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    METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR LAYERS
    1.
    发明申请
    METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR LAYERS 审中-公开
    程序半导体层的成长

    公开(公告)号：WO2016050605A3

    公开(公告)日：2016-05-26

    申请号：PCT/EP2015071996

    申请日：2015-09-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BEHRES ALEXANDER ,  LUGAUER HANS-JÜRGEN ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  BLEICHER THOMAS ,  LAUX HARALD ,  SABATHIL MATTHIAS

    IPC: H01L21/66 ,  C23C14/50 ,  C23C16/48 ,  C30B25/10 ,  C30B25/12 ,  C30B25/16 ,  H01L21/20 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

    CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C14/505 ,  C23C14/541 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/481 ,  C23C16/483 ,  C23C16/52 ,  C30B25/105 ,  C30B25/12 ,  C30B25/16 ,  C30B29/06 ,  C30B29/40 ,  H01L21/68771 ,  H01L22/12

    Abstract: Disclosed is a method for growing semiconductor layers. In a step A, a support (1) is provided. In a step B, at least one substrate (2) is placed onto the support (1). Then in a step C, a growing process is carried out in which a semiconductor layer sequence (20) is grown on a main side of the substrate (2) facing away from the support (1). The fully grown semiconductor layer sequence (20) emits electromagnetic radiation during the intended operation. In an additional step D, a temperature-measuring process is carried out in which a temperature profile (3) of the substrate (2) which is present in the substrate (2) during the growing process is determined. Additionally, a step E is carried out in which the support (1) and/or the substrate (2) are processed in a controlled manner prior to or during the growing process. As a result, the temperature in selected regions of the substrate (2) is changed and an emissions profile of the fully grown semiconductor layer sequence (20) is leveled out.

    Abstract translation: 公开了一种用于半导体层的生长的方法。 在这种情况下，在步骤A中，载体（1）设置。 在步骤B中，至少施加在所述支承件（1）的基板（2）。 此外，在步骤C中，生长过程中进行，其中从该衬底（2）的所述支承件（1）主侧背离的半导体层序列（20）生长。 在电磁辐射的正常操作所发出的准备生长半导体层序列（20）。 在进一步的步骤D中，进行的温度测量方法，其中所述基板（2）的温度分布（3），其在所述基板（2）的生长过程中发生被确定。 此外，执行步骤E中，其中所述载体（1）和/或所述衬底（2）被选择性地之前或在生长过程中进行处理。 其特征在于所述温度在所述基板（2）的选择区域改变并且平滑Emissionssprofil完全生长的半导体层序列（20）。

    LIGHT-EMITTING DIODE ASSEMBLY AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING DIODE ASSEMBLY
    2.
    发明申请
    LIGHT-EMITTING DIODE ASSEMBLY AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING DIODE ASSEMBLY 审中-公开
    LUMINESZENZDIODENANORDNUNG及其制造方法LUMINESZENZDIODENANORDNUNG

    公开(公告)号：WO2016170151A3

    公开(公告)日：2016-12-15

    申请号：PCT/EP2016059073

    申请日：2016-04-22

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SINGER FRANK ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  VON MALM NORWIN ,  DIRSCHERL GEORG

    IPC: H01L33/54 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56

    CPC classification number: H01L33/56 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005

    Abstract: The invention relates to a light-emitting diode assembly (1) having: at least one first light-emitting diode chip (2) with a first radiation output surface (3), the chip being designed to emit radiation via the radiation output surface (3); and at least one hybrid polymer (4) positioned in the beam path of the first light-emitting diode chip (2), the hybrid polymer (4) having organic and inorganic regions covalently bonded to one another and said hybrid polymer (4) being thermally- and/or radiation cross-linked. The first radiation output surface (3) and the hybrid polymer (4) are in direct mechanical contact.

