公开(公告)号：WO02101828A3

公开(公告)日：2003-09-12

申请号：PCT/EP0205312

申请日：2002-05-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  GRAMBOW PETER ,  GUTT THOMAS ,  TORNOW MARC

Inventor： GRAMBOW PETER ,  GUTT THOMAS ,  TORNOW MARC

IPC: H01L21/60 ,  H05K3/34 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/3494 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: According to the invention a solder material is melted down by means of a rapid thermal processing (RTP) method in a comparatively short time. This reduces the thermal stress on existing structures. After the melting process, the metallurgical properties of the solder material are precisely defined and after said process the semiconductor product can be stored for long periods of time without risk to its quality or reliability, until the semiconductor product is soldered to a support.

Abstract translation: 根据本发明的方法中，软钎料材料是通过RTP处理的装置在一个比较短的时间重熔。 从而，热负荷的现有结构减小。 钎料的重熔冶金精确定义和半导体产品可以存储在此过程之后长时间没有质量和可靠性风险对半导体产品的Verloten后与载体进行。

公开(公告)号：WO2004015754A2

公开(公告)日：2004-02-19

申请号：PCT/DE0302523

申请日：2003-07-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  CHUNG HIN-YIU ,  GUTT THOMAS

Inventor： CHUNG HIN-YIU ,  GUTT THOMAS

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/316 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L21/687 ,  H01S5/183

CPC classification number: H01L21/3247 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31666 ,  H01L21/3228 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68735 ,  H01S5/18311 ,  Y10S438/94

Abstract: Amongst other things a method is disclosed, whereby a layer for oxidation is preferably processed in a single substrate process, whereby the process temperature during the processing is recorded directly on the substrate or on a holder device (110) for the substrate. Oxide layers with precisely fixed oxide widths can be generated.

Abstract translation: 被描述，特别是在其中被氧化层在单基板处理优选进行处理的方法，其中，对于所述基板被检测直接在衬底（114）或保持装置（110）上的处理过程中的处理温度。 可以制造具有精确预定氧化物宽度的氧化物层。

公开(公告)号：DE102004060188B4

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：DE102004060188

申请日：2004-12-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GUTT THOMAS

IPC: F27D11/02 ,  F27D99/00 ,  F27B5/14 ,  H01L21/324

公开(公告)号：DE102005051330A1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：DE102005051330

申请日：2005-10-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GUTT THOMAS ,  SGOURIDIS SOKRATIS

IPC: H01L21/60

Abstract: A method of producing and cleaning external contacts of surface-mounted chips comprises galvanic deposition, tempering below the melting temperature performing high-temperature rapid thermal processing intervals during which the melting temperature is reached and moistening the surface. An independent claim is also included for a production method for surface-mounted chips as above.

公开(公告)号：DE10234694A1

公开(公告)日：2004-02-12

申请号：DE10234694

申请日：2002-07-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CHUNG HIN-YIU ,  GUTT THOMAS

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/316 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L21/687 ,  H01S5/183 ,  B01J19/00 ,  H01L21/68

Abstract: Oxidizing a layer comprises preparing a substrate (114) supporting a layer to be oxidized which is part of a layer stack containing the substrate or base layer and a neighboring layer formed on the surface of the layer to be oxidized facing the base surface, inserting the substrate carrying the layer stack into a heating unit (80), feeding an oxidation gas onto the substrate, heating the substrate to a process temperature, acquiring the process temperature during processing via the substrate of a receiving unit (110) for the substrate, and regulating or controlling the substrate temperature at a prescribed theoretical temperature during processing. An Independent claim is also included for a receiving unit having a recess (124) for an exchangeable ring (128) for the substrate.

