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    STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL AN STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINEM STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIP
    11.
    发明申请
    STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL AN STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINEM STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIP 审中-公开
    发射辐射的半导体芯片，用于生产辐射发射半导体芯片和光电子器件的各种具有辐射发射半导体芯片

    公开(公告)号：WO2016055526A1

    公开(公告)日：2016-04-14

    申请号：PCT/EP2015/073162

    申请日：2015-10-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KÄMPF, Mathias ,  JEREBIC, Simon ,  NEUDECKER, Ingo ,  SPATH, Günter ,  HUBER, Michael ,  PERZLMAIER, Korbinian

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/20

    CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/0095

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung aussendet, angegeben. Die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (3)ist auf einem transparenten Träger (4) aufgebracht, wobei der Träger (4) eine der Halbleiterschichtenfolge (3) zugewandte erste Hauptfläche (8), eine der Halbleiterschichtenfolge (3) abgewandte zweite Hauptfläche (9) und eine zwischen der ersten Hauptfläche (8) und der zweiten Hauptfläche (9) angeordnete Seitenflanke (10) aufweist, und die Seitenflanke (10) eine Auskoppelstruktur aufweist, die gezielt aus Vereinzelungsspuren gebildet ist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterchips sowie ein Bauelement mit einem derartigen Halbleiterchip angegeben.

    Abstract translation: 它是一种发射辐射的半导体芯片（1）与在操作期间发射电磁辐射的外延半导体层序列（3），指示。 外延半导体层序列（3）是透明的载体（4）被施加，在其中，所述载体（4）具有的半导体层序列（3）面对的第一主面（8），一个半导体层序列（3）的面向远离第二主表面（9）和一个之间 具有第一主表面（8）和所述第二主表面（9）布置侧侧翼（10）和侧侧翼（10）具有一个输出耦合结构，这是专门由分离迹线形成。 它是用这样的半导体芯片，半导体芯片，以及一个部件的制造方法，其进一步指定。

    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES KONVERTERELEMENTS UND EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS, KONVERTERELEMENT UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    12.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES KONVERTERELEMENTS UND EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS, KONVERTERELEMENT UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    制造方法的转换器元件和光电子元件，转换器元件和光电子元件

    公开(公告)号：WO2015014875A1

    公开(公告)日：2015-02-05

    申请号：PCT/EP2014/066338

    申请日：2014-07-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： EICHENBERG, Boris ,  BRUNNER, Herbert ,  JEREBIC, Simon

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L2933/0041

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Konverterelements für ein optoelektronisches Bauelement umfasst Schritte zum Anordnen einer Mehrzahl von Konverterplättchen (200) auf einem Träger (100), zum Ausbilden eines Formkörpers (300), wobei die Konverterplättchen in den Formkörper eingebettet werden, wobei Oberseiten und Unterseiten der Konverterplättchen zumindest teilweise unbedeckt durch den Formkörper bleiben, und zum Verteilen des Formkörpers, um ein Konverterelement zu erhalten.

    Abstract translation: 一种用于制造转换器元件用于光电器件的方法包括在一支承件（100）设置多个转换片（200）的，用于形成模制体（300），其中，所述转换片嵌入在模制体的步骤，其特征在于，顶部和底部 转换片保持由成型体至少部分地覆盖，并且用于分配成形体，得到的转换器元件。

    HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
    15.
    发明申请
    HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
    半导体部件和方法的半导体元件

    公开(公告)号：WO2012010400A1

    公开(公告)日：2012-01-26

    申请号：PCT/EP2011/061137

    申请日：2011-07-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  JEREBIC, Simon ,  HEINEMANN, Erik ,  GÄRTNER, Christian ,  MARKYTAN, Ales

    Inventor： JEREBIC, Simon ,  HEINEMANN, Erik ,  GÄRTNER, Christian ,  MARKYTAN, Ales

