公开(公告)号：WO2012126735A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：PCT/EP2012/053914

申请日：2012-03-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SABATHIL, Matthias ,  PLÖSSL, Andreas ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  LINKOV, Alexander ,  RODE, Patrick

Inventor： SABATHIL, Matthias ,  PLÖSSL, Andreas ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  LINKOV, Alexander ,  RODE, Patrick

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/22 ,  H01L33/26 ,  H01L33/32 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504

Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauteil angegeben, mit - einem ersten Halbleiterkörper (1), der eine aktive Zone (11) umfasst, in der im Betrieb des Licht emittierenden Halbleiterbauteils elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, die den ersten Halbleiterkörper (1) zumindest teilweise durch eine Strahlungsaustrittsfläche (1a) hindurch verlässt, und - einem zweiten Halbleiterkörper (2), der zur Konversion der elektromagnetischen Strahlung in konvertierte elektromagnetische Strahlung kleinere Wellenlänge geeignet ist, wobei - der erste Halbleiterkörper (1) und der zweite Halbleiterkörper (2) getrennt voneinander gefertigt sind, - der zweite Halbleiterkörper (2) elektrisch inaktiv ist, und - der zweite Halbleiterkörper (2) sich in direktem Kontakt mit der Strahlungsaustrittfläche (1a) befindet und dort verbindungsmittelfrei am ersten Halbleiterkörper (1) befestigt ist.

Abstract translation: 本发明公开一种发光半导体器件，包括： - 第一半导体本体（1），它包括一个有源区（11），在光半导体装置的操作期间的发射产生的电磁辐射，所述第一半导体本体（1）至少部分地由一 辐射出射表面（1a）的通过叶，以及 - 第二半导体主体（2），其适合用于将电磁辐射转换成转换后的电磁辐射更短的波长，其特征在于， - 所述第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）彼此分开地制造， - 所述第二半导体本体（2）是电惰性，以及 - 所述第二半导体本体（2）与所述辐射出射表面（1a）的直接接触，并有连接装置自由所述第一半导体本体（1）附接在。

公开(公告)号：WO2012052257A2

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：PCT/EP2011/066687

申请日：2011-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BERGBAUER, Werner ,  RODE, Patrick ,  STRASSBURG, Martin

Inventor： BERGBAUER, Werner ,  RODE, Patrick ,  STRASSBURG, Martin

IPC: H01L33/38

CPC classification number: H01L33/12 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L33/508 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48463

Abstract: Es ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Halbleiterschichtenstapel (1) aus einem nitridischen Verbindungshalbleitermaterial auf einem Trägersubstrat (2) angegeben, wobei das Trägersubstrat (2) eine Oberfläche (2a) aufweist, die Silizium enthält. Der Halbleiterschichtenstapel (1) weist eine Ausnehmung (3) auf, die sich von einer Rückseite (1e) des Halbleiterschichtenstapels (1) durch eine aktive Schicht (1a) zu einer Schicht (1b) eines ersten Leitfähigkeitstyps erstreckt. Die Schicht (1b) des ersten Leitfähigkeitstyps ist mittels einer ersten elektrischen Anschlussschicht (4), welche die Rückseite (1e) zumindest stellenweise bedeckt, durch die Ausnehmung (3) hindurch elektrisch angeschlossen. Eine Schicht (1c) eines zweiten Leitfähigkeitstyps ist mittels einer zweiten elektrischen Anschlussschicht (5), die an der Rückseite (1e) angeordnet ist, elektrisch angeschlossen. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterchips (10) angegeben.

Abstract translation: 它是具有载体衬底（2）上由氮化物化合物半导体材料构成的半导体层堆叠（1），其中所述载体基片（2）具有一表面（2A）的光电子半导体芯片（10），其中包含硅。 半导体层堆叠（1）具有从后方侧延伸的凹部（3）通过的有源层（1a）的第一导电类型的层（1b）中的半导体层堆叠（1）的（1E）。 由在由凹部（3）覆盖的地方通过至少背面侧（1E）电连接的第一电连接层（4）的装置中的第一导电类型的层（1b）中。 由布置在后侧（1E）的第二电连接层（5），电连接的装置的第二导电类型的层（1c）中。 此外，被指定用于制造这样的半导体芯片（10）的方法。

