公开(公告)号：WO2023041582A1

公开(公告)日：2023-03-23

申请号：PCT/EP2022/075530

申请日：2022-09-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： O'BRIEN, David ,  JOHANSSON, Erik

IPC: H01L33/50

Abstract: A method for producing a structured wavelength conversion layer is disclosed. In an embodiment the method comprises the following steps: - providing a first wavelength conversion layer with wavelength converting properties such that electromagnetic radiation of a first wavelength range is converted into electromagnetic radiation of a second wavelength range, - structuring of the first wavelength conversion layer into first regions and second regions, wherein the wavelength converting properties of the wavelength conversion layer are impaired or removed in the first regions after the structuring. Furthermore, an optoelectronic device with a structured wavelength conversion layer is specified.

公开(公告)号：WO2021185845A1

公开(公告)日：2021-09-23

申请号：PCT/EP2021/056699

申请日：2021-03-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TREADWAY, Joseph ,  MANGUM, Benjamin Daniel ,  O'BRIEN, David

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/56 ,  C09K11/88 ,  H01L51/50

Abstract: A semiconductor nanocrystal structure may include a core, an inner absorption shell surrounding the core, at least one emission shell surrounding the inner absorption shell, and an outer absorption shell surrounding the emission shell(s). The core may include a different material than the optional inner absorption shell and/or the outer absorption shell. The core may be less absorbent to electromagnetic radiation as compared to the optional inner absorption shell and/or the outer absorption shell, An optoelectronic device may include the semiconductor nanocrystal structure.

公开(公告)号：WO2017032605A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：PCT/EP2016/069069

申请日：2016-08-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： O'BRIEN, David ,  GÖÖTZ, Britta ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/58

Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von lichtemittierenden Halbleiterbauteilen eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen einer Glaskapillare (2) aus einem Glasmaterial, B) Befüllen der Glaskapillare (2) mit Leuchtstoffen (3), C) Versiegeln der Glaskapillare (2) in einem Versieglungsbereich (22) durch Aufschmelzen des Glasmaterials, sodass die Glaskapillare (2) durch das Glasmaterial selbst verschlossen wird, und D) Anbringen der versiegelten Glaskapillare (2) an einen Leuchtdiodenchip (4), sodass im Betrieb die von dem Leuchtdiodenchip (4) emittierte Strahlung durch die Leuchtstoffe (3) in sichtbares Licht umgewandelt wird, wobei im Schritt C) ein Abstand zwischen dem Versieglungsbereich (22) und den Leuchtstoffen (3) bei höchstens 7 mm liegt, und wobei die verschiedenen Leuchtstoffe (3) entlang einer Längsachse (L) der Glaskapillare (2) voneinander getrennt vorliegen.

Abstract translation: 在一个实施方案中，用于制备半导体发光装置的过程中被布置并包括以下步骤：A）提供由玻璃材料制成的玻璃毛细管（2），B）的玻璃毛细管（2）与密封玻璃毛细管的荧光体（3），C）的填充（2 ）（在Versieglungsbereich 22）通过熔化玻璃材料，从而使玻璃毛细管（2）由玻璃材料自身闭合，以及D）将所述密封的玻璃毛细管（2）的发光二极管芯片（4），使得（从操作中的LED芯片 4）发射的辐射由磷光体（3）转化为可见光，被转换，其中，在步骤c）中的Versieglungsbereich之间（22）和荧光体的距离（3）是至多7毫米，其中，沿所述各个荧光体（3） 呈现相互分离的玻璃毛细管（2）的纵向轴线（L）。

公开(公告)号：WO2017012956A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：PCT/EP2016/066676

申请日：2016-07-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： O'BRIEN, David ,  HERRMANN, Siegfried

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/64 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/644 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0075

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend einen Halbleiterchip (1), der zur Emission von Strahlung (5) zumindest über eine Strahlungshauptfläche (11) eingerichtet ist, ein Konverterelement (2), das im Strahlengang des Halbleiterchips (1) angeordnet ist, ein Verkapselungselement (3), das ein Deckelement (31) und ein Seitenelement (32) aufweist und zumindest eine Versiegelung für das Konverterelement (2) vor Umwelteinflüssen bildet, wobei das Deckelement (31) über dem Konverterelement (31) angeordnet ist und das Seitenelement (32) im Querschnitt lateral zum Halbleiterchip (1) und Konverterelement (2) angeordnet ist und den Halbleiterchip (1) umgibt, wobei das Seitenelement (32) und das Deckelement (31) zumindest bereichsweise direkt in Kontakt stehen, wobei das Seitenelement (32) zumindest ein Metall aufweist.

