公开(公告)号：WO2021069388A1

公开(公告)日：2021-04-15

申请号：PCT/EP2020/077880

申请日：2020-10-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PFEUFFER, Alexander F. ,  PERZLMAIER, Korbinian

IPC: H01L21/683

Abstract: Es wird ein Bauelementverbund (1) mit einer Mehrzahl von Bauelementen (2) und einem Träger (5) angegeben, wobei die Bauelemente mittels einer Verbindungsschicht (4) an dem Träger befestigt sind und die Verbindungsschicht für jedes Bauelement mindestens eine Auflagestruktur (41) bildet, an der die Verbindungsschicht an das Bauelement angrenzt. Bereichsweise ist zwischen den Bauelementen und der Verbindungsschicht eine Opferschicht (3) angeordnet. Ein Teil der Bauelemente ist einer ersten Gruppe (2A) und ein weiterer Teil der Bauelemente einer zweiten Gruppe (2B) zugeordnet, wobei die Bauelemente der ersten Gruppe von den Bauelementen der zweiten Gruppe hinsichtlich einer Belegung mit der Opferschicht verschieden sind. Weiterhin werden ein Verfahren zum Ablösen von Bauelementen aus einem Bauelementverbund und ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelementverbunds angegeben.

公开(公告)号：WO2020212252A1

公开(公告)日：2020-10-22

申请号：PCT/EP2020/060191

申请日：2020-04-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  MEYER, Tobias

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L25/075 ,  H01L33/48

Abstract: Optoelektronisches Halbleiterbauelement Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben aufweisend - einen Halbleiterkörper (2) umfassend einen ersten Halbleiterbereich (3) eines ersten Leitfähigkeitstyps und einen zweiten Halbleiterbereich (5) eines zweiten Leitfähigkeitstyps sowie eine erste Oberfläche (2A) und eine von der ersten Oberfläche (2A) verschiedene zweite Oberfläche (2B), - eine erste Kontaktstruktur (6) zur elektrischen Kontaktierung des ersten Halbleiterbereichs (3) und eine zweite Kontaktstruktur (10) zur elektrischen Kontaktierung des zweiten Halbleiterbereichs (5), wobei die erste und zweite Kontaktstruktur (6, 10) jeweils einen ersten, auf der ersten Oberfläche (2A) angeordneten Anschlussbereich (7, 11) und jeweils einen zweiten, auf der zweiten Oberfläche (2B) angeordneten Anschlussbereich (8, 12) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauelements (1) von außen aufweisen, wobei der erste und zweite Anschlussbereich (7, 8) der ersten Kontaktstruktur (6) und der erste und zweite Anschlussbereich (11, 12) der zweiten Kontaktstruktur (10) jeweils hinsichtlich einer Symmetrieachse (D) drehsymmetrisch ausgebildet sind.

公开(公告)号：WO2020114759A1

公开(公告)日：2020-06-11

申请号：PCT/EP2019/081627

申请日：2019-11-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  NEVELING, Kerstin ,  ZULL, Heribert

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/14

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) und eine elektrische Durchkontaktierung (3). Die Halbleiterschichtenfolge (2) beinhaltet eine aktive Zone (22) zur Strahlungserzeugung und eine Kontaktschicht (25) zur elektrischen Kontaktierung. Die aktive Zone (22) liegt in einer Ebene (P) senkrecht zu einer Hauptwachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (2) und befindet sich zwischen einem ersten Halbleiterbereich (21) und einem zweiten Halbleiterbereich (23). Die Kontaktschicht (25) liegt innerhalb des zweiten Halbleiterbereichs(23). Die Durchkontaktierung (3) reicht durch die Kontaktschicht (25) hindurch und endet bevorzugt innerhalb des zweiten Halbleiterbereichs(23). Eine Kontaktfläche (32) zwischen der Durchkontaktierung (3) und der Kontaktschicht (25) schließt zur Ebene (P) einen Kontaktwinkel (w) von mindestens 20° und höchstens 60° ein.

