公开(公告)号：WO2020157149A1

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：PCT/EP2020/052191

申请日：2020-01-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUMHEINRICH, Thorsten ,  BEHRINGER, Martin ,  BIEBERSDORF, Andreas ,  BOSS, Ruth ,  BRANDL, Michael ,  BRICK, Peter ,  DROLET, Jean-Jaques ,  HALBRITTER, Hubert ,  KREINER, Laura ,  LANG, Erwin ,  LEBER, Andreas ,  MEYER, Tobias ,  PFEUFFER, Alexander ,  PHILIPPENS, Marc ,  RICHTER, Jens ,  SCHWARZ, Thomas ,  TA, Paul ,  VARGHESE, Tansen ,  WANG, Xue ,  WITTMANN, Sebastian ,  WUENSCHE, Julia ,  DIEKMANN, Karsten ,  ENGL, Karl ,  HERRMANN, Siegfried ,  HAHN, Berthold ,  ILLEK, Stefan ,  JENTZSCH, Bruno ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  PIETZONKA, Ines ,  RAUSCH, Andreas ,  REGAU, Kilian ,  RUEGHEIMER, Tilman ,  SCHWALENBERG, Simon ,  SOELL, Christopher ,  STAUSS, Peter ,  SUNDGREN, Petrus ,  VU, Hoa ,  WIESMANN, Christopher ,  BOGNER, Georg ,  HOERNER, Patrick ,  KLEMP, Christoph ,  MUELLER, Jens ,  NEVELING, Kerstin ,  PARK, Jong ,  RAFAEL, Christine ,  SINGER, Frank ,  CHAND, Kanishk ,  FEIX, Felix ,  MUELLER, Christian ,  RUMMEL, Eva-Maria ,  HEITZER, Nicole ,  ASSMANN, Marie ,  BERGER, Christian ,  KANEVCE, Ana

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/58 ,  G09G3/32 ,  H01L33/60 ,  H01L33/30 ,  H01L25/075

Abstract: Die Erfindung betrifft verschiedene Aspekte zu einer µ-LED oder einer µ-LED Anordnung für Augmented Reality oder Licht Anwendungen, hier insbesondere im Automotive Bereich. Dabei zeichnet sich die µ-LED durch besonders kleine Abmessungen im Bereich weniger µm aus.

公开(公告)号：WO2016037863A1

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：PCT/EP2015/069698

申请日：2015-08-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD, Sven ,  ADLHOCH, Thomas ,  VEIT, Thomas ,  LELL, Alfred ,  PFEIFFER, Joachim ,  MUELLER, Jens ,  EICHLER, Christoph

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/0202 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Laserchips (140) umfasst Schritte zum Bereitstellen einer Halbleiterscheibe (100) mit einer Oberseite (101) und einer Unterseite (102), wobei die Halbleiterscheibe eine Mehrzahl integrierter Laserdiodenstrukturen (141) aufweist, die entlang einer festgelegten Bruchrichtung (10) hintereinander angeordnet sind, zum Anlegen einer Mehrzahl von entlang der Bruchrichtung hintereinander angeordneten Vertiefungen (200) an der Oberseite der Halbleiterscheibe, wobei jede Vertiefung in Bruchrichtung aufeinander folgend eine vordere Begrenzungsfläche (210) und eine hintere Begrenzungsfläche (220) aufweist, wobei bei mindestens einer Vertiefung die hintere Begrenzungsfläche gegenüber der Oberseite der Halbleiterscheibe um einen Winkel zwischen 95° und 170° geneigt ist, und zum Brechen der Halbleiterscheibe in Bruchrichtung an einer senkrecht zur Oberseite der Halbleiterscheibe orientierten Bruchebene, die durch die Vertiefungen verläuft.

Abstract translation: 制造激光芯片（140）的方法，包括：提供具有顶部（101）和底部（102）的半导体晶片（100）的步骤，所述具有多个集成的激光二极管结构的（141）（沿着预定断裂方向10的半导体晶片 ）被布置成一个在另一个后面，对于在组分方向以下对半导体晶片的顶侧施加的多个沿依次布置的凹槽（200）的断裂方向，每个孔具有连续的前边界表面（210）和后边界表面（220），其中，至少 的凹部，所述后边界表面以一定角度倾斜，相对于半导体晶片的上表面95°和170°之间，且用于断开在断裂方向上的半导体晶片上的垂直于半导体晶片断裂面穿过孔的顶表面取向。

公开(公告)号：WO2020229043A2

公开(公告)日：2020-11-19

申请号：PCT/EP2020/058997

申请日：2020-03-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRINGER, Martin ,  BRICK, Peter ,  JENTZSCH, Bruno ,  KREINER, Laura ,  HAHN, Berthold ,  HALBRITTER, Hubert ,  VARGHESE, Tansen ,  WIESMANN, Christopher ,  MUELLER, Jens ,  MUELLER, Christian

IPC: H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/44 ,  H01L33/60 ,  H01L33/20 ,  H01L33/08 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/156

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit mindestens einem Halbleiterelement mit einer aktiven Zone vorgeschlagen, die zur 5 Erzeugung von Licht ausgebildet ist. das Bauelement umfasst einen dielektrischen Filter, der oberhalb einer ersten Hauptoberfläche des mindestens einen Halbleiterelements angeordnet ist und derart ausgebildet ist, dass er nur Licht in vorgebebenen Richtungen transmittiert, und ein reflektierendes Material, das an mindestens einer Seitenfläche des mindestens einen Halbleiterelements und an mindestens einer Seitenfläche des dielektrischen Filters angeordnet ist.

