公开(公告)号：WO2013127672A1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：PCT/EP2013/053371

申请日：2013-02-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MANDL, Martin ,  STRASSBURG, Martin ,  KÖLPER, Christopher ,  PFEUFFER, Alexander ,  RODE, Patrick ,  LEDIG, Johannes ,  NEUMANN, Richard ,  WAAG, Andreas

IPC: H01L33/18

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/385 ,  H01L33/42 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben mit: - einer Vielzahl aktiver Bereiche (1), die beabstandet zueinander angeordnet sind, und - einem Träger (2), der an einer Unterseite (1a) der Vielzahl aktiver Bereiche (1) angeordnet ist, wobei - einer der aktiven Bereiche (1) eine Haupterstreckungsrichtung (R) aufweist, - der aktive Bereich (1) einen Kernbereich (10) aufweist, der mit einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist, - der aktive Bereich (1) eine aktive Schicht (11) aufweist, die den Kernbereich (10) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (1) bedeckt, und - der aktive Bereich (1) eine Deckschicht (12) aufweist, die mit einem zweiten Halbleitermaterial gebildet ist und die aktive Schicht (11) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (11) bedeckt.

Abstract translation: 它是设置有光电子半导体芯片： - 多个有源区（1），其被布置为彼此间隔开的，和 - 支撑的（1a）中（2），所述多个有源区（1）的被布置在底面，其特征在于， - 具有有源区中的一个（1）具有主延伸方向（R）， - 所述有源区（1）具有一个芯部区域，其与第一半导体材料（10）形成， - 所述有源区（1）的有源层（11）包括 至少所述芯区（10）在方向（x，y）的横向于所述主延伸方向（1）覆盖所述有源区的（R），以及 - 具有第二半导体材料形成具有有源区（1）的覆盖层（12） 和有源层（11）至少在方向（x，y）的横向于所述有源区的主延伸方向（R）（11）覆盖。

公开(公告)号：EP2820684A1

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：EP13708711.0

申请日：2013-02-20

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： MANDL, Martin ,  STRASSBURG, Martin ,  KÖLPER, Christopher ,  PFEUFFER, Alexander ,  RODE, Patrick ,  LEDIG, Johannes ,  NEUMANN, Richard ,  WAAG, Andreas

IPC: H01L33/18

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/385 ,  H01L33/42 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016

Abstract: The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip, comprising a plurality of active regions (1) that are arranged at a distance from each other and a substrate (2) that is arranged on an underside (1a) of the plurality of active regions (1), wherein one of the active regions (1) has a main extension direction (R), the active region (1) has a core region (10) that is formed using a first semiconductor material, the active region (1) has an active layer (11) that which covers the core region (10) at least in directions (x, y) perpendicular to the main extension direction (R) of the active region (1), and the active region (1) has a cover layer (12) that is formed using a second semiconductor material and covers the active layer (11) at least in directions (x, y) perpendicular to the main extension direction (R) of the active region (11).