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    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
    14.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019238538A1

    公开(公告)日：2019-12-19

    申请号：PCT/EP2019/064865

    申请日：2019-06-06

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STOJETZ, Bernhard ,  EICHLER, Christoph ,  LELL, Alfred ,  GERHARD, Sven

    IPC: H01S5/04 ,  H01S5/026 ,  H01S5/183 ,  H01S5/323 ,  H01S5/40 ,  H01S5/42

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine Primärlichtquelle (11) und eine Sekundärlichtquelle (12). Die Primärlichtquelle (11) und die Sekundärlichtquelle (12) sind in dem Halbleiterbauteil (1) monolithisch integriert, sodass sich zwischen diesen ausschließlich kondensierte Materie befindet. Die Primärlichtquelle (11) umfasst einen ersten Resonator (11), der eine Halbleiterschichtenfolge (3) beinhaltet, die im Betrieb elektrisch gepumpt wird. Eine erste Resonatorachse (51) des ersten Resonators (21) ist parallel zu einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (3) orientiert. Die Primärlichtquelle (11) ist zur Erzeugung einer Pumplaserstrahlung (P) eingerichtet. Die Sekundärlichtquelle (12) umfasst ein Pumpmedium (4) zur Erzeugung einer Sekundärstrahlung (S) und das Pumpmedium (4) wird von der Pumplaserstrahlung (P) optisch gepumpt. Die erste Resonatorachse (51) weist an dem Pumpmedium (4) vorbei.

    VERFAHREN ZUM DURCHTRENNEN EINES EPITAKTISCH GEWACHSENEN HALBLEITERKÖRPERS UND HALBLEITERCHIP
    15.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM DURCHTRENNEN EINES EPITAKTISCH GEWACHSENEN HALBLEITERKÖRPERS UND HALBLEITERCHIP 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019215183A1

    公开(公告)日：2019-11-14

    申请号：PCT/EP2019/061726

    申请日：2019-05-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： NÄHLE, Lars ,  GERHARD, Sven

    IPC: H01L21/78

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum Durchtrennen eines epitaktisch gewachsenen Halbleiterkörpers angegeben, bei dem a) ein Aufwachssubstrat (2) bereitgestellt wird; b) mittels Ätzens mindestens ein Graben (20) in eine erste Hauptfläche (2a) des Aufwachssubstrats (2) eingebracht wird; c) an einer ersten Hauptfläche (2a) und im Graben (20) ein Halbleitermaterial epitaktisch abgeschieden wird, wobei ein Halbleiterkörper (1) entsteht, und der Halbleiterkörper den Graben (20) zumindest teilweise ausfüllt; und d) der Halbleiterkörper und das Aufwachssubstrat entlang der Haupterstreckungsrichtung des Grabens durchtrennt werden. Des Weiteren wird ein Halbleiterchip mit einer Deckfläche und Seitenflächen angegeben, bei dem die Seitenflächen jeweils einen abgeschrägten Abschnitt aufweisen, der an die Deckfläche angrenzt und dessen Oberfläche mittels Epitaxie erzeugt ist.

    HALBLEITERLICHTQUELLE
    16.
    发明申请
    HALBLEITERLICHTQUELLE 审中-公开
    半导体光源

    公开(公告)号：WO2017220325A1

    公开(公告)日：2017-12-28

    申请号：PCT/EP2017/063846

    申请日：2017-06-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： EICHLER, Christoph ,  GERHARD, Sven ,  LELL, Alfred ,  STOJETZ, Bernhard

    IPC: H01S5/22

    Abstract: Es umfasst die Halbleiterlichtquelle (1) einen Laser (2) und einen Leuchtstoff (3). Der Laser (2) umfasst einen Halbleiterkörper (21) mit einer aktiven Zone (22) zur Erzeugung von Laserstrahlung (L). In dem Laser (2) ist ein Resonator (23) mit Resonatorspiegeln (25) und mit einer Längsachse (24) ausgebildet. Die Laserstrahlung (L) wird im Betrieb längs der Längsachse (24) geführt und verstärkt. Die aktive Zone (22) befindet sich wenigstens zum Teil in dem Resonator (23). Der Leuchtstoff (3) ist spaltfrei optisch an den Resonator (23) gekoppelt, sodass in Richtung quer zur Längsachse (24) die Laserstrahlung (L) in den Leuchtstoff (3) gelangt und in eine Sekundärstrahlung (S) mit einer größeren Wellenlänge umgewandelt wird.