公开(公告)号：WO2020099578A1

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：PCT/EP2019/081361

申请日：2019-11-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EICHINGER, Christian ,  PERZLMAIER, Korbinian

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L25/075

Abstract: Gemäß Ausführungsformen umfasst ein Halbleiterchip (10, 11, 2, 13) ein inneres Kontaktelement (128) und zwei äußere Kontaktelemente(129). Das innere Kontaktelement (128) und die zwei äußeren Kontaktelemente (129) sind an einer zweiten Hauptoberfläche (108) des Halbleiterchips (10, 11, 12, 13) angeordnet. Je eines der äußeren Kontaktelemente (129) ist auf jeweils gegenüberliegenden Seiten des inneren Kontaktelements (128) angeordnet. Beispielsweise ist das innere Kontaktelement (128) als ein erstes Kontaktelement ausgeführt, das mit einer ersten Halbleiterschicht (100) elektrisch verbunden ist, und die zwei äußeren Kontaktelemente (129) sind jeweils als zweite Kontaktelemente (117) ausgeführt, die mit einer zweiten Halbleiterschicht (110) elektrisch verbunden sind. Alternativ sind die zwei äußeren Kontaktelemente (129) jeweils als erste Kontaktelemente (115) ausgeführt, die mit einer ersten Halbleiterschicht (100) elektrisch verbunden sind, und das innere Kontaktelement (128) ist als zweites Kontaktelement (117) ausgeführt und mit einer zweiten Halbleiterschicht (110) elektrisch verbunden.

公开(公告)号：WO2019145193A1

公开(公告)日：2019-08-01

申请号：PCT/EP2019/050967

申请日：2019-01-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  ILLEK, Stefan

IPC: H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/44 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: Es wird ein Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben mit - einem Halbleiterkörper (2) umfassend einen aktiven Bereich, der zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung ausgebildet ist, - einem Reflektor (3), der dazu ausgebildet ist, einen Teil der elektromagnetischen Strahlung zu reflektieren, - zumindest einer Kavität (4), die mit einem Material befüllt ist, das einen Brechungsindex von höchstens 1,1 aufweist, und - einer Versiegelung (5), die für das Material undurchlässig ist, wobei - die zumindest eine Kavität (4) zwischen dem Reflektor (3) und dem Halbleiterkörper (2) angeordnet ist.

公开(公告)号：WO2017144451A1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：PCT/EP2017/053910

申请日：2017-02-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  LEIRER, Christian ,  SPERL, Matthias

IPC: H01L33/52 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L25/167 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/382 ,  H01L33/486 ,  H01L33/52

Abstract: Halbleiterbauelement - mit mindestens einem Halbleiterchip (10), der einen Halbleiterkörper (1) mit einem aktiven Bereich (12), ein Konversionselement (6) und einen Träger (3) umfasst, und der Träger (3) einen ersten Formkörper (33), einen ersten Leiterkörper (31) und einen zweiten Leiterkörper (32) aufweist, und die Leiterkörper (31, 32) mit dem aktiven Bereich (12) elektrisch leidend verbunden sind, und bei dem eine vom aktiven Bereich (12) abgewandte Seite des Konversionselements (6) eine Vorderseite (101) des Halbleiterchips (10) bildet und eine vom aktiven Bereich (12) abgewandte Seite des Trägers (3) eine Rückseite (102) des Halbleiterchips (10) bildet, und Seitenflächen (103) des Halbleiterchips Vorder- (101) und Rückseite (102) miteinander verbinden, und - mit einem zweiten Formkörper (5), wobei - der Halbleiterchip (10) den zweiten Formkörper (5) vollständig durchdringt, derart, dass der zweite Formkörper (5) einen Rahmen um den Halbleiterchip (10) bildet und dass die Vorderseite (101) und die Rückseite (102) des Halbleiterchips (10) zumindest stellenweise frei vom zweiten Formkörper (5) sind, und - der zweite Formkörper (5) an den Seitenflächen des Halbleiterchips (10) freiliegende Flächen des Konversionselements (6) zumindest teilweise überdeckt.

Abstract translation:

一种半导体装置， - 与具有至少一个半导体芯片（10），一个Halbleiterk＆OUML;包括GER（3），和;（1）具有有源区（12），一个转换元件主体（6），并且在TR AUML 的Tr的AUML; GER（3）包括一个第一模制＆oUML;主体（33），第一Leiterk＆oUML;主体（31）和第二Leiterk＆oUML;主体（32），并且Leiterk＆oUML;主体（31，32）（与有源区 12）电痛苦连接，并且其中一个（从有源区域12）后面对所述转换元件（6）形成在半导体芯片（10）和一个的前侧（101）（从有源区域12）中的Tr的AUML的远程侧;蒙古包（ 3）R导航使用形成在半导体芯片（10）的底面（102），和半导体芯片正面（101）和R导航使用的下侧（102）彼此的Seitenfl BEAR表面（103），以及 - 具有第二模制＆oUML;主体（5 ），其中 - 半导体芯片（10）完全穿透第二模制体（5），使得第二模制体 成型＆OUML;形成主体（5）的半导体芯片周围的框架（10）和所述前侧（101）和R导航用途是主体（5），以及 - 至少在半导体芯片（10）的后部（102）的地方自由从第二成型＆OUML 第二模制体（5）至少部分地覆盖暴露在半导体芯片（10）的侧表面上的转换元件（6）的表面，

