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    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
    2.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020115148A1

    公开(公告)日：2020-06-11

    申请号：PCT/EP2019/083702

    申请日：2019-12-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PORTEN, Pascal ,  KÄMPF, Mathias ,  ZENGER, Marcus

    IPC: H01L33/62

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) die folgenden Schritte: A) Bereitstellen eines Chipträgers (13), B) Erzeugen von Löchern (14) für elektrische Durchkontaktierungen im Chipträger (13), C) Erzeugen einer dünnen Metallisierung (21) in den Löchern (14), D) Verfüllen der metallisierten Löcher (14) mit einer Füllung (3) aus einem Kunststoff, und E) Anbringen von optoelektronischen HalbleiterChips (4) auf den metallisierten Löchern (14), sodass die HalbleiterChips (4) ohmsch leitend mit der zugehörigen Metallisierung (21) verbunden werden.

    STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL AN STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINEM STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIP
    4.
    发明申请
    STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL AN STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINEM STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIP 审中-公开
    发射辐射的半导体芯片，用于生产辐射发射半导体芯片和光电子器件的各种具有辐射发射半导体芯片

    公开(公告)号：WO2016055526A1

    公开(公告)日：2016-04-14

    申请号：PCT/EP2015/073162

    申请日：2015-10-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KÄMPF, Mathias ,  JEREBIC, Simon ,  NEUDECKER, Ingo ,  SPATH, Günter ,  HUBER, Michael ,  PERZLMAIER, Korbinian

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/20

    CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/0095

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung aussendet, angegeben. Die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (3)ist auf einem transparenten Träger (4) aufgebracht, wobei der Träger (4) eine der Halbleiterschichtenfolge (3) zugewandte erste Hauptfläche (8), eine der Halbleiterschichtenfolge (3) abgewandte zweite Hauptfläche (9) und eine zwischen der ersten Hauptfläche (8) und der zweiten Hauptfläche (9) angeordnete Seitenflanke (10) aufweist, und die Seitenflanke (10) eine Auskoppelstruktur aufweist, die gezielt aus Vereinzelungsspuren gebildet ist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterchips sowie ein Bauelement mit einem derartigen Halbleiterchip angegeben.

    Abstract translation: 它是一种发射辐射的半导体芯片（1）与在操作期间发射电磁辐射的外延半导体层序列（3），指示。 外延半导体层序列（3）是透明的载体（4）被施加，在其中，所述载体（4）具有的半导体层序列（3）面对的第一主面（8），一个半导体层序列（3）的面向远离第二主表面（9）和一个之间 具有第一主表面（8）和所述第二主表面（9）布置侧侧翼（10）和侧侧翼（10）具有一个输出耦合结构，这是专门由分离迹线形成。 它是用这样的半导体芯片，半导体芯片，以及一个部件的制造方法，其进一步指定。

    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER MEHRZAHL VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
    5.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER MEHRZAHL VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
    方法制造光电子半导体芯片的多个

    公开(公告)号：WO2011104097A1

    公开(公告)日：2011-09-01

    申请号：PCT/EP2011/051574

    申请日：2011-02-03

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GÜNTHER, Ewald, Karl, Michael ,  KÄMPF, Mathias ,  DENNEMARCK, Jens ,  GMEINWIESER, Nikolaus

    Inventor： GÜNTHER, Ewald, Karl, Michael ,  KÄMPF, Mathias ,  DENNEMARCK, Jens ,  GMEINWIESER, Nikolaus

    IPC: B28D5/00 ,  H01L27/15

    CPC classification number: H01L27/153 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/78

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips angegeben, das zumindest die folgenden Verfahrensschritte umfasst: a) Bereitstellen einer Trägerscheibe (1), welche eine erste (11) und eine der ersten Oberfläche (11) gegenüberliegende zweite Oberfläche (12) aufweist, wobei auf der ersten Oberfläche (11) eine Mehrzahl von einzelnen, in einer lateralen Richtung zueinander beabstandeten Bauelementschichtenfolgen (2) aufgebracht ist, die jeweils durch Trenngräben (3) voneinander getrennt sind; b) Einbringen von zumindest einer Kristallstörung (4) in zumindest einem Bereich (41) der Trägerscheibe (1), der in einer vertikalen Richtung zumindest teilweise mit einem Trenngraben (3) überlappt; c) Vereinzeln der Trägerscheibe (1) entlang der zumindest einen Kristallstörung (4) in einzelne Halbleiterchips (1000).

