanschluss (E) der Halbleitervorrichtung (1) verbunden ist,- ein Driftgebiet (101), das ein erstes Halbleitermaterial (M1) mit einer ersten Bandlücke aufweist, wobei das Driftgebiet (101) Dotierungsstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist und dafür ausgelegt ist, zumindest einen Teil eines Laststroms zwischen dem ersten Lastanschluss (E) und einem zweiten Lastanschluss (C) der Halbleitervorrichtung (1) zu tragen, und- ein Halbleiter-Body-Gebiet (102), das Dotierungsstoffe eines zum ersten Leitfähigkeitstyp komplementären zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist und elektrisch mit dem ersten Lastanschluss (E) verbunden ist, wobei ein Übergang zwischen dem Halbleiter-Body-Gebiet (102) und dem Driftgebiet (101) einen pn-Übergang (103) bildet, wobei der pn-Übergang (103) dafür ausgelegt ist, eine zwischen den ersten Lastanschluss (E) und den zweiten Lastanschluss (C) gelegte Spannung zu blockieren, wobei das Halbleiter-Body-Gebiet (102) das Source-Gebiet (104) vom Driftgebiet (101) isoliert und eine Zone (102-2) mit einer verkleinerten Bandlücke aufweist, welche ein zweites Halbleitermaterial (M2) mit einer zweiten Bandlücke, die kleiner als die erste Bandlücke ist, aufweist, wobei die Zone (102-2) mit einer verkleinerten Bandlücke und das Source-Gebiet (104) in einem Querschnitt entlang einer vertikalen (Z)-Richtung wenigstens einen von einem gemeinsamen lateralen Erstreckungsbereich (LR) entlang einer ersten lateralen (X)-Richtung und einem gemeinsamen vertikalen Erstreckungsbereich (VR) entlang der vertikalen (Z)-Richtung aufweisen; und wobeider erste Lastanschluss (E) ein Kontaktmetall (3) aufweist, das in Kontakt sowohl mit dem Source-Gebiet (104) als auch mit der Zone (102-2) mit einer verkleinerten Bandlücke angeordnet ist; und wobeidas Halbleiter-Body-Gebiet (102) ferner eine Anti-latch-up-Zone (102-1) aufweist, wobei die Anti-latch-up-Zone (102-1) in Kontakt mit dem Source-Gebiet (104) und dem Kontaktmetall (3) angeordnet ist und eine höhere elektrische Leitfähigkeit aufweist als das Halbleiter-Body-Gebiet (102) außerhalb der Anti-latch-up-Zone (102-1), wobei die Anti-latch-up-Zone (102-1) und die Zone (102-2) mit einer verkleinerten Bandlücke ein gemeinsames Überlappungsgebiet (102-5) aufweisen.

公开(公告)号：DE102016101801A1

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：DE102016101801

申请日：2016-02-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROTH ROMAN ,  HILLE FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/49 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: Leistungshalbleiterbauelement (1), das Folgendes umfasst: eine erste Lastanschlussstruktur (11) und eine zweite Lastanschlussstruktur (12), die getrennt von der ersten Lastanschlussstruktur (11) angeordnet ist; eine Halbleiterstruktur (10), die elektrisch mit sowohl der ersten Lastanschlussstruktur (11) als auch der zweiten Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist und die dazu konfiguriert ist, einen Laststrom zu führen, wobei die erste Lastanschlussstruktur (11) Folgendes umfasst: eine leitfähige Schicht (111), die sich in Kontakt mit der Halbleiterstruktur (10) befindet; einen Bonding-Block (112), der dazu konfiguriert ist, von einem Ende (31) eines wenigstens einen Bonddrahtes (3) kontaktiert zu werden und wenigstens einen Teil des Laststroms von dem wenigstens einen Bonddraht (3) und/oder der leitfähigen Schicht (111) zu empfangen; einen Verstärkungsblock (113), der eine Härte aufweist, die größer als sowohl die Härte der leitfähigen Schicht (111) als auch des Bonding-Blocks (112) ist, wobei der Bonding-Block (112) mittels des Verstärkungsblocks (113) auf der leitfähigen Schicht (111) montiert ist.