    Abstract translation:

    所述的半导体光源（1）包括一个激光（2）和磷光体（3）。 的激光器（2）包括Halbleiterk＆OUML;主体（21）具有用于产生激光辐射（L）的有源区（22）。 在激光（2）中，具有谐振腔反射镜（25）的谐振器（23），并与L＆AUML是，纵向轴线（24）形成。 激光辐射（L）是在操作L＆AUML; l BEAR纵向轴线（24）找到的导航使用HRT NGS和钢筋BEAR RKT。 有源区（22）位于所述腔（23）至少部分。 荧光体（3）的谐振器（23）耦接的自由光学耦合到间隙的表示，以使得横向于L＆在方向AUML;（3），并在到达纵向轴线（24），在所述发光材料的激光辐射（L）的二次BEAR rstrahlung（S）与 更大的波长被转换。

    HALBLEITERLASER UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES HALBLEITERLASERS SOWIE WAFER
    17.
    发明申请
    HALBLEITERLASER UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES HALBLEITERLASERS SOWIE WAFER 审中-公开
    半导体激光器和生产半导体激光器和晶片的方法

    公开(公告)号：WO2017077059A1

    公开(公告)日：2017-05-11

    申请号：PCT/EP2016/076705

    申请日：2016-11-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GERHARD, Sven ,  VIERHEILIG, Clemens ,  LOEFFLER, Andreas

    IPC: H01S5/02 ,  H01S5/22 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/042

    CPC classification number: H01S5/0202 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22

    Abstract: Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser, umfassend: - eine Halbleiterschichtenfolge mit zwei gegenüberliegenden, einen Resonator definierenden, Facetten und einer zwischen den beiden Facetten ausgebildeten aktiven Zone, - einen Stegwellenleiter, der aus der Halbleiterschichtenfolge als eine über der aktiven Zone liegenden Erhebung einer Oberseite der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet und mit seiner Längsachse entlang der aktiven Zone ausgerichtet ist, - eine Kontaktmetallisierung, die auf einer der aktiven Zone abgewandten Oberseite des Stegwellenleiters aufgebracht ist, und - eine Bestromungsschicht, die in direktem Kontakt mit der Kontaktmetallisierung steht, - wobei die Oberseite der Halbleiterschichtenfolge einen Abschnitt umfasst, der bezogen auf eine Längsachse des Stegwellenleiters über seine Breite an eine der beiden Facetten angrenzt, wobei der Abschnitt einen Unterabschnitt der Oberseite des Stegwellenleiters umfasst, wobei sich der Unterabschnitt bezogen auf die Längsachse des Stegwellenleiters über eine Breite des Stegwellenleiters an der einen der beiden Facetten angrenzend erstreckt, - wobei der Abschnitt frei von der Bestromungsschicht ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers sowie einen Wafer.

    Abstract translation:

    本发明涉及一种半导体激光器，包括： - 具有两个相对导航用途berliegenden的半导体层序列，限定谐振器端面和有源区的两个面之间形成的凹部中， - 包含在半导体层序列的作为一个脊形波导 与沿着所述有源区的纵向轴对齐 - 接触金属化，脊波导从有源区中的一个背向的顶部被施加，以及 - Bestromungsschicht在;形成位于在活性区使用其L- BEAR导航用途的半导体层序列的和上表面 与接触金属化的直接接触是， - 其中包括基于一个L＆AUML的部分半导体层序列的上表面;在所述两个面中的一个脊形波导在相邻其宽度的纵向轴线，其中，所述部分包括所述脊形波导的顶部的下部分，其中 他自己 该子部分邻近脊形波导的纵向轴线延伸，跨过与两个小面中的一个小面相邻的脊形波导的宽度，该部分没有激励层。 本发明还涉及用于制造半导体激光器和晶片的方法

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTES
    19.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTES 审中-公开
    光电子器件及其制造方法的光电子器件

    公开(公告)号：WO2016083246A1

    公开(公告)日：2016-06-02

    申请号：PCT/EP2015/077142

    申请日：2015-11-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GERHARD, Sven ,  LELL, Alfred

    IPC: H01S5/02 ,  H01L21/308

    CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/22

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einer Schichtstruktur (2) mit einer aktiven Zone (1) zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, wobei die aktive Zone in einer ersten Ebene angeordnet ist, wobei in die Oberfläche der Schichtstruktur eine Ausnehmung (6, 25) eingebracht ist, wobei die Ausnehmung an eine Endfläche (13) des Bauelementes angrenzt, wobei die Endfläche in einer zweiten Ebene angeordnet ist, wobei die zweite Ebene im Wesentlichen senkrecht zur ersten Ebene angeordnet ist, wobei die Ausnehmung eine Bodenfläche (9) und eine Seitenfläche (7, 8) aufweist, wobei die Seitenfläche im Wesentlichen senkrecht zur Endfläche angeordnet ist, wobei die Seitenfläche in einem Winkel geneigt ungleich 90° zu der ersten Ebene der aktiven Zone angeordnet ist, wobei die Bodenfläche im Bereich der ersten Ebene der aktiven Zone angeordnet ist.

