公开(公告)号：DE102013103219B4

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：DE102013103219

申请日：2013-03-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WERBER DOROTHEA ,  MAUDER ANTON ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HIRLER FRANZ ,  PHILIPPOU ALEXANDER

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: Rückwärts leitende Halbleitervorrichtung, umfassend: eine Driftzone (106) eines ersten Leitfähigkeitstyps, die zwischen einer ersten Seite (102) und einer zweiten Seite (105) eines Halbleiterkörpers (101) angeordnet ist; einen ersten Bereich (107) des ersten Leitfähigkeitstyps und einen zweiten Bereich (108) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die nacheinander entlang einer ersten Richtung parallel zu der zweiten Seite (105) angeordnet sind; eine Elektrode (111) an der zweiten Seite angrenzend an die ersten und zweiten Bereiche (107, 108); einen dritten Halbleiterbereich (109) des zweiten Leitfähigkeitstyps, der zwischen der Driftzone (106) und dem ersten Bereich (107) angeordnet ist, wobei der dritte Halbleiterbereich (109) beabstandet von dem zweiten Bereich (108) und von der zweiten Seite (105) gelegen ist, und der dritte Halbleiterbereich vollständig die ersten und zweiten Halbleiterbereiche bedeckt.

公开(公告)号：DE102013211717A1

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：DE102013211717

申请日：2013-06-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  WERBER DOROTHEA

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst ein erstes Emittergebiet eines ersten Leitfähigkeitstyps, ein zweites Emittergebiet eines zu dem ersten Leitfähigkeitstyp komplementären zweiten Leitfähigkeitstyps und ein Driftgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps, die in einem Halbleiterkörper angeordnet sind. Die ersten und zweiten Emittergebiete sind zwischen dem Driftgebiet und einer ersten Elektrode angeordnet und sind jeweils an die erste Elektrode angeschlossen. Eine Bauelementzelle eines Zellengebiets umfasst ein Bodygebiet des ersten Leitfähigkeitstyps, das an das Driftgebiet angrenzt, ein Sourcegebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps, das an das Bodygebiet angrenzt und eine Gateelektrode benachbart zu dem Bodygebiet und durch ein Gatedielektrikum dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet isoliert. Eine zweite Elektrode ist elektrisch an das Sourcegebiet und das Bodygebiet angeschlossen. Ein floatendes parasitäres Gebiet des ersten Leitfähigkeitstyps ist außerhalb des Zellengebiets angeordnet.

公开(公告)号：DE102013211572A1

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：DE102013211572

申请日：2013-06-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOMARNITSKYY VOLODYMYR ,  MAUDER ANTON ,  MILLER GERHARD ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHULZE HOLGER ,  WERBER DOROTHEA ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Beschrieben wird ein Halbleiterbauelement, das ein Zellengebiet (110) aufweist, das wenigstens eine Bauelementzelle aufweist, wobei die wenigstens eine Bauelementzelle ein erstes Bauelementgebiet (14) eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist; ein Driftgebiet (11) eines zweiten Leitfähigkeittyps, das an das erste Bauelementgebiet (14) der wenigstens einen Bauelementzelle angrenzt; ein dotiertes Gebiet (40; 44) des ersten Leitfähigkeitstyps, das an das Driftgebiet angrenzt; und Ladungsträgerlebensdauerverringerungsmittel (41; 42; 43; 44), die dazu ausgebildet sind, eine Ladungsträgerlebensdauer in dem dotierten Gebiet (40; 44) des ersten Leitfähigkeitstyps zu reduzieren.

公开(公告)号：DE102013103219A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：DE102013103219

申请日：2013-03-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WERBER DOROTHEA ,  MAUDER ANTON ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HIRLER FRANZ ,  PHILIPPOU ALEXANDER

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: Ein Halbleiter umfasst eine Driftzone (106) eines ersten Leitfähigkeitstyps, die zwischen einer ersten Seite (102) und einer zweiten Seite (105) eines Halbleiterkörpers (101) angeordnet ist. Die Halbleitervorrichtung umfasst weiterhin einen ersten Bereich (107) eines ersten Leitfähigkeitstyps und einen zweiten Bereich (108) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die aufeinander folgend entlang einer ersten Richtung parallel zu der zweiten Seite (105) angeordnet sind. Die Halbleitervorrichtung umfasst außerdem eine Elektrode (111) an der zweiten Seite (105), die an die ersten und zweiten Bereiche (107, 108) angrenzt. Die Halbleitervorrichtung hat außerdem einen dritten Bereich (109) des zweiten Leitfähigkeitstyps, der zwischen der Driftzone (106) und dem ersten Bereich (107) gelegen ist. Der dritte Bereich (109) ist beabstandet von dem zweiten Bereich (108) und der zweiten Seite (105) gelegen.