公开(公告)号：DE102013101532A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：DE102013101532

申请日：2013-02-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  GÖÖTZ BRITTA ,  DIRSCHERL GEORG ,  MÖNCH WOLFGANG ,  LINKOV ALEXANDER

IPC: F21V11/00 ,  H01L25/075 ,  H01L33/58

Abstract: Es umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen oder mehrere Leuchtdiodenchips (2). Der Leuschtdiodenchip (2) weist eine Strahlungshauptseite (20) auf. Eine Blende (3) weist zumindest eine relativ zu dem Leuchtdiodenchip (2) bewegliche Komponente auf. Die Blende (3) ist entlang einer Hauptabstrahlrichtung (M) des Leuchtdiodenchips (2) der Strahlungshauptseite (20) nachgeordnet. Die Blende (3) ist an oder in einem Bauteilgehäuse (4) angebracht. Es weist die Strahlungshauptseite (20) eine mittlere Kantenlänge von mindestens 50 μm auf. Durch ein Bewegen der zumindest einen Komponente lässt sich die Blende (3) von lichtundurchlässig auf lichtdurchlässig schalten. Es umfasst die Blende (3) genau einen Öffnungsbereich (30) zur Strahlungstransmission. Das Halbleiterbauteil (1) ist ferner ein Blitzlicht für ein mobiles Bildaufzeichnungsgerät.

公开(公告)号：DE102012108939A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：DE102012108939

申请日：2012-09-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIRSCHERL GEORG

IPC: C09K11/06 ,  H01L51/54

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement umfassend eine Schichtenfolge mit einer aktiven Schicht, die elektromagnetische Primärstrahlung emittiert und zumindest ein transparentes Auskoppelelement das im Strahlengang der elektromagnetischen Primärstrahlung angeordnet ist, angegeben. Das zumindest eine transparente Auskoppelelement umfasst ein Hybridmaterial oder ist aus einem Hybridmaterial hergestellt.

公开(公告)号：DE102017102477A1

公开(公告)日：2018-08-09

申请号：DE102017102477

申请日：2017-02-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIRSCHERL GEORG

IPC: H01L33/58 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  F21K9/60 ,  G02B1/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Auskoppelelements (1) für ein optoelektronisches Bauelement (100) mit den Schritten:A) Bereitstellen von Quantenpunkten (2) mit jeweils einem Kern (3), der ein Halbleitermaterial aufweist,B) Erzeugen einer Suspension (4), die die Quantenpunkte (2) in einem Suspensionsmittel (5) aufweist,C) direktes Aufbringen der Suspension (4) auf eine Oberfläche (1001) des optoelektronischen Bauelements (100) und/oder auf eine Oberfläche (61) eines Trägers (6), undD) Entfernen des Suspensionsmittels (5) zur Erzeugung des Auskoppelelements (1), das matrixfrei ist und transparent für Strahlung aus dem roten und/oder IR-Bereich ist.

公开(公告)号：DE102016103463A1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：DE102016103463

申请日：2016-02-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： O'BRIEN DAVID ,  DIRSCHERL GEORG

IPC: H01L33/50

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) umfassend einen Halbleiterchip (1), der zur Emission von Strahlung eingerichtet ist, ein Konversionselement (2), das Quantenpunkte (5) aufweist und die zur Wellenlängenkonversion von Strahlung eingerichtet sind, wobei das Konversionselement (2) eine Schichtstruktur (7) mit mehreren anorganischen Barriereschichten (31, 32, 33, 34) aufweist, wobei die anorganischen Barriereschichten (31, 32, 33, 34) durch ein Hybridpolymer (4) zumindest bereichsweise räumlich voneinander separiert sind, wobei das Hybridpolymer (4) organische und anorganische Bereiche aufweist, die kovalent miteinander verbunden sind, wobei die Quantenpunkte (5) in dem Hybridpolymer (4) und/oder zumindest in einer der Barriereschichten (31, 32, 33, 34) eingebettet sind.

公开(公告)号：DE102015121720A1

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：DE102015121720

申请日：2015-12-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIRSCHERL GEORG

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/00 ,  F21V9/16

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Konversionselement (4) umfassend Quantenpunkte (1), die zur Wellenlängenumwandlung von Strahlung eingerichtet sind, wobei die Quantenpunkte (1) jeweils eine Oberfläche (1d) aufweisen, wobei zumindest zwei Oberflächen (1d) benachbarter Quantenpunkte (1) über zumindest einen Linker (7) zur Beabstandung der Quantenpunkte (1) verbunden sind, so dass ein Netzwerk aus Quantenpunkten (1) und Linker (7) gebildet ist.

