公开(公告)号：WO2013127672A1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：PCT/EP2013/053371

申请日：2013-02-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MANDL, Martin ,  STRASSBURG, Martin ,  KÖLPER, Christopher ,  PFEUFFER, Alexander ,  RODE, Patrick ,  LEDIG, Johannes ,  NEUMANN, Richard ,  WAAG, Andreas

IPC: H01L33/18

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/385 ,  H01L33/42 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben mit: - einer Vielzahl aktiver Bereiche (1), die beabstandet zueinander angeordnet sind, und - einem Träger (2), der an einer Unterseite (1a) der Vielzahl aktiver Bereiche (1) angeordnet ist, wobei - einer der aktiven Bereiche (1) eine Haupterstreckungsrichtung (R) aufweist, - der aktive Bereich (1) einen Kernbereich (10) aufweist, der mit einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist, - der aktive Bereich (1) eine aktive Schicht (11) aufweist, die den Kernbereich (10) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (1) bedeckt, und - der aktive Bereich (1) eine Deckschicht (12) aufweist, die mit einem zweiten Halbleitermaterial gebildet ist und die aktive Schicht (11) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (11) bedeckt.

Abstract translation: 它是设置有光电子半导体芯片： - 多个有源区（1），其被布置为彼此间隔开的，和 - 支撑的（1a）中（2），所述多个有源区（1）的被布置在底面，其特征在于， - 具有有源区中的一个（1）具有主延伸方向（R）， - 所述有源区（1）具有一个芯部区域，其与第一半导体材料（10）形成， - 所述有源区（1）的有源层（11）包括 至少所述芯区（10）在方向（x，y）的横向于所述主延伸方向（1）覆盖所述有源区的（R），以及 - 具有第二半导体材料形成具有有源区（1）的覆盖层（12） 和有源层（11）至少在方向（x，y）的横向于所述有源区的主延伸方向（R）（11）覆盖。

公开(公告)号：WO2016192939A1

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：PCT/EP2016/060554

申请日：2016-05-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PFEUFFER, Alexander ,  SCHOLZ, Dominik

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L33/24 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird eine Anzeigevorrichtung (1) mit einer Mehrzahl getrennt voneinander betreibbarer Bildpunkte (1a, 1b, 1c) angegeben, die eine Halbleiterschichtenfolge (3) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung umfasst. Die Halbleiterschichtenfolge (3) weist eine erste Halbleiterschicht (31), eine aktive Schicht (33) und eine zweite Halbleiterschicht (35) auf. Die Anzeigevorrichtung (1) umfasst ferner eine erste Kontaktstruktur (51) zur Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht (31) und eine zweite Kontaktstruktur (55) zur Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht (35). Die erste Kontaktstruktur (51) weist getrennt voneinander betreibbare erste Kontakte (51a, 51b, 5c) auf, die sich jeweils lateral unterbrechungsfrei entlang der ersten Halbleiterschicht (31) erstrecken. Die ersten Kontakte (51a, 51b, 51c) begrenzen jeweils mit ihrer Kontur einen Bildpunkt (1a, 1b, 1c) lateral. Die Halbleiterschichtenfolge (3) und die erste Kontaktstruktur (51) weisen mindestens eine bezüglich eines jeweiligen Bildpunkts (1a, 1b, 1c) lateral angrenzende Ausnehmung (7a, 7b) auf, die sich durch die erste Kontaktstruktur (51), die erste Halbleiterschicht (31) und die aktive Schicht (33) hindurch in die zweite Halbleiterschicht (35) hinein erstreckt. Die zweite Kontaktstruktur (55) weist zweite Kontakte (55a, 55b) auf, die sich von einer der ersten Kontaktstruktur (51) zugewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (3) durch die mindestens eine Ausnehmung (7a, 7b) erstrecken.

Abstract translation: 提供了一种具有多个间隔分别可操作像素（1A，1B，1C），包括用于产生电磁辐射的半导体层序列（3）的显示装置（1）。 半导体层序列（3）包括第一半导体层（31），有源层（33）和第二半导体层（35）。 的显示装置（1）还包括用于所述第一半导体层（31）和用于所述第二半导体层（35）接触的第二接触结构（55）接触的第一接触结构（51）。 从彼此分离的第一接触结构（51）具有可操作用于第一触点（51A，51B，图5c），其中每个不沿所述第一半导体层（31）中断横向延伸。 第一触点（51A，51B，51C），每个与他们的轮廓（，1C 1A，1B）横向限定像素。 半导体层序列（3）与所述第一接触结构（51）具有至少一个相对于相应的象素的（1A，1B，1C）横向邻接的凹部（7A，7B），其通过所述第一接触结构（51），所述第一半导体层（延伸 31）和延伸到所述活性层（33）穿过其中，所述第二半导体层（35）。 第二接触结构（55）具有第二触点（55A，55B），其从第一接触结构中的一个（51）延伸通过所述至少一个凹部面向所述半导体层序列（3）的侧（7A，7B）延伸。