公开(公告)号：WO2012034828A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：PCT/EP2011/064386

申请日：2011-08-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ENGL, Karl ,  MAUTE, Markus ,  WEIMAR, Andreas ,  HÖPPEL, Lutz ,  RODE, Patrick ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  VON MALM, Norwin

Inventor： ENGL, Karl ,  MAUTE, Markus ,  WEIMAR, Andreas ,  HÖPPEL, Lutz ,  RODE, Patrick ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/10 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: An optoelectronic semiconductor chip is specified, comprising a semiconductor layer sequence (2) and a carrier substrate (10), wherein a first (7) and a second electrical contact layer (8) are arranged at least in regions between the carrier substrate (10) and the semiconductor layer sequence (2) and are electrically insulated from one another by an electrically insulating layer (9), and comprising a mirror layer (6), which is arranged between the semiconductor layer sequence (2) and the carrier substrate (10). The mirror layer (6) adjoins partial regions of the first electrical contact layer (7) and partial regions (19) of the electrically insulating layer (9), wherein the partial regions (19) of the electrically insulating layer (9) which adjoin the mirror layer (6) are covered by the second electrical contact layer (8) in such a way that at no point do they adjoin a surrounding medium of the optoelectronic semiconductor chip (1). The semiconductor layer sequence (2) has a cut-out (17), in which the first electrical contact layer (7) is uncovered in order to form a connection contact (14).

Abstract translation: 规定了包括半导体层序列（2）和载体基板（10）的光电半导体芯片，其中第一（7）和第二电接触层（8）至少布置在载体基板（10） ）和半导体层序列（2），并且通过电绝缘层（9）彼此电绝缘，并且包括布置在半导体层序列（2）和载体基板（2）之间的镜面层（6） 10）。 镜层（6）邻接第一电接触层（7）的部分区域和电绝缘层（9）的部分区域（19），其中电绝缘层（9）的部分区域（19） 镜层（6）被第二电接触层（8）覆盖，使得它们不会与光电半导体芯片（1）的周围介质邻接。 半导体层序列（2）具有切口（17），其中第一电接触层（7）未被覆盖以形成连接接触（14）。

公开(公告)号：WO2011117056A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：PCT/EP2011/053327

申请日：2011-03-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BERGBAUER, Werner ,  STRASSBURG, Martin ,  LUGAUER, Hans-Juergen ,  RODE, Patrick

Inventor： BERGBAUER, Werner ,  STRASSBURG, Martin ,  LUGAUER, Hans-Juergen ,  RODE, Patrick

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/18 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0083

Abstract: Es wird ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben mit zumindest einer epitaktisch entlang einer Wachstumsrichtung (91, 92) gewachsenen Halbleiterschichtenfolge (10), die auf einem Gruppe-III-Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basiert und die in Wachstumsrichtung Stickstoff-Polarität aufweist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) in Wachstumsrichtung (91, 92) eine n-dotierte Halbleiterschicht (11) und darüber eine aktive Zone (12) aufweist, wobei die aktive Zone (12) zumindest eine aktive Schicht enthält, die im Betrieb des Halbleiterbauelements elektromagnetische Strahlung abstrahlt, und wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) als Nanostab ausgebildet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eins Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements angegeben.

Abstract translation: 它是沿着生长方向外延设有至少一个发射辐射的半导体器件（91，92）生长的半导体层序列（10），它是基于III族氮化物化合物半导体材料和包含在生长氮极性的方向，其特征在于，所述半导体层序列（10） 在生长方向（91，92）的n掺杂半导体层（11）和有源区（12），其中，所述有源区（12）至少包含该半导体器件的操作期间发射电磁辐射的有源层之上，并且其中所述 半导体层序列（10）被设计为一个纳米棒。 此外，用于制备方法中给出一个发射辐射的半导体部件。

公开(公告)号：WO2010136326A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：PCT/EP2010/056366

申请日：2010-05-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HÖPPEL, Lutz ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  VON MALM, Norwin ,  RODE, Patrick ,  ILLEK, Stefan

Inventor： HÖPPEL, Lutz ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  VON MALM, Norwin ,  RODE, Patrick ,  ILLEK, Stefan