公开(公告)号：DE102015106658A1

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：DE102015106658

申请日：2015-04-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIRSCHERL GEORG ,  MALM NORWIN VON ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  HÖPPEL LUTZ

IPC: H01L33/56 ,  H01L21/56 ,  H01L23/28 ,  H01L33/50

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Das optoelektronische Bauelement umfasst eine Schichtenfolge mit einer aktiven Schicht, die dazu eingerichtet ist im Betrieb des Bauelements elektromagnetische Primärstrahlung zu emittieren und ein Verkapselungselement, das im Strahlengang der elektromagnetischen Primärstrahlung und über der Schichtenfolge angeordnet ist und das ein Matrixmaterial und Zeolith-Partikel umfasst.

公开(公告)号：DE112015000535A5

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：DE112015000535

申请日：2015-01-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS ,  LINKOV ALEXANDER ,  DIRSCHERL GEORG ,  GÖÖTZ BRITTA

IPC: H01L33/50 ,  H01L21/56 ,  H01L25/075 ,  H01L33/44 ,  H01L33/52 ,  H01S5/02

公开(公告)号：DE102013212247A1

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：DE102013212247

申请日：2013-06-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  STOLL ION ,  SCHWARZ THOMAS ,  RICHTER MARKUS ,  DIRSCHERL GEORG

IPC: H01L33/48 ,  H01L25/16

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip, der derart in einen Formkörper eingebettet ist, dass eine Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips zumindest teilweise nicht durch den Formkörper bedeckt ist. Auf einer Oberseite des Formkörpers ist eine erste Metallisierung angeordnet. Die erste Metallisierung ist elektrisch gegen den optoelektronischen Halbleiterchip isoliert. Auf der ersten Metallisierung ist ein erstes Material angeordnet.

公开(公告)号：DE102013101598A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：DE102013101598

申请日：2013-02-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIRSCHERL GEORG ,  LIN I-HSIN ,  KRÄUTER GERTRUD ,  MALM NORWIN VON

IPC: H01L33/44 ,  C08G77/62 ,  C09D183/08 ,  H01L21/56 ,  H01L33/38 ,  H01L33/52 ,  H01L51/56 ,  H01S5/028

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (100) mit den Schritten: – Bereitstellen eines Substrats (1), – Erzeugen eines Mehrschichtaufbaus mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) und einer Barriereschicht (3) auf dem Substrat (1), – wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist, – wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) eine dem Substrat (1) abgewandte Strahlungshauptseite (12) aufweist, – wobei die zumindest eine Barriereschicht (3) auf der Strahlungshauptseite (12) der Halbleiterschichtenfolge (2) oder auf zumindest einer Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge (2) oder innerhalb oder unterhalb der Halbleiterschichtenfolge (2) oder Kombinationen daraus aus einer Beschichtungsflüssigkeit erzeugt wird, welche Polysilazan oder deren Derivate und/oder eine Perhydropolysilazan oder deren Derivate umfasst.

公开(公告)号：DE102013101530A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：DE102013101530

申请日：2013-02-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  GÖÖTZ BRITTA ,  DIRSCHERL GEORG ,  MÖNCH WOLFGANG ,  LINKOV ALEXANDER

IPC: F21V11/00 ,  H01L25/075 ,  H01L33/58

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Leuchtdiodenchip (2) mit einer Strahlungshauptseite (20). Relativ zu dem Leuchtdiodenchip (2) unbeweglich ist der Strahlungshauptseite (20) entlang einer Hauptabstrahlrichtung (M) des Leuchtdiodenchips (2) eine Blende (3) ständig nachgeordnet. Die Blende (3) ist an oder in einem Bauteilgehäuse (4) angebracht. Die Strahlungshauptseite (20) weist eine mittlere Kantenlänge von mindestens 50 μm auf. Es ist die Blende (3) von lichtundurchlässig auf lichtdurchlässig schaltbar und umgekehrt. Die Blende (3) weist genau einen Öffnungsbereich (30) zur Strahlungstransmission auf. Es erstreckt sich die Blende (3) durchgehend und zusammenhängend über die Strahlungshauptseite (20).