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11.发明申请VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开生产光电子半导体芯片和光电子半导体芯片的方法
公开(公告)号：WO2017097597A1
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：PCT/EP2016/078663
申请日：2016-11-24
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： AVRAMESCU, Adrian Stefan , LUGAUER, Hans-Jürgen , VARGHESE, Tansen , SCHIMPKE, Tilman
Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von LEDs eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen einer Aufwachsfläche (20), B) Wachsen einer Vielzahl von Halbleitersäulen (3) auf der Aufwachsfläche (20), wobei die Halbleitersäulen (3) quer zur Aufwachsfläche (20) orientierte Seitenflächen (32) und der Aufwachsfläche (20) abgewandte Oberseiten (33) aufweisen, C) Wachsen von Halbleiterumhüllungen (4) an den Halbleitersäulen (3), sodass die Halbleiterumhüllungen (4) die Seitenflächen (32) überwachsen, als Pyramiden geformt und eineindeutig den Halbleitersäulen (3) zugeordnet werden, D) Wachsen einer zur Strahlungserzeugung eingerichteten aktiven Zone (5) und einer dotierten Halbleiterschicht (6) auf die Halbleiterumhüllungen (4), sodass die aktive Zone (5) und die dotierte Halbleiterschicht (6) eine Oberseite (40) der Halbleiterumhüllungen (4) nachbilden, und E) Aufbringen einer lichtdurchlässigen Elektrodenschicht (7) auf die dotierte Halbleiterschicht (6).
Abstract translation:
在一个示例性导航用途货币形式，用于生产LED的方法被布置并包括以下步骤：A）提供Aufwachsfl BEAR表面（20），B）生长多个半导体BEAR柱（3）的 面向Seitenfl＆AUML枝（20）;所述Aufwachsfl BEAR表面（20），其中，所述半导体BEAR支柱（3）横向于Aufwachsfl BEAR包括表面（20）从上侧面背对（33），C）生长陈（32）和所述Aufwachsfl＆AUML Halbleiterumh导航用途馅料（4）到半导体BEAR支柱（3），使得Halbleiterumh导航用途馅料（4）Seitenfl＆AUML;陈（32）导航用途杂草丛生形状如金字塔和明确的半导体BEAR被分配柱（3），d ）生长用于产生辐射活性区（5），并且在Halbleiterumh导航用途馅料（6）的掺杂半导体层（4）成立，使得活性区（5）和（6），其具有Halbleiterumh导航用途馅料的顶部（40）的掺杂半导体层 （4）效仿，E）Aufbrin 在掺杂半导体层（6）上形成半透明电极层（7）
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公开(公告)号：WO2015055500A1
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：PCT/EP2014/071651
申请日：2014-10-09
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： AVRAMESCU, Adrian Stefan , WURM, Teresa , RISTIC, Jelena , GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/04 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/2009 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S5/34333
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) beschrieben, umfassend einen auf einem Nitridverbindungshalbleiter basierenden Schichtenstapel, der einen n-Typ-Halbleiterbereich (6), einen p-Typ-Halbleiterbereich (8) und eine zwischen dem n-Typ- Halbleiterbereich (6) und dem p-Typ Halbleiterbereich (8) angeordnete aktive Schicht (7) aufweist. Der p-Typ Halbleiterbereich (8) weist zur Ausbildung einer Elektronenbarriere eine Schichtenfolge (13) mit mehreren p- dotierten Schichten (1, 2, 3, 4) aus A1 X In y Ga 1-x-y N mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 auf, wobei die Schichtenfolge (13) eine erste p-dotierte Schicht (1) mit einem Aluminiumanteil x1 ≥ 0,5 und einer Dicke von nicht mehr als 3 nm aufweist, und derersten p-dotierten Schicht (1) an einer von der aktiven Schicht (7) abgewandten Seite mindestens eine zweite p-dotierte Schicht (2) mit einem Aluminiumanteil x2
