公开(公告)号：DE102016220915A1

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：DE102016220915

申请日：2016-10-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： OTTO ISABEL ,  PFEUFFER ALEXANDER ,  GÖÖTZ BRITTA ,  MALM NORWIN VON

IPC: H01L33/50 ,  H01L27/15 ,  H01L33/08

Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die folgenden Schritte:Bereitstellen einer Primärlichtquelle (2) mit einem Träger (21) und einer darauf angebrachten Halbleiterschichtenfolge (22) zur Erzeugung von Primärlicht (B), wobei die Halbleiterschichtenfolge (22) in eine Vielzahl von elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbaren Bildpunkten (24) strukturiert wird und der Träger (21) eine Vielzahl von Ansteuereinheiten (23) zur Ansteuerung der Bildpunkte (24) umfasst,Bereitstellen einer Konversionseinheit (3, 4), die dazu eingerichtet ist, das Primärlicht (B) in Sekundärlicht (G, R) umzuwandeln, wobei die Konversionseinheit (3, 4) zusammenhängend aus einem Halbleitermaterial (31, 41) gewachsen wird,Strukturieren der Konversionseinheit (3, 4), wobei Teilgebiete des Halbleitermaterials (31, 41) entsprechend den Bildpunkten (24) entfernt werden, undAufbringen der Konversionseinheit (3, 4) auf die Halbleiterschichtenfolge (22), sodass das verbleibende Halbleitermaterial (31, 41) einem Teil der Bildpunkte (24) eindeutig zugeordnet wird.

公开(公告)号：DE112013004276A5

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：DE112013004276

申请日：2013-08-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PFEUFFER ALEXANDER

IPC: H01L33/40 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

公开(公告)号：DE102012111245A1

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：DE102012111245

申请日：2012-11-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PFEUFFER ALEXANDER

IPC: H01L33/40 ,  H01L21/28 ,  H01L23/48 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Anschlussbereichs (70) eines optoelektronischen Halbleiterchips (100) mit den folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips (100), – Ausbilden oder Freilegen einer Saatschicht (6) an einer Außenfläche (100a) des optoelektronischen Halbleiterchips (100), und – stromloses Abscheiden einer Kontaktschichtenfolge (7) auf der Saatschicht (6), wobei – die Saatschicht (6) mit einem Metall gebildet ist, welches das stromlose Abscheiden von Nickel auf der Saatschicht (6) ermöglicht, – die Kontaktschichtenfolge (7) als erste, der Saatschicht (6) zugewandte Schicht eine Nickelschicht (71) umfasst, und – die Kontaktschichtenfolge (7) an ihrer der Saatschicht (6) abgewandten Seite eine Kontaktfläche (7a) aufweist, über die der optoelektronische Halbleiterchip (100) elektrisch kontaktierbar ist.

公开(公告)号：DE102012101718A1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：DE102012101718

申请日：2012-03-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  TECH UNI CAROLO WILHELMINA ZU BRAUNSCHWEIG

Inventor： MANDL MARTIN ,  STRASBURG MARTIN ,  KOELPER CHRISTOPHER ,  PFEUFFER ALEXANDER ,  RODE PATRICK ,  LEDIG JOHANNES ,  NEUMANN RICHARD ,  WAAG ANDREAS

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/38

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben mit: – einer Vielzahl aktiver Bereiche (1), die beabstandet zueinander angeordnet sind, und – einem Träger (2), der an einer Unterseite (1a) der Vielzahl aktiver Bereiche (1) angeordnet ist, wobei – einer der aktiven Bereiche (1) eine Haupterstreckungsrichtung (R) aufweist, – der aktive Bereich (1) einen Kernbereich (10) aufweist, der mit einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist, – der aktive Bereich (1) eine aktive Schicht (11) aufweist, die den Kernbereich (10) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (1) bedeckt, und – der aktive Bereich (1) eine Deckschicht (12) aufweist, die mit einem zweiten Halbleitermaterial gebildet ist und die aktive Schicht (11) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (11) bedeckt.

公开(公告)号：DE102018122568A1

公开(公告)日：2020-03-19

申请号：DE102018122568

申请日：2018-09-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  PFEUFFER ALEXANDER ,  NEVELING KERSTIN

IPC: H01L33/38 ,  F21S41/141 ,  F21S43/14

Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (15). Der optoelektronische Halbleiterchip weist eine erste Halbleiterschicht (100) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (110) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, ein erstes Kontaktelement (115), das mit der ersten Halbleiterschicht (100) elektrisch leitend verbunden ist, und ein zweites Kontaktelement (117), das mit der zweiten Halbleiterschicht (110) elektrisch leitend verbunden ist, auf. Die erste Halbleiterschicht (100) und die zweite Halbleiterschicht (110) sind unter Ausbildung eines Schichtstapels übereinander angeordnet. Die erste Halbleiterschicht (100) ist strukturiert, so dass ein Teil der zweiten Halbleiterschicht (110) freiliegt. Das erste Kontaktelement (115) ist über der ersten Halbleiterschicht (100) angeordnet, und das zweite Kontaktelement (117) ist über der ersten Halbleiterschicht (100) angeordnet. Teile des ersten Kontaktelements (115) sind auf derselben vertikalen Höhe angeordnet wie Teile des zweiten Kontaktelements (117) innerhalb eines Bereichs, in dem das zweite Kontaktelement (117) mit der ersten Halbleiterschicht (100) überlappt.