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L27/15 ,  H01L33/64 ,  H01L33/38 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L25/167 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterchips (90) umfasst dieser einen Träger (10) mit zwei elektrischen Durchkontaktierungen (30, 70). Weiterhin beinhaltet der Halbleiterchip mindestens eine Halbleiterschichtenfolge (1). Ferner beinhaltet der Halbleiterchip (90) zwei elektrische Anschlussschichten (3, 7). Die Anschlussschichten (3, 7) überlappen hierbei in einer lateralen Richtung und sind durch eine Trennschicht elektrisch voneinander isoliert. Ein Teil der zweiten Anschlussschicht erstreckt sich über mindestens einen Durchbruch weg von dem Träger und hindurch durch die erste Anschlussschicht. Außerdem weist der Halbleiterchip mindestens eine elektrisch leitfähige Haftvermittlungsschicht auf. Über eine Unterbrechung ist die mindestens eine Haftvermittlungsschicht derart durchtrennt, dass über die Haftvermittlungsschicht keine elektrische Verbindung zwischen den Durchkontaktierungen hergestellt ist. Des Weiteren weist der Halbleiterchip wenigstens eine elektrisch leitfähige Brücke auf. Die Unterbrechung und eine Durchkontaktierung sind nicht von der Halbleiterschichtenfolge überdeckt.

Abstract translation: 在一个支撑件（10），具有两个电通孔（30，70）的表面安装光电子半导体芯片（90）的至少一个实施例。 此外，半导体芯片包括至少一个半导体层序列（1）。 此外，半导体芯片（90）包括两个电连接层（3，7）。 连接层（3，7）这种重叠在横向方向上，并且彼此电通过分离层绝缘。 第二连接层的一部分的至少一个孔离开所述载体并通过第一连接层上延伸。 此外，至少一个导电粘合剂层上的半导体芯片。 通过中断所述至少一个粘接层是这样切割，没有电连接的粘合增进层在通孔之间进行比较。 此外，半导体芯片的至少一个导电桥。 中断以及通过不被半导体层序列覆盖。

公开(公告)号：WO2013127672A1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：PCT/EP2013/053371

申请日：2013-02-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MANDL, Martin ,  STRASSBURG, Martin ,  KÖLPER, Christopher ,  PFEUFFER, Alexander ,  RODE, Patrick ,  LEDIG, Johannes ,  NEUMANN, Richard ,  WAAG, Andreas

IPC: H01L33/18

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/385 ,  H01L33/42 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben mit: - einer Vielzahl aktiver Bereiche (1), die beabstandet zueinander angeordnet sind, und - einem Träger (2), der an einer Unterseite (1a) der Vielzahl aktiver Bereiche (1) angeordnet ist, wobei - einer der aktiven Bereiche (1) eine Haupterstreckungsrichtung (R) aufweist, - der aktive Bereich (1) einen Kernbereich (10) aufweist, der mit einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist, - der aktive Bereich (1) eine aktive Schicht (11) aufweist, die den Kernbereich (10) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (1) bedeckt, und - der aktive Bereich (1) eine Deckschicht (12) aufweist, die mit einem zweiten Halbleitermaterial gebildet ist und die aktive Schicht (11) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (11) bedeckt.

Abstract translation: 它是设置有光电子半导体芯片： - 多个有源区（1），其被布置为彼此间隔开的，和 - 支撑的（1a）中（2），所述多个有源区（1）的被布置在底面，其特征在于， - 具有有源区中的一个（1）具有主延伸方向（R）， - 所述有源区（1）具有一个芯部区域，其与第一半导体材料（10）形成， - 所述有源区（1）的有源层（11）包括 至少所述芯区（10）在方向（x，y）的横向于所述主延伸方向（1）覆盖所述有源区的（R），以及 - 具有第二半导体材料形成具有有源区（1）的覆盖层（12） 和有源层（11）至少在方向（x，y）的横向于所述有源区的主延伸方向（R）（11）覆盖。

公开(公告)号：WO2012028509A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：PCT/EP2011/064550

申请日：2011-08-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  RODE, Patrick ,  VON MALM, Norwin ,  HÖPPEL, Lutz

