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    Optoelektronisches Halbleiterbauteil
    1.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102013101532B4

    公开(公告)日：2017-12-28

    申请号：DE102013101532

    申请日：2013-02-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  GÖÖTZ BRITTA ,  DIRSCHERL GEORG ,  MÖNCH WOLFGANG ,  LINKOV ALEXANDER

    IPC: F21V11/08 ,  H01L25/075 ,  H01L33/58

    Abstract: Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit – einem Leuchtdiodenchip (2) mit einer Strahlungshauptseite (20), – einer Blende (3), die zumindest eine relativ zum Leuchtdiodenchip (2) bewegliche Komponente umfasst, wobei die Blende der Strahlungshauptseite (20) entlang einer Hauptabstrahlrichtung (M) des Leuchtdiodenchips (2) nachgeordnet ist, und – einem Bauteilgehäuse (4), in oder an dem die Blende (3) angebracht ist, wobei – die Strahlungshauptseite (20) eine mittlere Kantenlänge von mindestens 50 μm aufweist, – die Blende (3) durch ein Bewegen der zumindest einen Komponente von lichtundurchlässig auf lichtdurchlässig, und umgekehrt, schaltbar ist, – die Blende (3) genau einen Öffnungsbereich (30) zur Strahlungstransmission aufweist, und – das Halbleiterbauteil (1) ein Blitzlicht für ein mobiles Bildaufzeichnungsgerät ist, – die Blende (3) als bewegliche Komponente eine lichtundurchlässige Flüssigkeit (36) aufweist und sich in geöffnetem Zustand der Blende (3) die Flüssigkeit (36) außerhalb des Öffnungsbereichs (30) in einem separaten Reservoir befindet und in geschlossenem Zustand die Flüssigkeit (36) in den Öffnungsbereich (30) gebracht wird, – die Flüssigkeit (36) durch das Anlegen einer elektrischen Spannung gesteuert wird, und – im Spektralbereich zwischen einschließlich 470 nm und 720 nm ein Reflexionsvermögen der Blende (3), wenn diese lichtundurchlässig geschaltet ist, von einem Reflexionsvermögen des Bauteilgehäuses (4) an der Blende (3) um höchstens 15 Prozentpunkte abweicht, gesehen von außerhalb des Halbleiterbauteils (1).

    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
    2.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102012109083A1

    公开(公告)日：2014-03-27

    申请号：DE102012109083

    申请日：2012-09-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： DIRSCHERL GEORG ,  WEGLEITER WALTER ,  SABATHIL MATTHIAS

    IPC: H01L33/50 ,  C09D147/00 ,  H01L33/44

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben umfassend eine Schichtenfolge mit einer aktiven Schicht, die elektromagnetische Primärstrahlung emittiert und ein Konversionselement, das im Strahlengang der elektromagnetischen Primärstrahlung und über der Schichtenfolge angeordnet ist und das Konverterpartikel umfasst. Die Konverterpartikel sind in dem Konversionselement verteilt und konvertieren zumindest teilweise die elektromagnetische Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung. Weiter ist eine Passivierungsschicht vorhanden, die das Konversionselement vollständig umhüllt und/oder das Konversionselement umfasst eine Matrix, in die die Konverterpartikel eingebettet sind, wobei die Passivierungsschicht und/oder die Matrix ein Polymer umfassen.

    LIGHT-EMITTING ARRANGEMENT AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING ARRANGEMENT
    6.
    发明申请
    LIGHT-EMITTING ARRANGEMENT AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING ARRANGEMENT 审中-公开
    发光装置和制造发光装置的方法

    公开(公告)号：WO2015113926A3

    公开(公告)日：2015-10-08

    申请号：PCT/EP2015051455

    申请日：2015-01-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SABATHIL MATTHIAS ,  LINKOV ALEXANDER ,  GÖÖTZ BRITTA ,  DIRSCHERL GEORG

    IPC: H01L33/44 ,  H01L33/50

    CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L25/50 ,  H01L31/173 ,  H01L33/44 ,  H01L33/504 ,  H01L33/508 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0091

    Abstract: The invention relates to a light-emitting arrangement, comprising - a radiation-emitting semiconductor chip (5) which, during operation, emits primary radiation (6) at least through one main emission surface (51), - a first conversion element (2), which absorbs part of the primary radiation (6) and emits secondary radiation (7), and - a deflection element (9) that brings about a direction change of at least part of the primary radiation (6), - the first conversion element (2) being arranged next to the radiation-emitting semiconductor chip (5) in a lateral direction, - the deflection element (9) guiding part of the primary radiation (6) onto the first conversion element (2), and - the light-emitting assembly, during operation, emitting mixed light (8) comprising the primary radiation (6) and the secondary radiation (7).