    IPC: H01L33/46 ,  H01L33/60

    CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0025

    Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben, das zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) und einen Anschlussträger (5) mit einer Anschlussfläche (53), auf der der Halbleiterchip (2) angeordnet ist, aufweist. Auf dem Anschlussträger (5) ist eine Reflektorschicht (4) und eine Begrenzungsstruktur (3) ausgebildet ist, wobei die Begrenzungsstruktur (3) den Halbleiterchip (2) in lateraler Richtung zumindest bereichsweise umläuft und die Reflektorschicht (4) in lateraler Richtung zumindest bereichsweise zwischen einer Seitenfläche (21) des Halbleiterchips und der Begrenzungsstruktur (3) verläuft. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements angegeben.

    Abstract translation: 公开的是包含至少一个光电子半导体芯片（2）和（5），其具有在其上的半导体芯片（2）布置的连接面（53）的连接的载体，具有一个半导体器件（1）。 是连接载体（5）上的是反射层（4）和一容纳结构（3），其中，所述限制结构（3）至少包围所述半导体芯片（2）的区域中的横向方向上，并且所述反射器层（4）中至少在之间的区域的横向方向 所述半导体芯片和所述限制结构（3）的侧表面（21）。 此外，提供了一种制造半导体器件的方法。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL, DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN UND BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG
    16.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL, DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN UND BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020083692A1

    公开(公告)日：2020-04-30

    申请号：PCT/EP2019/077762

    申请日：2019-10-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SPATH, Günter ,  LEISEN, Daniel ,  JEREBIC, Simon ,  KIESSLING, Matthias

    IPC: H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/52 ,  H01L33/46

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauteil (1) angegeben, mit: - einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), der im Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung (P) von einer Strahlungsaustrittsfläche (3) aussendet, - einem Konversionselement (6), das Primärstrahlung (P) in elektromagnetische Sekundärstrahlung konvertiert, - einem ersten Verguss (8), der zumindest eine Seitenfläche des Halbleiterchips (5) bedeckt, und - einem Haftvermittler (10), mit dem das Konversionselement (6) auf der Strahlungsaustrittsfläche (3) des Halbleiterchips (2) befestigt ist, wobei - der Haftvermittler (10) auf einer Deckfläche des ersten Vergusses (9) angeordnet ist. Des Weiteren werden ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils und eine Beleuchtungsvorrichtung angegeben.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN
    17.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018158379A1

    公开(公告)日：2018-09-07

    申请号：PCT/EP2018/055068

    申请日：2018-03-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： JEREBIC, Simon

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/54 ,  H01L33/32 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50

    Abstract: In einer Ausführungsform weist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) die folgenden Schritte auf: A) Aufbringen von Strahlung emittierenden Halbleiterchips (3) auf einen Zwischenträger (2), wobei es sich bei den Halbleiterchips (3) um Volumenemitter handelt; B) Aufbringen eines strahlungsdurchlässigen Klarvergusses (4) direkt auf Chipseitenflächen (34), sodass eine Dicke des Klarvergusses (4) in Richtung weg von den Chipseitenflächen (34) monoton oder streng monoton abnimmt; C) Erzeugen eines Reflexionselements (5) gegenüber den Chipseitenflächen (34), sodass sich das Reflexionselement (5) und der Klarverguss (4) an einer den Chipseitenflächen (34) gegenüberliegenden Außenseite (44) des Klarvergusses (4) berühren; und D) Ablösen der Halbleiterchips (3) von dem Zwischenträger (2) und Anbringen der Halbleiterchips (3) jeweils auf einem Bauteilträger (6), sodass jeweilge Lichtaustrittshauptseiten (30) der Halbleiterchips (3) jeweils dem Bauteilträger (6) abgewandt sind, wobei der Schritt C) nach dem Schritt D) durchgeführt wird.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
    18.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    用于生产光电半导体器件和光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2015074824A1