    Abstract translation: 本发明涉及一种Lumineszenzdiodenanordnung（1），包括至少一个第一LED芯片（2），具有第一辐射出射表面（3），其被布置在所述辐射出射表面（3）上对辐射的发射，至少一个杂化聚合物（4），在第一的光束路径 LED芯片（2）布置，所述混合聚合物（4），其共价连接在一起的有机和无机的区域，所述混合聚合物（4）是热和/或通过辐射交联，所述第一辐射出射表面（3）和所述的杂化聚合物 （4）在直接机械接触。

    MODULARES MODUL
    3.
    发明专利
    MODULARES MODUL 未知

    公开(公告)号：DE102016112104A1

    公开(公告)日：2018-01-04

    申请号：DE102016112104

    申请日：2016-07-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHWARZ THOMAS ,  SINGER FRANK ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  ENGL KARL ,  MARTIN ALEXANDER

    IPC: G09F9/30 ,  G09F9/33 ,  H01L25/075 ,  H01L33/62

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Modul für eine Videowand mit lichtemittierenden Bauelementen, die auf einem Substrat angeordnet sind, wobei für jedes Bauelement eine Ansteuerschaltung zur selektiven Ansteuerung des Bauelementes auf dem Substrat vorgesehen ist, wobei Zeilenleitungen und Spaltenleitungen vorgesehen sind, wobei jede Ansteuerschaltung mit einer Zeilenleitung und mit einer Spaltenleitung verbunden ist, wobei jede Ansteuerschaltung mit Stromversorgungsleitungen verbunden ist, wobei das Substrat Durchkontaktierungen aufweist, um die Zeilenleitungen und die Spaltenleitungen auf eine Rückseite des Substrates zu führen. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Anordnung mit wenigstens zwei Modulen und Verfahren zum Herstellen einer Anordnung mit wenigstens zwei Modulen.

    Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und ein Bauelement
    5.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und ein Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102015214222A1

    公开(公告)日：2017-02-02

    申请号：DE102015214222

    申请日：2015-07-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  HÖPPEL LUTZ

    IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L33/62

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben, bei dem ein Verbund aufweisend einen Halbleiterschichtenstapel und Anschlussschichten bereitgestellt wird, wobei Durchkontakte auf den Anschlussschichten ausgebildet werden, bevor ein Formkörpermaterial auf den Verbund zur Ausbildung eines Formkörpers aufgebracht wird. Die Durchkontakte erstrecken sich dabei durch den Formkörper hindurch und sind von dem Formkörper vollumfänglich umschlossen, sodass der Formkörper und die Durchkontakte einen dauerhaft zusammenhängenden Träger bilden, der das herzustellende Bauelement mechanisch trägt. Des Weiteren wird ein Bauelement angegeben, das insbesondere durch ein solches Verfahren hergestellt wird, wobei die erste Anschlussschicht an einer Verbindungsebene mit dem ersten Durchkontakt einen gleichen oder größeren lateralen Querschnitt aufweist als der erste Durchkontakt und sowohl die erste Anschlussschicht als auch der erste Durchkontakt in lateralen Richtungen von dem Formkörper vollumfänglich umschlossen sind.

    Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Vorrichtung mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement
    8.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Vorrichtung mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE102014116512A1

    公开(公告)日：2016-05-12

    申请号：DE102014116512

    申请日：2014-11-12

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  PLÖSSL ANDREAS

    IPC: H01L23/60 ,  H01L33/62

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Emissionsbereich (3), der eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer ersten Halbleiterschicht (21), einer zweiten Halbleiterschicht (22) und einem zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordneten zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, und mit einem Schutzdiodenbereich (4) angegeben, wobei – das Halbleiterbauelement einen Kontakt (6) zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauelements (1) aufweist; – der Kontakt einen ersten Kontaktbereich (61) aufweist, der mit dem Emissionsbereich elektrisch leitend verbunden ist; – der Kontakt einen zweiten Kontaktbereich (62) aufweist, der von dem ersten Kontaktbereich beabstandet ist und mit dem Schutzdiodenbereich elektrisch leitend verbunden ist; und – der erste Kontaktbereich und der zweite Kontaktbereich mittels eines gemeinsamen Endes (95) einer Verbindungsleitung (9) extern elektrisch kontaktierbar sind. Weiterhin wird eine Vorrichtung mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement angegeben.

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