Abstract translation: 本发明涉及包括半导体芯片（1），其适于辐射（5）被布置成至少在辐射主表面（11），转换器元件的发射的光电子器件（100），（2），其被布置在半导体芯片的光路（1） 具有盖元件（31）和侧面构件（32）和至少一个密封件用于转换器元件（2）从环境的形式，其中所述盖构件（31）到所述转换器元件（31）被布置在封装构件（3）和 在横截面侧构件（32）横向于半导体芯片（1）和转换器元件（2）和半导体芯片（1），其中所述侧构件（32）和所述盖元件（31）至少部分地直接接触，其中所述侧构件（ 32）的至少一种金属。

公开(公告)号：WO2021213847A1

公开(公告)日：2021-10-28

申请号：PCT/EP2021/059563

申请日：2021-04-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： O'BRIEN, David ,  JOHANSSON, Erik

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/46 ,  C09K11/02

Abstract: An arrangement (1) is disclosed. The arrangement comprises at least one semiconductor structure (2) configured to convert a primary radiation into a secondary radiation; an encapsulation layer (3) covering the at least one semiconductor structure; and at least one reflective layer (4) arranged on the encapsulation layer. The semiconductor structure is arranged in a center of the arrangement, and a lateral extent of the arrangement is chosen such that an optically resonant condition is fulfilled for a wavelength of the secondary radiation in the encapsulation layer. Methods for producing an arrangement (1) and an optoelectronic device (10) having the same are also disclosed.

公开(公告)号：WO2021037451A1

公开(公告)日：2021-03-04

申请号：PCT/EP2020/070790

申请日：2020-07-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： O'BRIEN, David ,  TREADWAY, Joseph

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/00 ,  B82Y20/00

Abstract: A quantum dot structure (1), a radiation conversion element (10) and a light emitting device (100) are disclosed, In an embodiment a quantum dot structure includes an active region (2) configured to emit radiation, a barrier region (3) surrounding the active region and a trap region (4) spaced apart from the active region, wherein a band edge of the trap region forms a trap configuration with respect to the barrier region for at least one type of charge carrier.

公开(公告)号：WO2019197465A1

公开(公告)日：2019-10-17

申请号：PCT/EP2019/059082

申请日：2019-04-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： O'BRIEN, David ,  TANGRING, Ivar ,  MUELLER, Vesna

IPC: H01L33/50

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10, 20) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (100, 200) mit optoelektronischen Halbleiterschichten (115, 116, 117, 215, 216, 217), die geeignet sind, elektromagnetische Strahlung (15) zu erzeugen. Die optoelektronischen Halbleiterschichten (115, 116, 117, 215, 216, 217) umfassen eine erste Halbleiterschicht (115, 215), aus der die erzeugte elektromagnetische Strahlung (15) auskoppelbar ist. Das optoelektronische Bauelement (10, 20) umfasst ferner eine Passivierungsschicht (120, 220) in direktem Kontakt mit einer ersten Hauptoberfläche (110, 210) der ersten Halbleiterschicht (115, 215). Die Passivierungsschicht (120, 220) enthält Quantenpunkt-Teilchen (121, 221), welche geeignet sind, eine Wellenlängeder erzeugten elektromagnetischen Strahlung (15) zu konvertieren.

公开(公告)号：WO2017025437A1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：PCT/EP2016/068670

申请日：2016-08-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： O'BRIEN, David ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/502 ,  C09K11/08 ,  H01L24/42 ,  H01L33/501 ,  H01L33/505 ,  H01L2224/42 ,  H01L2933/0041

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) angeben. Dieses umfassteine Schichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht, die dazu eingerichtet ist im Betrieb des Bauelements eine elektromagnetische Primärstrahlung zu emittieren und zumindest ein Konversionselement (3). Daszumindest eine Konversionselement (3) ist im Strahlengang der elektromagnetischen Primärstrahlung angeordnet und umfasst Quantenpunkte (3a) und ein anorganisches Matrixmaterial. Die Quantenpunkte (3a) sind in dem anorganischen Matrixmaterial verteilt und dazu eingerichtet sind im Betrieb des Bauelements (1) zumindest teilweise die elektromagnetische Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung zu konvertieren.

