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    HALBLEITERBAUELEMENT MIT LADUNGSTRÄGERLEBENSDAUERREDUKTIONSMITTELN
    1.
    发明专利
    HALBLEITERBAUELEMENT MIT LADUNGSTRÄGERLEBENSDAUERREDUKTIONSMITTELN 未知

    公开(公告)号：DE102013211572B4

    公开(公告)日：2019-02-14

    申请号：DE102013211572

    申请日：2013-06-19

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHAEFFER CARSTEN ,  KOMARNITSKYY VOLODYMYR ,  MAUDER ANTON ,  MILLER GERHARD ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHULZE HOLGER ,  WERBER DOROTHEA

    IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/32 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

    Abstract: Halbleiterbauelement, das aufweist:ein Zellengebiet (110), das wenigstens eine Bauelementzelle aufweist, wobei die wenigstens eine Bauelementzelle ein erstes Bauelementgebiet (14) eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist;ein Driftgebiet (11) eines zweiten Leitfähigkeittyps, das an das erste Bauelementgebiet (14) der wenigstens einen Bauelementzelle angrenzt;ein dotiertes Gebiet (40) des ersten Leitfähigkeitstyps, das an das Driftgebiet angrenzt und einen pn-Übergang mit dem Driftgebiet (11) bildet; undLadungsträgerlebensdauerverringerungsmittel (41; 42), die dazu ausgebildet sind, eine Ladungsträgerlebensdauer in dem dotierten Gebiet (40) des ersten Leitfähigkeitstyps zu reduzieren,wobei eine Position der Ladungsträgerlebensdauerverringerungsmittel (41; 42) in dem dotierten Gebiet (40; 44) des ersten Leitfähigkeitstyps so gewählt ist, dass ein von dem pn-Übergang ausgehendes Verarmungsgebiet die Ladungsträgerlebensdauerverringerungsmittel (41; 42; 43; 44) nicht erreicht, wenn eine der Spannungsfestigkeit des Halbleiterbauelements entsprechende Spannung an den pn-Übergang angelegt wird.

    Leistungshalbleitertransistor
    2.
    发明专利
    Leistungshalbleitertransistor 未知

    公开(公告)号：DE102018010379A1

    公开(公告)日：2020-04-09

    申请号：DE102018010379

    申请日：2018-09-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： FELSL HANS-PETER ,  JELINEK MORIZ ,  KOMARNITSKYY VOLODYMYR ,  SCHRAML KONRAD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

    IPC: H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: Ein Leistungshalbleitertransistor (1) umfasst Folgendes: einen Halbleiterkörper (10), der eine Vorderseite (10-1) und eine Rückseite (10-2) mit einer Rückseitenoberfläche (10-20) aufweist, wobei der Halbleiterkörper (10) ein Driftgebiet (100) eines ersten Leitfähigkeitstyps und ein Feldstoppgebiet (105) des ersten Leitfähigkeitstyps beinhaltet, das Feldstoppgebiet (105) zwischen dem Driftgebiet (100) und der Rückseite (10-2) angeordnet ist und in einem Querschnitt entlang einer vertikalen Richtung (Z), die von der Rückseite (10-2) zu der Vorderseite (10-1) zeigt, ein Konzentrationsprofil von Donatoren des ersten Leitfähigkeitstyps umfasst, das Folgendes aufweist: ein erstes lokales Maximum (1051) bei einem ersten Abstand (d1) von der Rückseitenoberfläche (10-20), eine vordere Breite bei halbem Maximum (B), die mit dem ersten lokalen Maximum (1051) assoziiert ist, und eine hintere Breite bei halbem Maximum (A), die mit dem ersten lokalen Maximum (1051) assoziiert ist, wobei die vordere Breite bei halbem Maximum (B) kleiner als die hintere Breite bei halbem Maximum (A) ist und wenigstens 8 % des ersten Abstands (d1) beträgt.

    Halbleitervorrichtung mit reduzierter Emitter-Effizienz und Verfahren zur Herstellung
    5.
    发明专利
    Halbleitervorrichtung mit reduzierter Emitter-Effizienz und Verfahren zur Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102015210923B4

    公开(公告)日：2018-08-02

    申请号：DE102015210923

    申请日：2015-06-15

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： WAGNER WOLFGANG ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  KOMARNITSKYY VOLODYMYR

    IPC: H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

    Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung (1), umfassend:- Bereitstellen (20) eines Halbleiterkörpers (10), der eine Vorderseite (10-1) und eine Rückseite (10-2) aufweist, wobei der Halbleiterkörper (10) Folgendes umfasst:- eine Drift-Region (101), die Dotierstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist; und- eine Body-Region (102), die Dotierstoffe eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, der komplementär zum ersten Leitfähigkeitstyp ist, wobei ein Übergang zwischen der Drift-Region (101) und der Body-Region (102) eine pn-Sperrschicht (103) bildet;- Erzeugen (21) eines Kontaktlochs (102-1) im Halbleiterkörper (10), wobei sich das Kontaktloch (102-1) in die Body-Region (102), entlang einer vertikalen Richtung (Z), die von der Vorderseite (10-1) zur Rückseite (10-2) weist, hinein erstreckt; und- Füllen (22) des Kontaktlochs (102-1) zumindest teilweise durch epitaxiales Wachsenlassen eines Halbleitermaterials (102-2) innerhalb des Kontaktlochs (102-1), worin das Halbleitermaterial (102-2) Dotierstoffe des zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist; worin eine Dotierstoffkonzentration des epitaxial gewachsenen Halbleitermaterials (102-2) niedriger als ein Maximum der Dotierstoffkonzentration der Body-Region (102) außerhalb des Kontaktlochs (102-1) ist.

