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公开(公告)号：WO2015055346A9
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：PCT/EP2014068565
申请日：2014-09-02
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HÖPPEL LUTZ
CPC classification number: H01L25/167 , H01L27/0248 , H01L31/02002 , H01L31/02005 , H01L31/03044 , H01L31/1852 , H01L31/1876 , H01L33/0066 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0066
Abstract: The invention relates to a method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor components (1), comprising the following steps: a) providing a semiconductor layer sequence (2) having a plurality of semiconductor body regions (200); b) providing a plurality of carrier bodies (3), which each have a first contact structure (31) and a second contact structure (32); c) forming a composite (4) having the semiconductor layer sequence and the carrier bodies in such a way that adjacent carrier bodies are separated from one another by interspaces (35) and each semiconductor body area is electrically conductive connected to the first contact structure and the second contact structure of the associated carrier body; and d) separating the composite into the plurality of semiconductor components, wherein the semiconductor components each have a semiconductor body (20) and a carrier body. The invention further relates to an optoelectronic semiconductor component (1).
Abstract translation: 据说，包括以下步骤制造多个光电子半导体器件（1）的方法：a）提供（2），其具有半导体本体区域200）中的多个（半导体层序列; b包括）提供多个承载体（3）的每一个都具有第一接触结构（31）和一个第二接触结构（32）; c）形成接头（4）与所述半导体层序列和支撑体，使得相邻的承载体是由空间（35隔开），并且每个半导体本体区域中的一个导电连接到所述第一接触结构和相关联的支承体的第二接触结构; 以及d）复合成多个半导体装置中的分离，所述半导体器件各自具有半导体主体（20）和一个承载体。 此外，光电子半导体器件（1）中指定。
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公开(公告)号：WO2017036841A8
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/EP2016069813
申请日：2016-08-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN , KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA , HÖPPEL LUTZ , LEIRER CHRISTIAN
CPC classification number: H01L33/486 , H01L33/642
Abstract: Disclosed is an optoelectronic semiconductor component (100), comprising a semiconductor body (1), which has a semiconductor layer sequence (2), a carrier (10), which has a plastic and a first through-contact (11) and a second through-contact (12), a p-contact layer (6) and an n-contact layer (8, 8A), at least some regions of which are arranged between the carrier (10) and the semiconductor body (1), a metal reinforcing layer (14), at least some regions of which are arranged between the n-contact layer (8, 8A) and the carrier (10), wherein the metal reinforcing layer (14) is at least 5 μm thick, and at least one p-contact hole (7) which is arranged between the first through-contact (11) and the p-contact layer (6), wherein the p-contact hole (7) is at least 5 μm thick and at least some regions of said hole are surrounded by the reinforcing layer (14). Furthermore, an advantageous method for producing such an optoelectronic semiconductor component (100) is disclosed.
Abstract translation: 提供了一种包括具有半导体层序列的半导体主体（1）（2），载体（10），其具有塑料和通过（11）的第一和经由第二的光电子半导体器件（100）（12） 一个p型接触层（6），并且至少在所述载体（10）和半导体主体之间的区域（1）被布置成一个n型接触层（8，8A），金属加强层（14），其至少在n之间的区域 接触层（8，8A）和所述支撑件（10）布置，其中所述金属加强层（14）为至少5微米厚和至少一个p型接触衬套（7），设置在所述第一之间通过（11）和p 设置接触层（6），其中p接触衬套（7）至少5微米厚并且在横向方向上至少部分地被增强层（14）围绕。 此外，给出了用于制造这种光电子半导体部件（100）的有利方法。
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公开(公告)号：DE102021110089A1
公开(公告)日：2022-10-27
申请号：DE102021110089
申请日：2021-04-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HÖPPEL LUTZ
Abstract: Es wird ein Bauteil (10) mit einem Träger (1), zumindest einem Halbleiterchip (2), einer Zwischenschicht (3) und einer Deckschicht (4) angegeben, wobei- der Halbleiterchip (2), die Zwischenschicht (3) und die Deckschicht (4) auf dem Träger (1) angeordnet sind,- die Deckschicht (4) zumindest eine Kavität (40) aufweist, in der der Halbleiterchip (2) angeordnet ist,- die Zwischenschicht (3) entlang vertikaler Richtung bereichsweise zwischen dem Träger (1) und der Deckschicht (4) angeordnet ist, und- sich die Zwischenschicht (3) entlang lateraler Richtung in die Kavität (40) hinein erstreckt und an den Halbleiterchip (2) angrenzt.Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauteils (10) angegeben.