公开(公告)号：DE102009045184A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：DE102009045184

申请日：2009-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEPE DIRK ,  GUTT THOMAS ,  ROTH ROMAN

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H01R4/02

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Bondverbindung zwischen einem Bonddraht (9) und einem Leistungshalbleiterchip (1). Der Leistungshalbleiterchip (10) weist einen Halbleiterkörper (1) auf, in dem ein aktiver Zellbereich (12) mit einer Vielzahl von Zellen (15) angeordnet ist, die in einer lateralen Richtung (r) aufeinanderfolgend angeordnet und elektrisch parallel geschaltet sind. Der Halbleiterkörper (1) weist einen Oberflächenabschnitt (11') auf, der in einer zur lateralen Richtung (r) senkrechten vertikalen Richtung (v) oberhalb des aktiven Zellbereichs (12) angeordnet ist. Auf den Oberflächenabschnitt (15) ist eine Metallisierungsschicht (20) aufgebracht, auf die ein Bonddraht (9) gebondet ist. Der Bonddraht (9) besteht aus einer Legierung, die wenigstens 99 Gew.-% Aluminium (91) enthält, sowie wenigstens einen weiteren Legierungsbestandteil (92). Das Aluminium (91) weist eine Kornstruktur mit einer mittleren Korngröße ( ) auf, die kleiner ist als 2 µm.

公开(公告)号：DE102008019599A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：DE102008019599

申请日：2008-04-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  WOEHLERT STEFAN ,  GUTT THOMAS ,  TREU MICHAEL

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/268 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/329 ,  H01L21/338 ,  H01L23/58

公开(公告)号：DE102016122787A1

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：DE102016122787

申请日：2016-11-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BABURSKE ROMAN ,  BERGER RUDOLF ,  GUTT THOMAS ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  SCHULZE HOLGER ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/20 ,  H01L21/225 ,  H01L21/335

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements umfasst das Bilden einer amorphen oder polykristallinen Halbleiterschicht benachbart zu zumindest einer Halbleiterdotierungsregion mit einem ersten Leitfähigkeitstyp, die in einem Halbleitersubstrat angeordnet ist. Das Verfahren umfasst ferner das Einbringen von Dotierstoffen in die amorphe oder polykristalline Halbleiterschicht während oder nach dem Bildern der amorphen oder polykristallinen Halbleiterschicht. Das Verfahren umfasst ferner das Ausheilen der amorphen oder polykristallinen Halbleiterschicht, um zumindest einen Teil der amorphen oder polykristallinen Halbleiterschicht in eine im Wesentlichen monokristalline Halbleiterschicht zu transformieren, und um zumindest eine Dotierungsregion mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp in der monokristallinen Halbleiterschicht derart zu bilden, dass ein p-n-Übergang zwischen der zumindest einen Halbleiterdotierungsregion mit dem ersten Leitfähigkeitstyp und der zumindest einen Dotierungsregion mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp gebildet wird.

公开(公告)号：DE102004060188A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：DE102004060188

申请日：2004-12-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GUTT THOMAS

IPC: F27D99/00 ,  H01L21/324

Abstract: Process hot chamber (100) comprises a number of rod lamps (406) and a number of spot lamps (101) for heating an object arranged in the chamber. A part of the rod lamps and a part of the spot lamps are arranged on the same side within the chamber.

公开(公告)号：DE102007063786B3

公开(公告)日：2022-09-15

申请号：DE102007063786

申请日：2007-04-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON DR ,  SCHULZE HOLGER ,  GUTT THOMAS

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L21/8238

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Dotierungszone in einem Halbleiterkörper, aufweisend:- Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1);- Einbringen mindestens eines Dotierstoffs (2) in den Halbleiterkörper (1), wobei der Dotierstoff (2) ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend Schwefel und Selen sowie Mischungen davon;- Durchführen zumindest einer kurzzeitigen ersten Temperaturbehandlung (7) bei einer Temperatur T1; und- Durchführen einer im Vergleich zur ersten Temperaturbehandlung (7) längeren zweiten Temperaturbehandlung (8) bei einer Temperatur T2 zur Ausbildung einer Dotierungszone (6), wobei T1 höher als T2 ist.