公开(公告)号：WO2016202978A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/EP2016/064002

申请日：2016-06-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  PERZLMAIER, Korbinian

IPC: H01L33/38 ,  H01L23/00 ,  H01L33/48 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L24/05 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2933/0016

Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip (100) mit einer Strahlungshauptseite (101), umfassend eine Halbleiterschichtenfolge (2), die zur Emission von Strahlung eingerichtet ist, und einen strukturierten Träger (1), der an der Strahlungshauptseite (101) abgewandten Seite des Halbleiterchips (100) angeordnet ist, wobei eine p-dotierte Halbleiterschicht (23) der Halbleiterschichtenfolge (2) mittels einer ersten Anschlussschicht (3) elektrisch kontaktiert ist und eine n-dotierte Halbleiterschicht (21) der Halbleiterschichtenfolge (2) mittels einer zweiten Anschlussschicht (4) elektrisch kontaktiert ist, und wobei die erste Anschlussschicht (3) mittels einer ersten Kontaktschicht (5) elektrisch kontaktiert ist und die zweite Anschlussschicht (4) mittels einer zweiten Kontaktschicht (6) elektrisch kontaktiert ist, wobei die erste Kontaktschicht (5) und die zweite Kontaktschicht (6) den strukturierten Träger (1) vollständig durchdringen und die erste Kontaktschicht (5) lateral beabstandet zur zweiten Kontaktschicht (6) angeordnet ist, und wobei der strukturierte Träger (1) ein stabilisierendes Material umfasst, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die einen Fotolack, ein anorganisch-organisches Hybridmaterial, ein spin-on Material, ein mittels Siebdruckverfahren aufgebrachtes Isolationsmaterial, und ein dielektrisches Material umfasst.

Abstract translation: （1），（101）设置在具有辐射主侧（101），包括：半导体层序列（2），其适于辐射的发射的光电子半导体芯片（100），和一个结构化载体从辐射主侧背对半导体芯片（100）的侧 ，其中通过第一连接层（3）的装置中的半导体层序列（2）的p型掺杂的半导体层（23）电接触，并且通过第二连接层的装置中的半导体层序列（2）的n型掺杂半导体层（21）（4）被电接触 以及其中，由第一接触层（5）的装置中的第一连接层（3）电接触，并通过第二接触层的装置中的第二连接层（4）（6）被电与第一接触层接触（5）和所述第二接触层（6 ）完全穿透该结构化载体（1）和所述第一接触层（5）横向地从所述ZW隔开 尼特接触层（6）布置，并且其中所述结构化载体（1）包括从由光致抗蚀剂组成的组中的稳定材料，无机 - 有机混合材料，旋涂材料，施加的丝网印刷法的绝缘材料， 和包括介电材料。

公开(公告)号：WO2014019917A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：PCT/EP2013/065638

申请日：2013-07-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.

Inventor： PETER, Matthias ,  KATZ, Simeon ,  OFF, Jürgen ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  GEHRKE, Kai ,  AIDAM, Rolf ,  DÄUBLER, Jürgen ,  PASSOW, Thorsten

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L31/02002 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/054 ,  H01L31/056 ,  H01L31/184 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01L33/36 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0058 ,  Y02E10/52 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein reflektierendes Kontaktschichtsystem für ein optoelektronisches Bauelement (100) angegeben, umfassend: - eine erste p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht (1), - eine transparente leitfähige Oxidschicht (3), - eine Spiegelschicht (4), und - eine zwischen der ersten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht (1) und der transparenten leitfähigen Oxidschicht (3) angeordnete zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht (2), wobei die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht (2) an einer der transparenten leitfähigen Oxidschicht (3) zugewandten Grenzfläche (23) N-Face-Domänen (22) aufweist, und wobei die N-Face-Domänen (22) an der Grenzfläche (23) einen Flächenanteil von mindestens 95 % aufweisen. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung des Kontaktschichtsystems angegeben.