    Leistungshalbleitertransistor, Verfahren zum Verarbeiten eines Leistungshalbleitertransistors und Verfahren zum Produzieren eines Leistungshalbleitertransistors
    6.
    发明专利
    Leistungshalbleitertransistor, Verfahren zum Verarbeiten eines Leistungshalbleitertransistors und Verfahren zum Produzieren eines Leistungshalbleitertransistors 未知

    公开(公告)号：DE102018123439B4

    公开(公告)日：2020-04-23

    申请号：DE102018123439

    申请日：2018-09-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： FELSL HANS-PETER ,  JELINEK MORIZ ,  KOMARNITSKYY VOLODYMYR ,  SCHRAML KONRAD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

    IPC: H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: Ein Leistungshalbleitertransistor (1) umfasst Folgendes: einen Halbleiterkörper (10), der eine Vorderseite (10-1) und eine Rückseite (10-2) mit einer Rückseitenoberfläche (10-20) aufweist, wobei der Halbleiterkörper (10) ein Driftgebiet (100) eines ersten Leitfähigkeitstyps und ein Feldstoppgebiet (105) des ersten Leitfähigkeitstyps beinhaltet, das Feldstoppgebiet (105) zwischen dem Driftgebiet (100) und der Rückseite (10-2) angeordnet ist und in einem Querschnitt entlang einer vertikalen Richtung (Z), die von der Rückseite (10-2) zu der Vorderseite (10-1) zeigt, ein Konzentrationsprofil von Donatoren des ersten Leitfähigkeitstyps umfasst, das Folgendes aufweist: ein erstes lokales Maximum (1051) bei einem ersten Abstand (d1) von der Rückseitenoberfläche (10-20), eine vordere Breite bei halbem Maximum (B), die mit dem ersten lokalen Maximum (1051) assoziiert ist, und eine hintere Breite bei halbem Maximum (A), die mit dem ersten lokalen Maximum (1051) assoziiert ist, wobei die vordere Breite bei halbem Maximum (B) kleiner als Hälfte der hinteren Breite bei halbem Maximum (A) ist und wenigstens 8 % des ersten Abstands (d1) beträgt. Dabei beträgt ein Integral des Donatorkonzentrationsprofils in dem Feldstoppgebiet (105) wenigstens 20% einer Durchbruchsladung, die spezifisch für das Material des Halbleiterkörpers (10) ist.

    HALBLEITERBAUELEMENT
    7.
    发明专利
    HALBLEITERBAUELEMENT 未知

    公开(公告)号：DE102017116574A1

    公开(公告)日：2019-01-24

    申请号：DE102017116574

    申请日：2017-07-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAUER JOSEF-GEORG ,  HUMBEL OLIVER ,  KARLOVSKY KAMIL ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  KOMARNITSKYY VOLODYMYR ,  MILLONIG HANS ,  PLAPPERT MATHIAS ,  PRELLER FALKO ,  UNTERMOSER HEINZ

    IPC: H01L21/60 ,  H01L23/50

    Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements umfasst Bilden einer Bondpadmaterialschicht mit einer Reliefoberfläche, die eine Vertiefung zwischen Erhöhungen umfasst. Das Verfahren umfasst Abscheiden eines Hartmaterials in der Vertiefung. Ferner umfasst das Verfahren Abscheiden einer homogenen Schicht auf einer an den Erhöhungen durch die Bondpadmaterialschicht und an der Vertiefung durch das Hartmaterial gebildeten Abscheidungsfläche. Ein Halbleiter-Die einen aktiven Bereich, der eine Schaltungsstrukturschicht mit einer Reliefkontur, die einer anderen Materialschicht oben auf der Strukturschicht zugekehrt ist, umfasst. Die Reliefkontur umfasst eine Vertiefung zwischen Erhöhungen. Ein Grund der Vertiefung ist durch ein Hartmaterial bedeckt.

    Halbleitervorrichtung mit reduzierter Emitter-Effizienz
    8.
    发明专利
    Halbleitervorrichtung mit reduzierter Emitter-Effizienz 未知

    公开(公告)号：DE102015210923A1

    公开(公告)日：2016-12-15

    申请号：DE102015210923

    申请日：2015-06-15

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： WAGNER WOLFGANG ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  KOMARNITSKYY VOLODYMYR

    IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

    Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung (1) wird präsentiert. Das Verfahren (2) umfasst das Bereitstellen (20) eines Halbleiterkörpers (10), der eine Vorderseite 10-1 und eine Rückseite (10-2) aufweist, worin der Halbleiterkörper (10) eine Drift-Region (101), die Dotierstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist, und eine Body-Region (102), die Dotierstoffe eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, der komplementär zum ersten Leitfähigkeitstyps ist, umfasst, wobei ein Übergang zwischen der Drift-Region (101) und der Body-Region (102) eine pn-Sperrschicht (103) bildet. Das Verfahren (2) umfasst ferner: das Erzeugen (21) eines Kontaktlochs (102-1) im Halbleiterkörper (10), wobei sich das Kontaktloch (102-1) in die Body-Region (102), entlang einer vertikalen Richtung (Z), die von der Vorderseite (10-1) zur Rückseite (10-2) weist, hinein erstreckt; und das Füllen (22) des Kontaktlochs (102-1) zumindest teilweise durch epitaxiales Wachsenlassen eines Halbleitermaterials (102-2) innerhalb des Kontaktlochs (102-1), worin das Halbleitermaterial (102-2) Dotierstoffe des zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist.

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