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公开(公告)号：DE112016003142A5
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：DE112016003142
申请日：2016-07-11
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN , HÖPPEL LUTZ
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公开(公告)号：DE102015115722A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：DE102015115722
申请日：2015-09-17
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HÖPPEL LUTZ , SABATHIL MATTHIAS , MALM NORWIN VON
IPC: H01L33/48 , H01L21/78 , H01L31/0203
Abstract: Es werden ein Träger (10) und ein optoelektronisches Bauelement (100) mit dem Träger (10) angegeben, wobei der Träger (10) einen Formkörper (5), zumindest einen Durchkontakt (41, 42) und eine Mehrzahl von Verstärkungsfasern (52) aufweist, wobei der Formkörper aus einem elektrisch isolierenden Formkörpermaterial (53) gebildet ist, der Durchkontakt aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet ist, und die Verstärkungsfasern eine mechanische Verbindung zwischen dem Formkörper und dem Durchkontakt vermitteln, indem die Verstärkungsfasern jeweils bereichsweise in dem Formkörper und bereichsweise in dem Durchkontakt angeordnet sind. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines Trägers oder eines Bauelements mit einem solchen Träger angegeben.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102015214228A1
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：DE102015214228
申请日：2015-07-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN , HÖPPEL LUTZ
IPC: H01L21/60 , H01L23/485 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L33/62
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben, bei dem ein Verbund aufweisend einen Halbleiterschichtenstapel und Anschlussschichten bereitgestellt wird, wobei ein Formkörpermaterial auf den Verbund zur Ausbildung eines Formkörpers aufgebracht wird, sodass der Formkörper die Anschlussschichten bedeckt. Es werden Ausnehmungen zur Freilegung der Anschlussschichten durch den Formkörper hindurch gebildet, woraufhin die Ausnehmungen mit einem elektrisch leitfähigen Material zur Bildung von Durchkontakten aufgefüllt werden. Des Weiteren wird ein Bauelement angegeben, das insbesondere durch ein solches Verfahren hergestellt wird, wobei der Formkörper einstückig ist und aus einem verpressten und/oder mit Fasern oder Füllstoffen verstärkten Formkörpermaterial ausgebildet ist.
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公开(公告)号：DE102014116935A1
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：DE102014116935
申请日：2014-11-19
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HÖPPEL LUTZ , MALM NORWIN VON
IPC: H01L33/36 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L33/46
Abstract: Es wird ein Bauelement mit einem Halbleiterkörper (2), einer ersten Metallschicht (3) und einer zweiten Metallschicht (4) angegeben, wobei – die erste Metallschicht zwischen dem Halbleiterkörper und der zweiten Metallschicht angeordnet ist, – der Halbleiterkörper eine erste Halbleiterschicht (21) auf einer der ersten Metallschicht abgewandten Seite, eine zweite Halbleiterschicht (22) auf einer der ersten Metallschicht zugewandten Seite und eine zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnete aktive Schicht (23) aufweist, – das Bauelement eine Durchkontaktierung (24) aufweist, die sich durch die zweite Halbleiterschicht und die aktive Schicht hindurch zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht erstreckt, – die zweite Metallschicht einen ersten Teilbereich (41) und einen von dem ersten Teilbereich durch einen Zwischenraum (40) lateral beabstandeten zweiten Teilbereich (42) aufweist, wobei der erste Teilbereich über die erste Metallschicht mit der Durchkontaktierung elektrisch verbunden ist, – und in Draufsicht die erste Metallschicht den Zwischenraum lateral vollständig bedeckt. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.
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公开(公告)号：DE102012110775A1
公开(公告)日：2014-05-15
申请号：DE102012110775
申请日：2012-11-09
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PFEUFFER ALEXANDER F , HÖPPEL LUTZ
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform weist der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (3) mit einer n-leitenden Schicht (31), einer p-leitenden Schicht (33) und einer dazwischen angeordneten aktiven Zone (33) auf. Die Halbleiterschichtenfolge (3) ist auf einem Träger (2) angeordnet. Eine erste Elektrode (4) ist zur Kontaktierung der n-leitenden Schicht (31) und eine zweite Elektrode (5) zur Kontaktierung der p-leitenden Schicht (33) eingerichtet. Eine elektrische Kontaktstelle (6) zur externen elektrischen Kontaktierung der zweiten Elektrode (5) befindet sich, in Draufsicht gesehen, neben der aktiven Zone (32) und an derselben Seite des Trägers (2) wie die Halbleiterschichtenfolge (3). Die erste Elektrode (4) weist einen flächigen ersten Bereich (41) und mindestens einen inselförmigen zweiten Bereich (42) auf. Der mindestens eine inselförmige zweite Bereich (42) reicht bis in die n-leitende Schicht (31). Die zweite Elektrode (5) umfasst als stromführende Schicht eine Silberschicht (51), die sich zwischen dem flächigen ersten Bereich (41) und der Halbleiterschichtenfolge (3) befindet und die ein Spiegel ist. Ein Quotient aus einer mittleren Dicke der Silberschicht (51) und einer mittleren Kantenlänge der Halbleiterschichtenfolge (3) liegt bei mindestens 2,5 × 10–4 und bei mindestens 80 nm.
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9.发明专利
公开(公告)号：DE102012108879A8
公开(公告)日：2014-05-15
申请号：DE102012108879
申请日：2012-09-20
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HÖPPEL LUTZ , PFEUFFER ALEXANDER F
IPC: H01L25/075 , H01L27/15 , H01L33/52
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公开(公告)号：DE112020002252A5
公开(公告)日：2022-01-27
申请号：DE112020002252
申请日：2020-05-06
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PFEUFFER ALEXANDER F , BERTHOLD TOBIAS , HÖPPEL LUTZ , MEYER TOBIAS , PERZLMAIER KORBINIAN
IPC: H01L33/62 , H01L31/0224 , H01L31/101
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