Abstract translation: 将指定的光电子器件（1）。 此与活性层，其适于发射在该装置的主操作的电磁辐射和comprisesa层序列（2）的至少一个转换元件（3）。 Daszumindest的转换元件（3）被布置在电磁初级辐射的光束路径，并且包括量子点（3a）和无机基质材料。 量子点（3a）的分布在所述无机基体材料和至少部分地在电磁初级辐射转换成电磁次级辐射（1）的装置的操作期间被适配。

公开(公告)号：WO2014029804A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：PCT/EP2013/067383

申请日：2013-08-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： O'BRIEN, David

IPC: H01L33/60 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L33/60 ,  B29C45/0053 ,  B29D11/00865 ,  B29K2101/00 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) angegeben, das ein Gehäuse (2) aufweist, wobei das Gehäuse (2) wenigstens eine erste Ausnehmung (3A) aufweist. Das Bauelement weist ferner wenigstens einen ersten Halbleiterchip (4A) auf, wobei der erste Halbleiterchip (4A) in der ersten Ausnehmung (3A) angeordnet ist, wobei die erste Ausnehmung (3A) als Reflektor ausgebildet ist zur Reflexion der im Betrieb des ersten Halbleiterchips (4A) erzeugten Strahlung. Der Reflektorweist eine Oberfläche, wobei die Oberfläche zur gezielten Einstellung einer Abstrahlcharakteristik (6) der vom ersten Halbleiterchip (4A) im Betrieb abgestrahlten Strahlung ausgebildet ist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (1) angegeben.

Abstract translation: 它是一种光电子器件（1）提供了一种包括壳体（2），其中所述壳体（2）包括至少一个第一凹部（3A）。 该装置还包括至少一个第一半导体芯片（4A），其特征在于，在第一凹部（3A）与第一半导体芯片（4A）被布置，其中，所述第一凹部（3A）是设计用于反射的反射器（在第一半导体芯片的操作 4A）辐射生成。 反射器具有一表面，其中形成有用于选择性地设定发射的操作期间辐射的第一半导体芯片（4A）的辐射（6）的表面上。 此外，被指定用于制造光电子组件（1）的方法。

公开(公告)号：WO2019115539A1

公开(公告)日：2019-06-20

申请号：PCT/EP2018/084383

申请日：2018-12-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： O'BRIEN, David ,  GÖÖTZ, Britta ,  BUTENDEICH, Rainer

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/46 ,  F21K9/64

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement umfassend einen Halbleiterchip mit einem aktiven Bereich, der in einem eingeschalteten Zustand elektromagnetische Strahlung mit einem ersten Spektrum emittiert und ein Wellenlängenkonversionselement, das dem Halbleiterchip im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung mit dem ersten Spektrum nachgeordnet ist und zumindest teilweise elektromagnetische Strahlung mit dem ersten Spektrum in elektromagnetische Strahlung mit einem zweiten Spektrum konvertiert. Weiter umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement eine Farbanpassungsschicht, die dem Wellenlängenkonversionselement im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung mit dem ersten Spektrum nachgeordnet ist und die zumindest einen Teil einer von außen auf das Wellenlängenkonversionselement einfallenden elektromagnetischen Strahlung reflektiert. Wobei von außen auf das Wellenlängenkonversionselement einfallende und von dem Wellenlängenkonversionselement reflektierte elektromagnetische Strahlung einen ersten Farbort aufweist, und wobei eine Mischstrahlung, enthaltend die von außen auf das Wellenlängenkonversionselement einfallende und von dem Wellenlängenkonversionselement reflektierte elektromagnetische Strahlung und die von außen auf die Farbanpassungsschicht einfallende und von der Farbanpassungsschicht reflektierte elektromagnetische Strahlung, einen zweiten Farbort aufweist, wobei der zweite Farbort näher an einem Weißpunkt liegt als der erste Farbort.