公开(公告)号：WO0165606A3

公开(公告)日：2002-02-14

申请号：PCT/DE0100617

申请日：2001-02-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  NEIDHART THOMAS ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  SCHAGERL GUENTER

Inventor： NEIDHART THOMAS ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  SCHAGERL GUENTER

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: The invention relates to a field effect transistor configuration in which the source region (6), in order to increase the latch-up strength, extends along a trench (2) and below the highly doped base region (8) in a self-adjusting manner.

Abstract translation: 本发明涉及其中增加源极区域（6）以自对准的方式沿沟槽延伸的闭锁强度等的场效应晶体管装置（2），以下面的重掺杂基区（8）。

公开(公告)号：DE10208787B4

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：DE10208787

申请日：2002-02-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRIZA WOLFGANG ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  POELZL MARTIN

IPC: H01L21/74 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/334 ,  H01L21/336 ,  H01L21/763 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8249

公开(公告)号：DE10316530A1

公开(公告)日：2004-11-18

申请号：DE10316530

申请日：2003-04-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFIRSCH FRANK ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Production of a semiconductor component comprises preparing a semiconductor body with a dopant of first conductivity and with a trench protruding from a first surface into the semiconductor body, forming a dielectric layer (18) on the walls and base of the trench, depositing conducting material on the first surface and in the trench to form a conducting layer for the gate electrodes (9), applying a first mask (30) partially covering regions of the trench, etching the covered regions of the conducting layer, and implanting doping materials of second conductivity using the first mask and/or gate electrodes as implantation masks. An independent claim is also included for a semiconductor component produced by the above process.

公开(公告)号：DE10009345C1

公开(公告)日：2001-07-19

申请号：DE10009345

申请日：2000-02-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHAEFFER CARSTEN ,  SCHAGERL GUENTER ,  NEIDHART THOMAS

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: The FET device includes a semiconductor substrate (1) with a trench (2). An insulating layer (4) covers the walls of the trench. A conductive material (5) fills the trench and forms a gate electrode. A source region (6), a body region (7) and a drain region (10) are also formed. A highly doped region (8) is formed in the body region that is at least partially arranged under the source region and adjoins the source region. The source region extends from the first surface (3) of the semiconductor substrate (1), along the trench (2) and up to the highly doped region in the body region.

公开(公告)号：DE102015103709A1

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：DE102015103709

申请日：2015-03-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEHRENDT ANDREAS ,  GRAETZ ERIC ,  HUMBEL OLIVER ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  PLAPPERT MATHIAS ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/324 ,  H01L21/56 ,  H01L25/07

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (400) gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Folgendes enthalten: einen Halbleiterkörper (401); und eine Passivierungsschicht (402), die über wenigstens einem Abschnitt des Halbleiterkörpers (401) angeordnet ist, wobei die Passivierungsschicht (402) ein organisches dielektrisches Material enthält, das eine Wasseraufnahme von weniger als oder gleich 0,5 Gew.-% in Sättigung aufweist.

公开(公告)号：DE10358324A1

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：DE10358324

申请日：2003-12-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHAEFFER CARSTEN

IPC: G11C7/00 ,  H01L23/525 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE10203164A1

公开(公告)日：2003-08-14

申请号：DE10203164

申请日：2002-01-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFIRSCH FRANK ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Electrode unit (4) comprises at least two electrically separate electrodes (10, 11) An Independent claim is included for the method of manufacture.

公开(公告)号：DE10053445A1

公开(公告)日：2002-05-23

申请号：DE10053445

申请日：2000-10-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  HUESKEN HOLGER ,  LASKA THOMAS ,  PORST ALFRED ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  SCHMIDT THOMAS ,  PFIRSCH FRANK

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/739

Abstract: IGBT comprises a semiconductor substrate forming a weakly doped drift zone (3) of first conductivity type; a zone (2) of second conductivity embedded in the first surface of the drift zone; a cell region made from highly doped emitter connection (9) and a gate electrode (8); a first metallization contacting the zone (2) and the emitter connection. A region (4, 5) of first conductivity type and a second metallization (7) are arranged opposite the region of first conductivity type on a surface of a collector region (6). The region of first conductivity type consists of two independently doped regions originating from the second metallization consisting of a highly doped flat region (5) and a low doped diffused or epitaxially produced region (4) Preferred Features: The flat region and the collector region are doped in such a way that the low doped region is flooded with charge carriers. The gate electrode is made from polycrystalline silicon.

公开(公告)号：DE102013211717A1

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：DE102013211717

申请日：2013-06-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  WERBER DOROTHEA

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst ein erstes Emittergebiet eines ersten Leitfähigkeitstyps, ein zweites Emittergebiet eines zu dem ersten Leitfähigkeitstyp komplementären zweiten Leitfähigkeitstyps und ein Driftgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps, die in einem Halbleiterkörper angeordnet sind. Die ersten und zweiten Emittergebiete sind zwischen dem Driftgebiet und einer ersten Elektrode angeordnet und sind jeweils an die erste Elektrode angeschlossen. Eine Bauelementzelle eines Zellengebiets umfasst ein Bodygebiet des ersten Leitfähigkeitstyps, das an das Driftgebiet angrenzt, ein Sourcegebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps, das an das Bodygebiet angrenzt und eine Gateelektrode benachbart zu dem Bodygebiet und durch ein Gatedielektrikum dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet isoliert. Eine zweite Elektrode ist elektrisch an das Sourcegebiet und das Bodygebiet angeschlossen. Ein floatendes parasitäres Gebiet des ersten Leitfähigkeitstyps ist außerhalb des Zellengebiets angeordnet.

公开(公告)号：DE102013211572A1

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：DE102013211572

申请日：2013-06-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOMARNITSKYY VOLODYMYR ,  MAUDER ANTON ,  MILLER GERHARD ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHULZE HOLGER ,  WERBER DOROTHEA ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Beschrieben wird ein Halbleiterbauelement, das ein Zellengebiet (110) aufweist, das wenigstens eine Bauelementzelle aufweist, wobei die wenigstens eine Bauelementzelle ein erstes Bauelementgebiet (14) eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist; ein Driftgebiet (11) eines zweiten Leitfähigkeittyps, das an das erste Bauelementgebiet (14) der wenigstens einen Bauelementzelle angrenzt; ein dotiertes Gebiet (40; 44) des ersten Leitfähigkeitstyps, das an das Driftgebiet angrenzt; und Ladungsträgerlebensdauerverringerungsmittel (41; 42; 43; 44), die dazu ausgebildet sind, eine Ladungsträgerlebensdauer in dem dotierten Gebiet (40; 44) des ersten Leitfähigkeitstyps zu reduzieren.