    Abstract translation: 本发明涉及一种具有层结构（2）具有用于产生电磁辐射，其中，所述有源区被布置在第一平面中，其中，在所述层结构的表面的凹部（6，25）的有源区（1）的光电元件被引入 是，其中，所述凹口邻近所述部件，其中所述端面配置在第二平面内的端面（13），所述基本上设置成垂直于所述第一平面，第二平面，其中，所述凹部（底表面（9）和一个侧表面 7，8），其中所述侧表面基本上垂直地配置的端面上，其中所述侧表面的角度倾斜设置等于90°到有源区，其中所述底表面被布置在所述有源区的所述第一平面的区域的所述第一平面 ，

    ALGAINN HALBLEITERLASER MIT EINEM MESA UND VERBESSERTER STROMFÜHRUNG
    20.
    发明申请
    ALGAINN HALBLEITERLASER MIT EINEM MESA UND VERBESSERTER STROMFÜHRUNG 审中-公开
    与台面和电源管理有所改进的AlGaInN半导体激光器

    公开(公告)号：WO2014048687A1

    公开(公告)日：2014-04-03

    申请号：PCT/EP2013/068176

    申请日：2013-09-03

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： AVRAMESCU, Adrian Stefan ,  BRÜDERL, Georg ,  EICHLER, Christoph ,  GERHARD, Sven ,  WURM, Teresa ,  STRAUSS, Uwe

    IPC: H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01S5/32 ,  H01S5/30

    CPC classification number: H01S5/2031 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/209 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3215 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4031

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers und einen Halbleiterlaser (1) mit einer Schichtstruktur mit aufeinander angeordneten Schichten mit wenigstens folgender Schichtenfolge: a. Eine n-dotierte Mantelschicht (10), b. Eine dritte Wellenleiterschicht (11), c. Eine aktive Zone (6), in der Licht erzeugende Strukturen angeordnet sind, d. Eine zweite Wellenleiterschicht (13), e. Eine Blockierschicht (14), f. Eine erste Wellenleiterschicht (15), g. Eine p-dotierte Mantelschicht (16), wobei die erste, zweite und dritte Wellenleiterschicht (15, 13, 11) wenigstens AlxInyGa ( 1-x-y ) N aufweist, wobei x Werte zwischen 0 und 1 annehmen kann, wobei y Werte zwischen 0 und 1 annehmen kann, wobei eine Summe aus x und y Werte zwischen 0 und 1 annehmen kann, wobei die Blockierschicht (14) einen Al-Gehalt aufweist, der um wenigstens 2% größer ist als der Al-Gehalt der benachbarten ersten Wellenleiterschicht (15), wobei die Blockierschicht (14) eine Zunahme von Al-Gehalt von der ersten Wellenleiterschicht (15) in Richtung zur zweiten Wellenleiterschicht (13) aufweist, wobei die Schichtstruktur eine beidseitige Abstufung (9) aufweist, wobei die beidseitige Abstufung (9) auf der Höhe der Blockierschicht (14) angeordnet ist, so dass wenigstens ein Teil der Blockierschicht (14) oder die gesamte Blockierschicht (14) eine größere Breite als die erste Wellenleiterschicht (15) aufweist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterlasers.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造半导体激光器和具有布置成与至少以下层序列的连续层的层结构的半导体激光器（1）：一。 n型掺杂的包覆层（10）中，b。 第三波导层（11）中，c。 的有源区（6），在光结构产生排列，D。 第二波导层（13）中，e。 阻挡层（14）中，f。 第一波导层（15）中，g。 p掺杂包层（16），其中，所述第一，第二和第三波导层（15，13，11）具有至少AlxInyGa（1-XY）N，其中x可在0和1之间的0和之间的值，其中y值 1可以假设，其中，0和1之间的x和y值的总和可以采取，其中，所述阻挡层（14）具有的Al含量比相邻的第一波导层中的Al含量大至少2％（15） 其中，所述阻挡层（14）增加所述第二波导层（13）的方向上的第一波导层（15）的Al含量，其中所述层结构包括一个双面步骤（9），其中，所述可逆步骤（9）上的 阻挡层（14）的量被设置成使得至少所述阻挡层（14）或整个阻挡层（14）的一部分具有大于第一波导层（15）具有更大的宽度。 此外，本发明涉及一种用于制造半导体激光器的方法。

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