公开(公告)号：WO2016166235A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：PCT/EP2016/058255

申请日：2016-04-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KURZ, Christian ,  GERHARD, Sven ,  LOEFFLER, Andreas ,  MUELLER, Jens

IPC: H01L33/00 ,  H01L23/544 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/38 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2223/54493 ,  H01S5/02268

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit einer Begrenzungsschicht, einer Metallisierungsschicht und einem Halbleiterbauelement, wobei die Metallisierungsschicht auf dem Halbleiterbauelement und die Begrenzungsschicht auf der Metallisierungsschicht angeordnet ist, wobei die Begrenzungsschicht dazu dient, ein Reservoir für ein Markermaterial räumlich zumindest teilweise definiert festzulegen, wobei die Begrenzungsschicht und die Metallisierungsschicht einen identischen Werkstoff aufweisen.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有限制层，金属化层和半导体器件，其中所述半导体元件和所述约束层上的金属化层设置在所述金属化层上的布置，其中所述限制层的作用，以限定一个储存器用于在空间上限定的标记材料，至少部分地，其中所述限制层 和所述金属化层具有相同的材料。

公开(公告)号：WO2016075142A1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：PCT/EP2015/076217

申请日：2015-11-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MUELLER, Jens ,  HÖß, Christine ,  DENNEMARCK, Jens ,  KOLLER, Johann

IPC: H01L33/42 ,  H01S5/042 ,  H01S5/223

CPC classification number: H01L33/42 ,  G01R31/2635 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2231

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements, ein Verfahren zum Testen des Bauelements und das optoelektronische Bauelement, wobei die durch die aktive Zone (5,6) erzeugte elektromagnetische Strahlung in einer Führungsebene (19) geführt wird, wobei die elektromagnetische Strahlung im Wesentlichen in der Führungsebene (19) ausgegeben wird, wobei seitlich zur Führungsebene (19) die aktive Zone (5,6) eine Streustrahlung (12) abgibt, wobei eine elektrische Kontaktfläche (18) vorgesehen ist, wobei die Kontaktfläche (18) außerhalb der Führungsebene angeordnet ist, wobei die Kontaktfläche (18) durch eine Oberfläche (8) gebildet ist, die mit einer leitenden Schicht (9) wenigstens teilweise bedeckt ist, wobei die Oberfläche (9) geneigte Teilflächen (15) aufweist, wobei die elektrisch leitende Schicht (9) an wenigstens einer Teilmenge der geneigten Flächen der Kontaktfläche (18) so dünn ausgebildet ist, dass elektromagnetische Streustrahlung (12) über die Teilmenge der geneigten Flächen (15) austritt.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造光电组件，该组件和光电子器件的测试方法，的方法，所述由有源区中产生（5,6）中的引导面（19）电磁辐射被引导，其中，在所述电磁辐射 基本上是在所述导向平面（19）输出的，横向于导向平面（19），有源区（5,6）写一个散射辐射（12），其特征在于，提供了一种电接触表面（18），其特征在于，外侧的所述接触表面（18） 引导面被布置，其中，所述接触表面（18）由表面（8），（9）上设置有导电层至少部分地覆盖所述表面（9）具有倾斜面（15），其中，所述导电层形成 （9）至少在接触表面的倾斜面的一个子集（18）被形成很薄以致电磁Streustrahlu 纳克（12）离开，通过倾斜表面（15）的子集。

公开(公告)号：WO2016131912A1

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：PCT/EP2016/053448

申请日：2016-02-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MUELLER, Jens ,  STEPHAN, Christoph ,  WALTER, Robert ,  HARTAUER, Stefan ,  RUMBOLZ, Christian

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/2086 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/176

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen einer Oberfläche mit einem ersten Bereich (110) und einem an den ersten Bereich angrenzenden zweiten Bereich (120), zum Anordnen einer Opferschicht (200) über dem ersten Bereich der Oberfläche, zum Anordnen einer Passivierungsschicht (300) über der Opferschicht und dem zweiten Bereich der Oberfläche, zum Anlegen einer Öffnung (410) in der Passivierungsschicht über den ersten Bereich der Oberfläche und zum Entfernen der Opferschicht (200). Dazu kann noch eine Fotolackschicht (400) verwendet werden. Nach Maskieren und Ätzen der Opferschicht kann die verbliebene Fotolackschicht (400) und der Überstand der Passivierungsschicht (300) mechanisch über eine so gebildete Sollbruchstelle entfernt werden.