公开(公告)号：WO2014079657A1

公开(公告)日：2014-05-30

申请号：PCT/EP2013/072507

申请日：2013-10-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PFEUFFER, Alexander

IPC: H01L33/40

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/14 ,  H01L33/382 ,  H01L33/46 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Anschlussbereichs (70) eines optoelektronischen Halbleiterchips (100) mit den folgenden Schritten angegeben: Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips (100), Ausbilden oder Freilegen einer Saatschicht (6) an einer Außenfläche (100a) des optoelektronischen Halbleiterchips (100), und stromloses Abscheiden einer Kontaktschichtenfolge (7) auf der Saatschicht (6), wobei die Saatschicht (6) mit einem Metall gebildet ist, welches das stromlose Abscheiden von Nickel auf der Saatschicht (6) ermöglicht, die Kontaktschichtenfolge (7) als erste, der Saatschicht (6) zugewandte Schicht eine Nickelschicht (71) umfasst, und die Kontaktschichtenfolge (7) an ihrer der Saatschicht (6) abgewandten Seite eine Kontaktfläche (7a) aufweist, über die der optoelektronische Halbleiterchip (100) elektrisch kontaktierbar ist.

Abstract translation: 公开的是用于制造光电子半导体芯片（100），包括连接器区域的步骤（70）的方法：提供一个光电子半导体芯片（100）形成或在其外表面上（100A）的光电子半导体芯片的暴露的籽晶层（6）（100 ），和无电镀的籽晶层（6），其中，所述籽晶层（6）与金属形成，使镍的无电沉积的籽晶层（6）上，作为第一接触层序列（7）上的接触层序列（7） 包括面向所述种子层（6）层，镍层（71）和接触层序列（7）在它们的种子层（6）背离通过该光电子半导体芯片（100）可电接触的接触面（7a）的远离侧。

公开(公告)号：WO2013083438A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：PCT/EP2012/073729

申请日：2012-11-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MANDL, Martin ,  STRASSBURG, Martin ,  KÖLPER, Christopher ,  PFEUFFER, Alexander ,  RODE, Patrick

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/18 ,  H01L33/42 ,  H01L33/08 ,  H01L33/22 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L27/156 ,  H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit: - einer Vielzahl aktiver Bereiche (1), die beabstandet zueinander angeordnet sind, und - einer reflektierenden Schicht (2), die an einer Unterseite (1a) der Vielzahl aktiver Bereiche (1) angeordnet ist, wobei - zumindest einer der aktiven Bereiche (1) eine Haupterstreckungsrichtung (R) aufweist, - einer der aktiven Bereiche (1) einen Kernbereich (10) aufweist, der mit einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist, - der aktive Bereich (1) eine aktive Schicht (11) aufweist, die den Kernbereich (10) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (1) bedeckt, - der aktive Bereich (1) eine Deckschicht (12) aufweist, die mit einem zweiten Halbleitermaterial gebildet ist und die aktive Schicht (11) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (11) bedeckt, und - die reflektierende Schicht (2) zur Reflexion von im Betrieb in der aktiven Schicht (11) erzeugter elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist.

Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片，包括： - 所述上侧（1a）中的反射层（2）的多个有源区（1）的布置， - 被布置彼此间隔开;以及多个有源区（1）的 其中， - 具有所述有源区中的至少一个（1）具有主延伸方向（R）， - 所述有源区中的一个（1）的芯部，其与第一半导体材料（10）形成， - 所述有源区（1）的有源层 （11），至少所述芯区（10）在方向（x，y）的横向于覆盖有源区（1）的主延伸方向（R）， - 覆盖层（12），所述有源区（1），具有 第二半导体材料形成，并且所述活性层（11）至少在方向（x，y）的横向于所述主延伸方向的有源区（R）（11）覆盖，并且 - （2）在有源层中的操作的反射的反射层 （11）产生的电磁辐射被建立。

公开(公告)号：EP2820684A1

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：EP13708711.0

申请日：2013-02-20

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： MANDL, Martin ,  STRASSBURG, Martin ,  KÖLPER, Christopher ,  PFEUFFER, Alexander ,  RODE, Patrick ,  LEDIG, Johannes ,  NEUMANN, Richard ,  WAAG, Andreas

IPC: H01L33/18

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/385 ,  H01L33/42 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016

Abstract: The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip, comprising a plurality of active regions (1) that are arranged at a distance from each other and a substrate (2) that is arranged on an underside (1a) of the plurality of active regions (1), wherein one of the active regions (1) has a main extension direction (R), the active region (1) has a core region (10) that is formed using a first semiconductor material, the active region (1) has an active layer (11) that which covers the core region (10) at least in directions (x, y) perpendicular to the main extension direction (R) of the active region (1), and the active region (1) has a cover layer (12) that is formed using a second semiconductor material and covers the active layer (11) at least in directions (x, y) perpendicular to the main extension direction (R) of the active region (11).