Inventor： RODE, Patrick ,  VON MALM, Norwin ,  HÖPPEL, Lutz

IPC: H01L41/107 ,  H01L25/16 ,  F21K99/00

CPC classification number: F21K9/50 ,  F21K9/60 ,  F21V7/00 ,  F21V23/02 ,  F21V23/023 ,  F21Y2115/10 ,  H01L41/107

Abstract: Es wird angegeben eine Leuchtdiodenanordnung (1) mit einem rahmenförmigen Piezo-Transformator (2), der zumindest einen ausgangsseitigen Anschluss (50, 51) aufweist, und mit einem Leuchtdiodenmodul (3) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, das innerhalb des rahmenförmigen Piezo-Transformators angeordnet und mittels zumindest eines ausgangsseitigen elektrischen Leiters (5) elektrisch an den ausgangsseitigen Anschlussdes Piezo-Transformators angeschlossen ist, wobei die von dem Leuchtdiodenmodul in Richtung des Piezo-Transformators emittierte Strahlung an diesem reflektiert wird.

Abstract translation: 提供了一种灯带框状压电变压器的发光二极管器件（1）（2）具有至少一个输出侧端子（50，51），并与用于产生电磁辐射，所述框状的压电变压器的内部的发光二极管模块（3） 被布置，并通过至少一个输出侧的电导体（5），其中，从所述光中的压电变压器的辐射的方向的发光二极管模块发出的光被反射在其上的装置电连接到所述压电变压器的输出侧端子。

公开(公告)号：WO2011154180A2

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：PCT/EP2011/055848

申请日：2011-04-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  VON MALM, Norwin ,  MAIWALD, Hubert ,  KRAUS, Robert ,  RODE, Patrick ,  WIRTH, Ralph

Inventor： VON MALM, Norwin ,  MAIWALD, Hubert ,  KRAUS, Robert ,  RODE, Patrick ,  WIRTH, Ralph

IPC: H05B41/392 ,  H05B33/08

CPC classification number: H05B37/00 ,  F21K9/232 ,  F21K9/233 ,  F21V3/00 ,  F21V23/026 ,  F21V29/70 ,  F21V29/74 ,  F21V29/89 ,  F21Y2101/00 ,  F21Y2105/10 ,  F21Y2115/10 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/08 ,  H01L33/62 ,  H01L33/647 ,  H01L41/044 ,  H01L41/107 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H05B33/0806 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird eine Leuchtdiodenanordnung angegeben, mit einem Piezo-Transformator (1), der zumindest eine ausgangseitige Anschlussstelle (11) aufweist, und einer Hochvolt-Leuchtdiode (2), die einen Hochvolt- Leuchtdiodenchip (21) umfasst, wobei die Hochvolt-Leuchtdiode (2) elektrisch an die ausgangseitige Anschlussstelle (11) des Piezo-Transformators (1) angeschlossen ist und der Hochvolt-Leuchtdiodenchip (21) zumindest zwei aktive Bereiche umfasst, die zueinander in Reihe geschaltet sind.

Abstract translation: 提供了一种发光二极管布置，具有压电变压器（1）具有至少一个输出侧连接点（11），和高电压的发光二极管（2），包括一个高电压的发光二极管芯片（21），其特征在于，所述高电压发光二极管（ 2）电（输出侧连接的压电变压器（1）的点11）连接和高电压的发光二极管芯片（21）包括被相互串联连接的至少两个活性区域。

公开(公告)号：WO2010136304A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：PCT/EP2010/055986

申请日：2010-05-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BAUR, Elmar ,  HEINDL, Alexander ,  BOEHM, Bernd ,  RODE, Patrick ,  ZULL, Heribert

Inventor： BAUR, Elmar ,  HEINDL, Alexander ,  BOEHM, Bernd ,  RODE, Patrick ,  ZULL, Heribert