Abstract translation: 一种用于制造电子器件的方法包括提供具有第一区（110）和区域邻近于第一区域的第二区域（120），用于在所述表面的所述第一区域放置一个牺牲层（200）的表面的步骤，用于放置 钝化层（300）在所述牺牲层和所述表面，以产生在比该表面的第一区域中的钝化层中的开口（410）的第二区域和去除所述牺牲层（200）。 为了这个目的，仍然可以使用光致抗蚀剂层（400）。 掩蔽和牺牲层的蚀刻之后，剩余的光刻胶层（400）和所述钝化层（300）的上清液可以机械经由这样形成一个预定的断裂点移除。

公开(公告)号：WO2014173823A1

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：PCT/EP2014/057942

申请日：2014-04-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD, Sven ,  MUELLER, Jens ,  BRUEDERL, Georg

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/22 ,  H01S5/042

CPC classification number: H01S5/02272 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/176

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser mit einem Grundkörper (2) und einem auf dem Grundkörper angeordneten Streifenkörper (3), wobei der Grundkörper und der Streifenkörper aus Halbleitermaterial gebildet sind, wobei das Halbleitermaterial eine aktive Zone (4) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung aufweist, wobei auf einer Oberseite des Streifenkörpers eine erste Kontaktschicht (9) aufgebracht ist, wobei eine zweite Kontaktschicht (10 an wenigstens eine Seitenfläche des Streifenkörpers (11,12) und/ oder an wenigstens eine seitlich zum Streifenkörper angeordnete Oberseite des Grundkörpers (1,14) angrenzt, wobei die zweite Kontaktschicht (10) mit einer Wärmesenke (1) in Kontakt steht, wobei ein elektrischer Übergangswiderstand zwischen der zweiten Kontaktschicht (10) und dem Grundkörper (2) und/oder dem Streifenkörper (3) größer ist als der elektrische Übergangswiderstand zwischen der ersten Kontaktschicht (9) und dem Streifenkörper (3). Die erste Kontaktschicht kann eine Metallelektrode sein und die zweite Kontaktschicht ein Goldlot und durch diese Anordnung wird die Wärmeabfuhr zur Wärmesenke verbessert.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有基体的半导体激光器（2），并且布置在所述基条体（3），其中，所述基体和所述带体是半导体材料形成，所述具有活性区（4）的半导体材料，用于产生电磁辐射，其上 条主体的上表面，第一接触层（9）被施加，其中第二接触层（10至（带材本体的至少一个侧表面11,12）和/或至少一个横向布置在基体的带体上侧（1,14）是相邻的， 其中具有一个散热装置（1）的第二接触层（10）与所述第二接触层（10）和所述基体之间的电接触电阻（2）接触和/或条带主体（3）比之间的电接触电阻大 第一接触层（9）和所述条体。（3）第一Kontaktsch 层可以是金属电极和所述第二接触层和这种布置的金焊料，散热到热沉被改善。

公开(公告)号：EP3192135A1

公开(公告)日：2017-07-19

申请号：EP15760121.2

申请日：2015-08-27

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： GERHARD, Sven ,  ADLHOCH, Thomas ,  VEIT, Thomas ,  LELL, Alfred ,  PFEIFFER, Joachim ,  MUELLER, Jens ,  EICHLER, Christoph

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/0202 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201

Abstract: The invention relates to a method for producing a laser chip (140) comprising steps for providing a semiconductor wafer (100) having a top side (101) and a bottom side (102), wherein the semiconductor wafer has a plurality of integrated laser diode structures (141), which are arranged one after the other along a defined fracture direction (10), for creating a plurality of recesses (200) on the top side of the semiconductor wafer, which recesses are arranged one after the other along the fracture direction, wherein each recess has a front boundary surface (210) and a rear boundary surface (220) following one another in the fracture direction, wherein the rear boundary surface is tilted by an angle between 95° and 170° in relation to the top side of the semiconductor wafer in the case of at least one recess, and for fracturing the semiconductor wafer in the fracture direction at a fracture plane that is oriented perpendicularly to the top side of the semiconductor wafer and that extends through the recesses.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造激光芯片（140）的方法，其包括用于提供具有顶侧（101）和底侧（102）的半导体晶片（100）的步骤，其中所述半导体晶片具有多个集成激光二极管 （141），其沿着限定的断裂方向（10）一个接一个地布置，用于在所述半导体晶片的顶侧上形成多个凹部（200），所述凹部沿着所述断裂一个接一个地布置 其中每个凹部具有在断裂方向上彼此接连的前边界表面（210）和后边界表面（220），其中后边界表面相对于顶部倾斜95°与170°之间的角度 在半导体晶片的至少一个凹部的情况下，在断裂方向上在垂直于半导体晶片的顶面定向的断裂面处断裂半导体晶片， 穿过凹处。