    Abstract translation: 它是设置有发光装置 - 发射辐射的半导体芯片（5），其在操作中至少发射从主发射表面（51）的初级辐射（6）， - 第一转换元件（2），其吸收初级辐射的部分（6）和 次级辐射（7）发射的， - 一个偏转元件（9），使至少所述初级辐射（6）在方向上的变化，其中的一部分 - 除了发射辐射的半导体芯片（5）的第1转换元件（2）在横向方向上布置， - 偏转元件（9）引导初级辐射（6）的至少一部分到所述第一转换元件（2），以及 - 在所述操作混合光的发光装置（8）包括初级辐射（6）和次级辐射（7）发射。

    LIGHT-EMITTING DIODE ASSEMBLY AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING DIODE ASSEMBLY
    7.
    发明申请
    LIGHT-EMITTING DIODE ASSEMBLY AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING DIODE ASSEMBLY 审中-公开
    LUMINESZENZDIODENANORDNUNG及其制造方法LUMINESZENZDIODENANORDNUNG

    公开(公告)号：WO2016170151A3

    公开(公告)日：2016-12-15

    申请号：PCT/EP2016059073

    申请日：2016-04-22

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SINGER FRANK ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  VON MALM NORWIN ,  DIRSCHERL GEORG

    IPC: H01L33/54 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56

    CPC classification number: H01L33/56 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005

    Abstract: The invention relates to a light-emitting diode assembly (1) having: at least one first light-emitting diode chip (2) with a first radiation output surface (3), the chip being designed to emit radiation via the radiation output surface (3); and at least one hybrid polymer (4) positioned in the beam path of the first light-emitting diode chip (2), the hybrid polymer (4) having organic and inorganic regions covalently bonded to one another and said hybrid polymer (4) being thermally- and/or radiation cross-linked. The first radiation output surface (3) and the hybrid polymer (4) are in direct mechanical contact.

    Abstract translation: 本发明涉及一种Lumineszenzdiodenanordnung（1），包括至少一个第一LED芯片（2），具有第一辐射出射表面（3），其被布置在所述辐射出射表面（3）上对辐射的发射，至少一个杂化聚合物（4），在第一的光束路径 LED芯片（2）布置，所述混合聚合物（4），其共价连接在一起的有机和无机的区域，所述混合聚合物（4）是热和/或通过辐射交联，所述第一辐射出射表面（3）和所述的杂化聚合物 （4）在直接机械接触。

    Verfahren zum Herstellen einer elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe und elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe
    10.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen einer elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe und elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe 未知

    公开(公告)号：DE102013205179A1

    公开(公告)日：2014-09-25

    申请号：DE102013205179

    申请日：2013-03-25

    Applicant: OSRAM GMBH ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  KALTENBACHER AXEL ,  WOLF MATTHIAS ,  DIRSCHERL GEORG

    IPC: H01L33/50 ,  H01L25/075 ,  H01L51/52

    Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen einer elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe bereitgestellt. Dabei wird ein Bauelementverbund (10) bereitgestellt, der elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelemente (12) aufweist, die im Bauelementverbund (10) körperlich miteinander gekoppelt sind. Zu den Bauelementen (12) wird jeweils mindestens eine bauelement-individuelle Eigenschaft ermittelt. Abhängig von den ermittelten Eigenschaften der Bauelemente (12) wird eine Strukturmaske (22) zum Bedecken der Bauelemente (12) im Bauelementverbund (10) ausgebildet, wobei die Strukturmaske (22) korrespondierend zu den Bauelementen (12) Strukturmaskenausnehmungen (24) aufweist, die abhängig von den Eigenschaften der entsprechenden Bauelemente (12) bauelement-individuell ausgebildet sind. Die Strukturmaskenausnehmungen (24) geben Leuchtstoffbereiche (26), die in den Strukturmaskenausnehmungen (24) freigelegt sind, auf den Bauelementen (12) vor. Auf die Leuchtstoffbereiche (26) der Bauelemente (12) werden Leuchtstoffschichten (28) ausgebildet. Die Strukturmaske (22) wird von dem Bauelementverbund (10) entfernt. Die Bauelemente (12) werden aus dem Bauelementverbund (10) vereinzelt, wobei eine Baugruppe von mindestens einem der vereinzelten Bauelemente (12) mit der entsprechenden darauf ausgebildeten Leuchtstoffschicht (28) gebildet ist.

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