Abstract translation: 它被描述，其包括的光电子半导体器件（10），基于具有n型半导体区域的氮化物化合物半导体层堆叠体（6）上，p型半导体区域（8）和所述n型半导体区域（6）之间 并具有布置在所述p型半导体区域（8）活性层（7）。 所述p型半导体区域（8）具有用于形成具有多个p型掺杂层的电子屏障，层序列（13）（1，2，3，4）从A1XInyGa1-X-Y n，其中0≤X≤1，0≤ÿ≤ 1并且x + y≤1，其中在层序列（13）包括（1）具有的铝含量X1≥0.5且厚度不大于3nm的，并且所述第一p型掺杂层（第一p掺杂层 按照1）至（通过与铝含量X2
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公开(公告)号：WO2010108767A1
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：PCT/EP2010/052714
申请日：2010-03-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHILLGALIES, Marc , LELL, Alfred , DINI, Dimitri , AVRAMESCU, Adrian Stefan , EICHLER, Christoph , QUEREN, Désirée , LERMER, Teresa
Inventor： SCHILLGALIES, Marc , LELL, Alfred , DINI, Dimitri , AVRAMESCU, Adrian Stefan , EICHLER, Christoph , QUEREN, Désirée , LERMER, Teresa
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0421 , H01S5/0601 , H01S5/2009 , H01S5/2022 , H01S5/221 , H01S5/2214 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/3063 , H01S5/3095 , H01S5/34333
Abstract: Vorliegend wird eine Halbleiterlaservorrichtung (1) angegeben. Diese umfasst einen ersten Bereich (2), einen zweiten Bereich, der eine ebene Region (4f) und eine aus der ebenen Region herausragende Region (4g) aufweist, und einen aktiven Bereich (3), der zwischen dem ersten (2) und dem zweiten Bereich angeordnet ist, wobei eine Deckschicht (5, 5a, 5b), die ein Halbleitermaterial oder ein transparentes leitendes Oxid enthält, zumindest bereichsweise direkt auf der herausragenden Region (4g) angeordnet ist und die herausragende Region (4g) lateral überragt.
Abstract translation: 在当前情况下，一个半导体激光元件（1）中指定。 这包括第一区域（2），其具有的平面区域（4F）和伸出该平面区域的区域（4G）的第二部分，并且所述第一（2）和之间的有源区（3） 所述第二区域被布置，其特征在于，覆盖层（5，5A，5B），其中包含一个半导体材料或透明导电氧化物，至少在所述突出区域（4G）直接部分，并且这些突出的区域（4G）横向地突出超过。
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14.发明申请VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开制造各种光电子半导体芯片和光电子半导体芯片的方法
公开(公告)号：WO2009112020A2
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：PCT/DE2009/000332
申请日：2009-03-09
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , STRASSBURG, Martin , AVRAMESCU, Adrian Stefan
Inventor： ENGL, Karl , STRASSBURG, Martin , AVRAMESCU, Adrian Stefan
IPC: H01L25/075 , H01L33/00
CPC classification number: H01L25/0756 , H01L31/1864 , H01L31/1892 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/18 , H01L33/325 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips mit vergrabener p-Seite, aufweisend die folgenden Verfahrensschritte angegeben: a) Herstellen eines Wafers (1, 2, 3) mit einer Halbleiterschichtenfolge (100, 200, 300), die eine n-dotierte Schicht (12, 22, 32), eine aktive Schicht (13, 23, 33) und eine p-dotierte Schicht (14, 24, 34) umfasst, wobei die aktive Schicht zwischen der n-dotierten Schicht und der p-dotierten Schicht angeordnet ist und die p-dotierte Schicht freigelegt ist, b) elektrisches Aktivieren der Akzeptoren in der freigelegten p-dotierten Schicht (14, 24, 34) durch ein thermisches Aktivierungsverfahren, c) Abdecken der p-dotierten Schicht (14, 24, 34), und d) Vereinzeln des Wafers (1, 2, 3) in eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips.