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L33/005 ,  H01L33/20

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben, mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines ersten Wafers (1), welcher eine strukturierte Oberfläche (11) aufweist, wobei die strukturierte Oberfläche (11) zumindest stellenweise durch Erhebungen (E1, E2) erster (H1) und zweiter Höhe (H2) gebildet ist, wobei die erste Höhe (H1) größer ist als die zweite Höhe (H2); - Bereitstellen eines zweiten Wafers (3); - Aufbringen eines Fotolacks (2) auf die Außenflächen des zweiten Wafers (3); - Strukturieren der dem zweiten Wafer (3) abgewandten Oberfläche des Fotolacks (2) durch Abdrucken der strukturierten Oberfläche (11) des ersten Wafers (1) in den Fotolack (2), wobei die Erhebungen (E1, E2) als Gräben (G1, G2) erster und zweiter Tiefe in den Fotolack (2) abgedruckt werden; - Anwendung eines Strukturierungsverf ahrens (6) auf die strukturierte Oberfläche (21) des Fotolacks (2), wobei - die auf dem Fotolack (2) aufgebrachte Struktur zumindest stellenweise auf die Außenfläche (30) des zweiten Wafers (3) übertragen wird.

Abstract translation: 公开的是用于制造光电子半导体器件，其包括以下步骤的方法： - 提供（1）具有结构化表面（11），第一晶片，其中所述结构化表面（11）至少局部地通过凸起（E1，E2） 首先（H1）形成，并且第二高度（H2），其中，所述第一高度（H1）比所述第二高度（H2）更大; - 提供第二晶片（3）; - 施加抗蚀剂（2）所述第二晶片的外表面（3）上; - 通过在光致抗蚀剂（2）压印在第一晶片（1）的图案化表面（11），图案化（3）的面向远离所述光致抗蚀剂（2）的表面的第二晶片，其中所述凸起（E1，E2）（如沟槽G1， G2）的第一和第二深度（在光致抗蚀剂2）将被打印; - 一个Strukturierungsverf Ahrens的（6）到所述光致抗蚀剂（2），其中，所述结构化表面（21）的应用 - 的光致抗蚀剂（2）施加的结构被至少局部地转移到第二晶片（3）的外表面（30）。

公开(公告)号：WO2010060404A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：PCT/DE2009/001524

申请日：2009-10-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  VON MALM, Norwin ,  RODE, Patrick ,  HÖPPEL, Lutz ,  ENGL, Karl

Inventor： MOOSBURGER, Jürgen ,  VON MALM, Norwin ,  RODE, Patrick ,  HÖPPEL, Lutz ,  ENGL, Karl

IPC: H01L25/16 ,  H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L27/15 ,  H01L25/167 ,  H01L33/005 ,  H01L33/02 ,  H01L33/08 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist. In dem Halbleiterkörper (2) mit der Halbleiterschichtenfolge ist ein Emissionsbereich (23) und ein Schutzdiodenbereich (24) gebildet. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der dem Träger (5) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet. Der Emissionsbereich (23) weist eine Ausnehmung (25) auf, die sich durch den aktiven Bereich hindurch erstreckt. Die erste Halbleiterschicht (21) ist im Emissionsbereich (23) elektrisch leitend mit einer ersten Anschlussschicht (31) verbunden, wobei sich die erste Anschlussschicht in der Ausnehmung (25) von der ersten Halbleiterschicht (21) in Richtung des Trägers (5) erstreckt. Die erste Anschlussschicht im Schutzdiodenbereich (24) ist mit der zweiten Halbleiterschicht (22) elektrisch leitend verbunden. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben.

Abstract translation: 提供了一种具有一个支撑件（5）和（2），其具有半导体层序列的半导体主体中的发射辐射的半导体芯片（1）。 在半导体主体（2）与该半导体层序列，发射区域（23）和一个保护二极管区（24）形成。 半导体层序列包括打算用于第一半导体层（21）和被布置在第二半导体层（22）之间产生辐射激活区（20）。 在第一半导体层（21）是在（5）的面对从有源区域（20）离开侧上的支撑。 发射区域（23）具有延伸穿过所述活性区域穿过其的凹部（25）。 在发射区（23）中的第一半导体层（21）被导电地连接到第一连接层（31），其中，从在所述载体（5）的方向上的第一半导体层（21）延伸在所述凹部（25）的第一连接层。 在保护二极管区（24）的第一连接层连接到导电连接在第二半导体层（22）。 此外，被指定用于制造发射辐射的半导体芯片的方法。