公开(公告)号：WO2019197465A1

公开(公告)日：2019-10-17

申请号：PCT/EP2019/059082

申请日：2019-04-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： O'BRIEN, David ,  TANGRING, Ivar ,  MUELLER, Vesna

IPC: H01L33/50

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10, 20) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (100, 200) mit optoelektronischen Halbleiterschichten (115, 116, 117, 215, 216, 217), die geeignet sind, elektromagnetische Strahlung (15) zu erzeugen. Die optoelektronischen Halbleiterschichten (115, 116, 117, 215, 216, 217) umfassen eine erste Halbleiterschicht (115, 215), aus der die erzeugte elektromagnetische Strahlung (15) auskoppelbar ist. Das optoelektronische Bauelement (10, 20) umfasst ferner eine Passivierungsschicht (120, 220) in direktem Kontakt mit einer ersten Hauptoberfläche (110, 210) der ersten Halbleiterschicht (115, 215). Die Passivierungsschicht (120, 220) enthält Quantenpunkt-Teilchen (121, 221), welche geeignet sind, eine Wellenlängeder erzeugten elektromagnetischen Strahlung (15) zu konvertieren.

公开(公告)号：WO2020099460A1

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：PCT/EP2019/081124

申请日：2019-11-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FRISCHEISEN, Jörg ,  GUELDAL, Nusret Sena ,  EBERHARDT, Angela ,  MUELLER, Vesna ,  PESKOLLER, Florian ,  RABENBAUER, Pascal ,  HUCKENBECK, Thomas ,  BAUER, Jürgen

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/02 ,  C09K11/08 ,  C09K11/55 ,  C09K11/64

Abstract: Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Konversionselement umfassend: - mindestens eine Matrix umfassend mindestens eine Infiltrationsmatrix, - 10 bis 50 Vol.% mindestens eines Leuchtstoffs, - optional mindestens einen Zusatzstoff, wobei das Konversionselement eine Porosität von 0 bis 20 Vol-% aufweist. Ferner ist Gegenstand der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements, sowie ein optoelektronisches Halbleiterbauelement umfassend mindestens ein erfindungsgemäßes Konversionselement.