公开(公告)号：DE102019101544A1

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：DE102019101544

申请日：2019-01-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MÜLLER JENS ,  WINNERL ANDREA ,  HUPPMANN SOPHIA ,  PFEUFFER ALEXANDER

IPC: H01L33/36 ,  H01L21/768

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen Halbleiterkörper (2), der eine Schichtenfolge (2.1, 2.2, 3.3) mit einer aktiven Region aufweist; eine auf der Schichtenfolge (2.1, 2.2) angeordnete erste dielektrische Schicht (3.2), die eine Vielzahl von ersten Bereichen und einen zweiten Bereich aufweist. Eine erste Durchkontaktierung (3.2A) ist in jedem ersten Bereich angeordnet, um eine erste Seite der aktiven Region zu kontaktieren, und eine zweite Durchkontaktierung (3.5) ist im zweiten Bereich angeordnet, um eine zweite Seite der aktiven Region zu kontaktieren. Eine leitfähige Schicht (3.1) umfasst eine Vielzahl von ersten Regionen, die gegenüber einer zweiten Region elektrisch isoliert sind, wobei die leitfähige Schicht (3.1) eine im Wesentlichen ebene Oberfläche aufweist und eben auf der Vielzahl von ersten Bereichen und dem zweiten Bereich angeordnet ist, so, dass jede von der Vielzahl von ersten Regionen der leitfähigen Schicht in Kontakt mit der ersten Durchkontaktierung (3.2A) im jeweiligen Bereich von der Vielzahl von ersten Bereichen steht und die zweite Region der leitfähigen Schicht in Kontakt mit der zweiten Durchkontaktierung (3.5) der ersten dielektrischen Schicht (3.2) steht.

公开(公告)号：DE102016111113A1

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：DE102016111113

申请日：2016-06-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PFEUFFER ALEXANDER

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei – der Halbleiterkörper eine Halbleiterschichtenfolge mit einer ersten Halbleiterschicht (21), einer zweiten Halbleiterschicht (22) und einem zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordneten, zur Erzeugung oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist; – der Halbleiterkörper einen Funktionsbereich (24) aufweist, in dem die erste Halbleiterschicht mit einer ersten Anschlussschicht und die zweite Halbleiterschicht mit einer zweiten Anschlussschicht elektrisch leitend verbunden sind; – auf einer dem Halbleiterkörper abgewandten Seite der ersten Anschlussschicht eine Isolationsschicht (4) angeordnet ist; – in der Isolationsschicht eine Unterbrechung (45) ausgebildet ist, die einen inneren Teilbereich (41) der Isolationsschicht in lateraler Richtung zumindest stellenweise begrenzt; – die Unterbrechung den Funktionsbereich in lateraler Richtung umläuft; und – die Unterbrechung in Draufsicht auf das Halbleiterbauelement mit dem aktiven Bereich überlappt.

公开(公告)号：DE112013005579A5

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：DE112013005579

申请日：2013-10-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PFEUFFER ALEXANDER

IPC: H01L33/40

公开(公告)号：DE102012107921A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：DE102012107921

申请日：2012-08-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PFEUFFER ALEXANDER

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) angegeben, umfassend die folgenden Schritte: – Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (10), – Anordnen einer metallischen Spiegelschicht (21) an einer Oberseite der Halbleiterschichtenfolge (10), – Anordnen einer Spiegelschutzschicht (3) zumindest an freiliegenden Seitenflächen (21c) der Spiegelschicht, – teilweise Entfernen der Halbleiterschichtenfolge (10), wobei – die Spiegelschicht (21) Öffnungen (23) zur Halbleiterschichtenfolge (10) hin aufweist, die in lateralen Richtungen (l) von der Spiegelschutzschicht (3) umrandet werden, – das teilweise Entfernen der Halbleiterschichtenfolge (10) im Bereich der Öffnungen (23) der Spiegelschicht (21) erfolgt, – das Anordnen der Spiegelschutzschicht (3) an den freiliegenden Seitenflächen (21c) der Spiegelschicht (21) selbstjustierend erfolgt.

公开(公告)号：DE102021113046A1

公开(公告)日：2022-11-24

申请号：DE102021113046

申请日：2021-05-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PFEUFFER ALEXANDER ,  STANKE IGOR

IPC: G09G3/32 ,  G06F3/042

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Displayanordnung mit einer Vielzahl von in Reihen und Spalten angeordnete Pixel, von denen jedes drei Subpixel umfasst, und jedem Subpixel ein programmierbarer Strompfad mit wenigstens einem dazu in Reihe geschalteten optoelektronischen Bauelement zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung zugeordnet ist. Eine Ansteuerschaltung ist ausgeführt, während eines ersten Zeitraums einen Strom durch den programmierbaren Strompfad zu programmieren und während eines nachfolgenden zweiten Zeitraumes den programmierbaren Strompfad anzusteuern zur Versorgung des wenigstens einen optoelektronischen Bauelement mit dem programmierten Strom. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass wenigstens einige erste Subpixel der Vielzahl von in Reihen und Spalten angeordnete Pixel einen zwischen Strompfad und optoelektronischen Bauelement angeordneten schaltbaren Ausleseanschluss aufweisen; und die Ansteuerschaltung ausgeführt ist, während des ersten Zeitraumes ein durch die optoelektronischen Bauelemente der wenigstens einigen ersten Subpixel der Vielzahl von in Reihen und Spalten angeordnete Pixel erzeugtes Photosignal am schaltbaren Ausleseanschluss zu erfassen.