Abstract translation:
一种用于制备光电子半导体芯片的多个具有掩埋p侧，其包括下列方法步骤的方法表示：a）制备一个晶片（1，2，3），其具有半导体层序列（100，200 ，300），n型掺杂层（12，22，32），有源层（13，23，33）和p掺杂层（14，24，其包括34），其特征在于，所述n之间的有源层 掺杂层和p掺杂层被布置和p掺杂层被暴露，b），其电激活所述暴露的p掺杂层（）通过热活化方法的受体14，24，34，C）覆盖p （14,24,34），和d）将晶片（1,2,3）分割成多个光电子半导体芯片。
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公开(公告)号：WO2009036730A3
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：PCT/DE2008/001445
申请日：2008-08-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHILLGALIES, Marc , RUMBOLZ, Christian , EICHLER, Christoph , LELL, Alfred , AVRAMESCU, Adrian Stefan , BRÜDERL, Georg , STRAUSS, Uwe
Inventor： SCHILLGALIES, Marc , RUMBOLZ, Christian , EICHLER, Christoph , LELL, Alfred , AVRAMESCU, Adrian Stefan , BRÜDERL, Georg , STRAUSS, Uwe
Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, der eine strahlungsemittierende Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Zone (120) aufweist. Die aktive Zone enthält eine erste Quantentopfschicht (3), eine zweite Quantentopfschicht (4) und zwei Abschluss-Barriereschichten (51). Die erste Quantentopfschicht und die zweite Quantentopfschicht sind zwischen den zwei Abschluss-Barriereschichten angeordnet. Die aktive Zone weist ein Halbleitermaterial auf, das mindestens eine erste und eine zweite Komponente enthält. Der Anteil der ersten Komponente in dem Halbleitermaterial der zwei Abschluss-Barriereschichten ist geringer als in der ersten und der zweiten Quantentopfschicht. Die zweite Quantentopfschicht weist im Vergleich zur ersten Quantentopfschicht entweder eine geringere Schichtdicke und einen größeren Anteil der ersten Komponente des Halbleitermaterials oder eine größere oder die gleiche Schichtdicke und einen geringeren Anteil der ersten Komponente des Halbleitermaterials auf.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：EP2111650B1
公开(公告)日：2018-03-07
申请号：EP08706791.4
申请日：2008-01-23
Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Inventor： EICHLER, Christoph , STRAUSS, Uwe , AVRAMESCU, Adrian Stefan
CPC classification number: H01L33/02 , H01L21/28575 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L2933/0083
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公开(公告)号：WO2023006378A1
公开(公告)日：2023-02-02
申请号：PCT/EP2022/068915
申请日：2022-07-07
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KUELLER, Viola Miran , AVRAMESCU, Adrian Stefan , LUGAUER, Hans-Jürgen , HOFFMANN, Marc , WAAG, Andreas , PETERS, Lukas , MARGENFELD, Christoph
IPC: H01L21/02
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Aufwachssubstrats angegeben, das die folgenden Schritte umfasst: - Bereitstellen eines Substrats (2) mit einer Hauptfläche, - Anordnen einer Schichtenfolge (3) auf der Hauptfläche des Substrats (2), wobei die Schichtenfolge (3) zumindest eine Halbleiterschicht (4) aufweist, die ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial umfasst, und - Glühen der Schichtenfolge (3) auf dem Substrat (2), wobei die Schichtenfolge (2) zumindest eine Zwischenschicht (5) umfasst und/oder eine Deckschicht (5) auf der Schichtenfolge (2) angeordnet ist. Es wird weiterhin ein Aufwachssubstrat angegeben.