    Abstract translation: （1）具有（第一（11）和所述第一表面的一个11）相对的第二表面（12）a）提供承载晶片：它是由光电子半导体芯片，产生多个的方法，其包括至少下面的处理步骤中指定 其中，所述第一表面（11）上施加多个单独的，相互在横向方向上组件层间隔开的序列（2）中，通过分离的沟槽（3）彼此分开; b）将至少一个晶体故障（4）（在承载盘（1），其至少部分地在垂直方向上与分离槽（3）重叠的至少一个区域41）; c）分离沿所述至少一个晶体故障（4）承载盘（1）（在单独的半导体芯片1000）。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITER-LASERELEMENTS UND HALBLEITER-LASERELEMENT
    6.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITER-LASERELEMENTS UND HALBLEITER-LASERELEMENT 审中-公开
    用于生产半导体激光元件和半导体激光元件

    公开(公告)号：WO2014026951A1

    公开(公告)日：2014-02-20

    申请号：PCT/EP2013/066827

    申请日：2013-08-12

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ENZMANN, Roland ,  HANEDER, Stephan ,  ARZBERGER, Markus ,  WALTER, Christoph ,  SWIETLIK, Tomasz ,  KÖNIG, Harald ,  FEHSE, Robin ,  KÄMPF, Mathias ,  GRAUL, Markus ,  HORN, Markus

    IPC: H01S5/02 ,  H01S5/022

    CPC classification number: H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen (1) die folgenden Schritte : A) Bereitstellen mindestens eines Trägerverbunds (20) mit einer Vielzahl von Trägern (2) für die Halbleiter- Laserelemente (1), C) Bereitstellen mindestens eines Laserbarrens (30) mit einer Vielzahl von Halbleiter-Laserdioden (3), die ein gemeinsames Aufwachssubstrat (31) und eine darauf aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (32) umfassen, D) Anbringen des Laserbarrens (30) auf einer Oberseite (23) des Trägerverbunds (20), und E) Vereinzeln zu den Halbleiter-Laserelementen (1). Der Verfahrensschritt E) folgt hierbei dem Verfahrensschritt D) nach.

    Abstract translation: 在至少一个实施方案中，用于生产半导体激光元件（1）的方法，包括以下步骤：A）提供至少一个承载组件（20），其具有多个载波的（2）（用于半导体激光元件1），C）提供至少 激光条（30），具有多个半导体激光二极管（3），其包括共同的生长衬底（31）和在所述载体组件的顶侧（23）附接在激光条（30）（一个在其上生长的半导体层序列（32），D）的 20），以及e）切割所述半导体激光元件（1）。 在这种情况下处理步骤E）如下的工序D）。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERKÖRPERS
    7.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERKÖRPERS 审中-公开
    用于生产半导体主体

    公开(公告)号：WO2012139953A1

    公开(公告)日：2012-10-18

    申请号：PCT/EP2012/056183

    申请日：2012-04-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  ZULL, Heribert ,  EBERHARD, Franz ,  VEIT, Thomas ,  KÄMPF, Mathias ,  DENNEMARCK, Jens

    Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  ZULL, Heribert ,  EBERHARD, Franz ,  VEIT, Thomas ,  KÄMPF, Mathias ,  DENNEMARCK, Jens

    IPC: H01L33/00 ,  H01S5/02 ,  H01L21/78

    CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0201 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers (3) mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit mindestens zwei Chipbereichen (1) und mindestens einem Trennbereich (2), der zwischen den Chipbereichen (1) angeordnet ist, wobei der Halbleiterwafer eine Schichtenfolge aufweist, deren äußerste Schicht zumindest innerhalb des Trennbereiches (2) eine transmittierende Schicht (8) aufweist, die für elektromagnetische Strahlung durchlässig ist, - Durchführen zumindest einer der folgenden Maßnahmen: Entfernen der transmittierenden Schicht (8) innerhalb des Trennbereichs (2), Aufbringen einer absorbierenden Schicht (16) innerhalb des Trennbereichs, Erhöhen des Absorptionskoeffizients der transmittierenden Schicht innerhalb des Trennbereichs, und - Trennen der Chipbereiche (1) entlang der Trennbereiche (2) mittels eines Lasers.