    公开(公告)日：2015-05-28

    申请号：PCT/EP2014/072775

    申请日：2014-10-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MOOSBURGER, Jürgen ,  PINDL, Markus ,  JEREBIC, Simon ,  SINGER, Frank

    IPC: H01L31/0203 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L33/48 ,  H01L33/60 ,  H01L33/50

    CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L33/46 ,  H01L33/483 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0058

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100) angegeben, das folgende Schritte aufweist: a) Bereitstellen eines Hilfsträgers (2); b) Befestigen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (4) auf dem Hilfsträger (2), wobei die Halbleiterchips (4) in einer lateralen Richtung voneinander beabstandet sind; c) Ausbilden einer reflektierenden Schicht (6) zumindest in Bereichen (22) zwischen den Halbleiterchips (4); d) Ausbilden eines Gehäusekörperverbunds (8), der zumindest bereichsweise zwischen den Halbleiterchips (4) angeordnet ist; e) Entfernen des Hilfsträgers (2); und f) Vereinzeln des Gehäusekörperverbunds (8) in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100), wobei jedes optoelektronische Halbleiterbauelement (100) zumindest einen Halbleiterchip (4), einen Teil der reflektierenden Schicht (6) und einen Teil des Gehäusekörperverbunds (8) als Gehäusekörper (82) aufweist. Weiterhin wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) angegeben.

    Abstract translation: 一种用于制造规定的多个光电子半导体器件（100），包括以下步骤的方法：a）提供一辅助载体（2）; b）在安装所述辅助载体（2），其中所述半导体芯片（4）在横向方向上间隔开的多个半导体芯片（4）; c）形成至少在区域的半导体芯片（4）之间的反射层（6）（22）; 被布置d）形成的复合壳体主体（8），其至少部分地（在半导体芯片4之间）; e）移除所述辅助载体（2）; 和f）将所述外壳主体组件（8）（在多个光电子半导体器件100），每个光电子半导体器件（100）的至少一个半导体芯片（4），反射层（6）的一部分和壳体主体组件的一个部分（8）的 包括壳体主体（82）。 此外，光电子半导体器件（100）被指定。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR VEREINZELUNG VON HALBLEITERCHIPS
    19.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR VEREINZELUNG VON HALBLEITERCHIPS 审中-公开
    光电子半导体芯片，光电子器件和方法分离半导体CHIPS

    公开(公告)号：WO2015055647A1

    公开(公告)日：2015-04-23

    申请号：PCT/EP2014/072010

    申请日：2014-10-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KAEMPF, Mathias ,  JEREBIC, Simon ,  NEUDECKER, Ingo ,  SPATH, Günter ,  HUBER, Michael

    IPC: H01L33/20

    CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L24/32 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2933/0033

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Träger (2) und einem Halbleiterkörper (1) aufweisend eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (13) angegeben, bei dem der Träger (2) eine dem Halbleiterkörper zugewandte erste Hauptfläche (2A), eine dem Halbleiterkörper abgewandte zweite Hauptfläche (2B) und eine zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche angeordnete Seitenflanke (2C) aufweist. Der Träger (2) weist einen strukturierten Bereich (21, 22, 23, 2C) zur Vergrößerung einer Gesamtoberfläche der Seitenflanke auf, wobei der strukturierte Bereich Vereinzelungsspuren aufweist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend einen solchen Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Halbleiterchips angegeben.

    Abstract translation: 它具有特定的用于产生具有载波电磁辐射活性层（13），光电子半导体芯片（10）（2）和半导体主体（1），其特征在于，所述载体（2）的面向所述半导体主体的第一主表面的表面（2A） 具有面对与半导体本体的第二主表面（图2B），并且设置在所述第一主表面和第二主表面侧边缘（2C）之间离开的表面。 所述支撑件（2），以增加侧面的侧面，其中，所述具有纹理化区域分割迹线的总表面区域的图案化区域（21，22，23，2C）。 此外，光电子器件（100），其具有给定的这样的半导体芯片及其制造多个这样的半导体芯片的方法。

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