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公开(公告)号：WO2022248301A1
公开(公告)日：2022-12-01
申请号：PCT/EP2022/063415
申请日：2022-05-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HALBRITTER, Hubert , AVRAMESCU, Adrian Stefan , KREINER, Laura , JENTZSCH, Bruno , GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro
Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst eine Stapelanordnung, welche einen photonischen Kristall (1) und ein Verstärkungsmedium (3) aufweist. Das Verstärkungsmedium umfasst eine Schichtenabfolge aus wenigstens zwei Quantentöpfen (30) und wenigstens einer Tunneldiode (31) und ist dazu eingerichtet, eine elektromagnetische Welle zu emittieren. Der photonische Kristall ist elektromagnetisch mit dem Verstärkungsmedium gekoppelt. Die Stapelanordnung ist auf einem Substrat (5) angeordnet. Alternativ oder zusätzlich umfasst das Verstärkungsmedium wenigstens einen Quantentopf. Der photonische Kristall ist in einer dielektrischen Schicht strukturiert und elektromagnetisch mit dem Verstärkungsmedium gekoppelt.
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19.发明申请
公开(公告)号：WO2020007920A1
公开(公告)日：2020-01-09
申请号：PCT/EP2019/067863
申请日：2019-07-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2), und B) Wachsen einer Vielzahl von lichtemittierenden Halbleitersäulen (3) an dem Aufwachssubstrat (2), wobei - ein mittlerer Durchmesser der Halbleitersäulen (3) bei höchstens 1µm liegt, - eine erste Gruppe (31) und/oder eine zweite Gruppe (32) der Halbleitersäulen (3) an dem Aufwachssubstrat (2) aus einem III-Nitrid-Material gewachsen wird, und - eine dritte Gruppe (33) der Halbleitersäulen (3) an dem Aufwachssubstrat (2) aus oder mit einem III-Phosphid-Material gewachsen wird.
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公开(公告)号：WO2011128233A1
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：PCT/EP2011/055320
申请日：2011-04-06
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BREIDENASSEL, Andreas , AVRAMESCU, Adrian Stefan , LELL, Alfred , TAUTZ, Sönke
Inventor： BREIDENASSEL, Andreas , AVRAMESCU, Adrian Stefan , LELL, Alfred , TAUTZ, Sönke
CPC classification number: H01S5/0078 , H01S5/02212 , H01S5/02252 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0264 , H01S5/0286 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S2301/18
Abstract: Es wird eine Laserlichtquelle zur Abstrahlung von kohärenter elektromagnetischer Strahlung (10) mit einem vertikalen Fernfeldstrahlprofil (121) angegeben mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) zur Erzeugung der kohärenten elektromagnetischen Strahlung mit einem aktiven Bereich (3) auf einem Substrat (2), wobei die kohärente elektromagnetische Strahlung im Betrieb mindestens von einem Hauptemissionsbereich (5) einer Strahlungsauskoppelfläche (4) mit einer Abstrahlrichtung (11) abgestrahlt wird und die Strahlungsauskoppelfläche (4) durch eine Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge (1) gebildet ist, und einem Filterelement (13), das im Betrieb erzeugte kohärente elektromagnetische Strahlung (12), die von einem zum Hauptemissionsbereich (5) vertikal versetzten und räumlich getrennten Nebenemissionsbereich (6) der Strahlungsauskoppelfläche (4) abgestrahlt wird, im vertikalen Fernfeldstrahlprofil (121) unterdrückt.
Abstract translation: 它是用于发射具有用于（3）在基材上产生具有有源区相干的电磁辐射的半导体层序列（1）相干的电磁辐射（10）的激光的光源（2），其具有垂直远场光束轮廓（121），所述相干 从主发射区域至少在操作期间电磁辐射（5）辐射耦合的（4），其具有发射（11）照射并通过半导体层序列（1）的一个侧表面上的辐射（4）形成，并且在一个过滤器元件（13） 操作产生相干的电磁辐射（12）从一个垂直位移的主发光区域（5）和空间分离的子发射区域（6）的辐射（4）发出的在垂直远场光束轮廓（121）被抑制。
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