    Abstract translation: 提供了一种方法用于制造半导体主体（3），包括以下步骤： - 提供具有至少两个芯片的区域（1）和至少一个分离区的半导体晶片（2），其被布置在所述芯片区域（1），其中所述半导体晶片为间 具有层序列，最外层具有至少（2）的发射层（8），其是可渗透的电磁辐射，该释放区域内 - 执行以下各项中的至少一项：所述分离区域（2）内除去所述透射层（8）的， 施加所述分离区域内的吸收层（16），增加分离区中的透射层的吸收系数，以及 - 所述芯片区域（1）沿所述分开部分（2）通过激光来分离。

    VERFAHREN ZUM VEREINZELN EINES VERBUNDES IN HALBLEITERCHIPS UND HALBLEITERCHIP
    9.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM VEREINZELN EINES VERBUNDES IN HALBLEITERCHIPS UND HALBLEITERCHIP 审中-公开
    方法分离合成在半导体芯片及半导体晶片

    公开(公告)号：WO2015018717A1

    公开(公告)日：2015-02-12

    申请号：PCT/EP2014/066398

    申请日：2014-07-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KÄMPF, Mathias

    IPC: B23K26/00 ,  H01L21/78 ,  H01L33/00

    CPC classification number: B23K26/0057 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/56 ,  H01L21/268 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L33/0095 ,  H01L2221/68327

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum Vereinzeln eines Verbunds (1) in eine Mehrzahl von Halbleiterchips (10) entlang eines Vereinzelungsmusters angegeben. Ein Verbund, der einen Träger (4), eine Halbleiterschichtenfolge (2) und eine funktionale Schicht (3) aufweist wird bereitgestellt. Trenngräben (45) in dem Träger entlang des Vereinzelungsmusters werden ausgebildet. Die funktionale Schicht wird mittels kohärenter Strahlung entlang des Vereinzelungsmusters durchtrennt. Die vereinzelten Halbleiterchips weisen jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge, des Trägers und der funktionalen Schicht auf. Weiterhin wird ein Halbleiterchip (10) angegeben.

    Abstract translation: 提供了一种用于复合（1）分离成沿一个分离图案的多个半导体芯片（10）的方法。 这是一个复合材料具有（4），提供了一种半导体层序列（2）和一个功能层（3）的载体。 将要形成在沿分离图案的载体分离沟槽（45）。 所述功能层通过沿分离图案相干辐射的方式切割。 各单片化半导体芯片具有载体的半导体层序列和功能层的一部分。 此外，半导体芯片（10）被指定。

    VERFAHREN ZUM VEREINZELN EINES VERBUNDES IN HALBLEITERCHIPS UND HALBLEITERCHIP
    10.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM VEREINZELN EINES VERBUNDES IN HALBLEITERCHIPS UND HALBLEITERCHIP 审中-公开
    方法分离合成在半导体芯片及半导体晶片

    公开(公告)号：WO2014079708A1

    公开(公告)日：2014-05-30

    申请号：PCT/EP2013/073394

    申请日：2013-11-08

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KÄMPF, Mathias

    IPC: H01L33/00 ,  H01L21/78

    CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L33/0095 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0058

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum Vereinzeln eines Verbunds (1) in eine Mehrzahl von Halbleiterchips (10) angegeben, bei dem ein Verbund mit einem Träger (4), einer Halbleiterschichtenfolge (2) und einer metallischen Schicht (3) bereitgestellt wird. In dem Träger werden Trenngräben (45) ausgebildet. Der Verbund wird mit einer mechanischen Belastung beaufschlagt, sodass die metallische Schicht entlang der Trenngräben bricht und der Verbund in Halbleiterchips vereinzelt wird, wobei die vereinzelten Halbleiterchips jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge, des Trägers und der metallischen Schicht aufweisen. Weiterhin wird ein Halbleiterchip (10) angegeben.

    Abstract translation: 提供了一种用于复合（1）分离成多个半导体芯片（10），其中，半导体层序列的金属层（3）提供了一种包括支撑一个复合材料（4）（2）和提供了一种方法。 在所述载体（45）中分离沟槽形成。 该复合材料经受机械负荷，从而沿着该分离沟槽断金属层和复合材料被切割为半导体芯片，其中，每个所述单片化的半导体芯片的包括载体的半导体层序列和金属层的一部分。 此外，半导体芯片（10）被指定。

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