Abstract translation: 本发明公开了用于光电装置的反射接触层系统（100），包括： - 一个第一p掺杂氮化物半导体层（1）， - 一个透明导电氧化物层（3）， - 一个镜层（4），以及 - 所述p之间的第一 掺杂的氮化物半导体层（1）和所述透明导电氧化物层（3）设置在第二p-掺杂的氮化物半导体层（2），其中，所述第二p型掺杂的氮化物半导体层（2）上的透明导电氧化物层中的一个（3）的面向接口（23）N- 面结构域（22），并且其中在所述接口（23）的N面域（22）具有至少95％的面积比。 此外，被指定制造接触层系统的方法。

公开(公告)号：WO2012139953A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：PCT/EP2012/056183

申请日：2012-04-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  ZULL, Heribert ,  EBERHARD, Franz ,  VEIT, Thomas ,  KÄMPF, Mathias ,  DENNEMARCK, Jens

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  ZULL, Heribert ,  EBERHARD, Franz ,  VEIT, Thomas ,  KÄMPF, Mathias ,  DENNEMARCK, Jens

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/02 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0201 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers (3) mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit mindestens zwei Chipbereichen (1) und mindestens einem Trennbereich (2), der zwischen den Chipbereichen (1) angeordnet ist, wobei der Halbleiterwafer eine Schichtenfolge aufweist, deren äußerste Schicht zumindest innerhalb des Trennbereiches (2) eine transmittierende Schicht (8) aufweist, die für elektromagnetische Strahlung durchlässig ist, - Durchführen zumindest einer der folgenden Maßnahmen: Entfernen der transmittierenden Schicht (8) innerhalb des Trennbereichs (2), Aufbringen einer absorbierenden Schicht (16) innerhalb des Trennbereichs, Erhöhen des Absorptionskoeffizients der transmittierenden Schicht innerhalb des Trennbereichs, und - Trennen der Chipbereiche (1) entlang der Trennbereiche (2) mittels eines Lasers.

Abstract translation: 提供了一种方法用于制造半导体主体（3），包括以下步骤： - 提供具有至少两个芯片的区域（1）和至少一个分离区的半导体晶片（2），其被布置在所述芯片区域（1），其中所述半导体晶片为间 具有层序列，最外层具有至少（2）的发射层（8），其是可渗透的电磁辐射，该释放区域内 - 执行以下各项中的至少一项：所述分离区域（2）内除去所述透射层（8）的， 施加所述分离区域内的吸收层（16），增加分离区中的透射层的吸收系数，以及 - 所述芯片区域（1）沿所述分开部分（2）通过激光来分离。

公开(公告)号：WO2012110365A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：PCT/EP2012/052060

申请日：2012-02-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GÜNTHER, Ewald Karl Michael ,  PLÖSSL, Andreas ,  ZULL, Heribert ,  VEIT, Thomas ,  KÄMPF, Mathias ,  DENNEMARCK, Jens ,  BÖHM, Bernd ,  PERZLMAIER, Korbinian

Inventor： GÜNTHER, Ewald Karl Michael ,  PLÖSSL, Andreas ,  ZULL, Heribert ,  VEIT, Thomas ,  KÄMPF, Mathias ,  DENNEMARCK, Jens ,  BÖHM, Bernd ,  PERZLMAIER, Korbinian

IPC: H01L21/761 ,  H01L23/60 ,  H01L25/16 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L27/14 ,  H01L33/64 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/0607 ,  H01L23/60 ,  H01L25/167 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15 ,  H01L29/66128 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/382 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265

Abstract: Es wird ein Trägersubstrat (10) für eine Halbleiterschichtenfolge angegeben, das eine erste Hauptfläche (11) und eine der ersten Hauptfläche gegenüberliegende zweite Hauptfläche (12) aufweist. Zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche ist eine Diodenstruktur (2) ausgebildet, die die erste Hauptfläche von der zweiten Hauptfläche zumindest für eine Polarität einer elektrischen Spannung elektrisch isoliert. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips (3) mit einem Trägersubstrat angegeben.

Abstract translation: 它是为具有第一主表面（11）和具有相对的第二主表面（12）的第一主表面中的一个的半导体层序列的支撑基板（10）中指定。 所述第一主表面，并且（2）形成的二极管结构的第二主表面之间，所述第二主表面的第一主表面电性绝缘的至少一种用于电动电压的极性。 此外，用于制造半导体芯片（3）的方法设置有支撑衬底。