公开(公告)号：DE112015004073B4

公开(公告)日：2025-02-06

申请号：DE112015004073

申请日：2015-09-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： OTTO ISABEL ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  SCHOLZ DOMINIK

IPC: H10H20/831 ,  H10F30/21 ,  H10F39/18 ,  H10F77/20 ,  H10H20/813 ,  H10H29/14

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils, aufweisend die folgenden Schritte:A) Bereitstellen einer strukturierten Halbleiterschichtenfolge (21, 22, 23) aufweisend- eine einstückig ausgebildete erste Halbleiterschicht (21) mit einer Bodenfläche (21c), einer Haupterstreckungsebene, zumindest einer Vertiefung (211), insbesondere einer Vielzahl von Vertiefungen (211), und einer der Bodenfläche (21c) abgewandten ersten Deckfläche (21a) im Bereich der Vertiefungen (211),- eine aktive Schicht (23) und- eine zweite Halbleiterschicht (22) an einer der ersten Halbleiterschicht (21) abgewandten Seite der aktiven Schicht (23), wobei- die aktive Schicht (23) und die zweite Halbleiterschicht (22) gemeinsam strukturiert sind und zusammen mit der ersten Halbleiterschicht (21) zumindest einen Emissionsbereich (3) bildet,B) Gleichzeitiges Aufbringen einer ersten Kontaktschicht (41) auf der ersten Deckfläche (21a) und einer zweiten Kontaktschicht (42) auf der ersten Halbleiterschicht (21) abgewandten zweiten Deckfläche (3a) des zumindest einen Emissionsbereichs (3) derart, dass- die erste Kontaktschicht (41) und die zweite Kontaktschicht (42) elektrisch voneinander getrennt sind,- die erste Kontaktschicht (41) und die zweite Kontaktschicht (42) im Rahmen der Herstellungstoleranzen parallel zueinander und zur Haupterstreckungsebene verlaufen und- während des Herstellungsverfahrens keine Passivierungsschicht verwendet wird, wodurch die erste Deckfläche (21a) vor dem Aufbringen der ersten Kontaktschicht (41) freiliegt und hierdurch die erste Deckfläche (21a) vollständig mit der ersten Kontaktschicht (41) bedeckt wird.

公开(公告)号：DE102017110076A1

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：DE102017110076

申请日：2017-05-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER CHRISTIAN ,  OTTO ISABEL

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/08 ,  H01L33/38

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements mit den folgenden Schritten angegeben:- Bereitstellen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) mit einer ersten Hauptfläche, die eine Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips (1) umfasst,- Aufbringen einer metallischen Keimschicht (5) auf eine zweite Hauptfläche des Halbleiterchips (1), die der ersten Hauptfläche gegenüberliegt,- galvanisches Abscheiden einer ersten metallischen Schicht (10) auf der Keimschicht (5) zur Bildung einer ersten elektrischen Kontaktstelle (12) und einer zweiten elektrischen Kontaktstelle (12),- galvanisches Abscheiden einer zweiten metallischen Schicht (11) auf der ersten metallischen Schicht (10) zur Bildung der ersten elektrischen Kontaktstelle (12) und der zweiten elektrischen Kontaktstelle (12), wobei das Material der ersten metallische Schicht (10) und das Material der zweiten metallischen Schicht (11) verschieden sind, und- Aufbringen einer Vergussmasse (15) zwischen die Kontaktstellen (12).Weiterhin wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben.

公开(公告)号：DE102017107201A1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：DE102017107201

申请日：2017-04-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： OTTO ISABEL ,  LEIRER CHRISTIAN

IPC: H01L33/48 ,  H01L21/50

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben, mit den Schritten:a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zum Erzeugen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), der eine Mehrzahl von Emissionsbereichen (3) aufweist;b) Ausbilden einer Mehrzahl von ersten Kontaktstellen (41), die jeweils mit einem Emissionsbereich elektrisch leitend verbunden sind, auf der Halbleiterschichtenfolge;c) Befüllen der Zwischenräume (45) zwischen den Kontaktstellen mit einer Formmasse (50); undd) Anordnen der Halbleiterschichtenfolge auf einem Anschlussträger (6) mit einer Ansteuerschaltung (65) und einer Mehrzahl von Anschlussflächen (61), wobei die ersten Kontaktstellen jeweils mit einer Anschlussfläche elektrisch leitend verbunden werden und die Emissionsbereiche mittels der Ansteuerschaltung unabhängig voneinander ansteuerbar sind.Weiterhin wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben.

公开(公告)号：DE102016103353A1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：DE102016103353

申请日：2016-02-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHOLZ DOMINIK ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  OTTO ISABEL

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) mit den Schritten: A) Bereitstellen eines Wachstumssubstrats (1), B) Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (2), C) Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge (2), D) Aufbringen einer Opferschicht (3), E) Abscheiden einer Metallschicht (4), F) optional Planarisieren mit einem dielektrischen Material (5), G) Ausbilden eines zweiten Anschlusskontaktes (8) durch den aktiven Bereich (25), H) Aufbringen eines permanenten Trägers (6), und I) Ablösen des Wachstumssubstrats (1) und Freilegen der Metallschicht (4).

公开(公告)号：WO2016034489A9

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：PCT/EP2015069645

申请日：2015-08-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： OTTO ISABEL ,  STOLL ION

IPC: H01L33/50 ,  C25D13/02 ,  C25D13/12 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L33/504 ,  C25D13/02 ,  C25D13/12 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/156 ,  H01L33/005 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a method for producing an optoelectronic semiconductor component, comprising the following steps: - provision of a semiconductor body (10); - application of a photoconductive layer (34) to a radiation output surface (31) of the semiconductor body, said semiconductor body being designed to emit electromagnetic radiation during operation; - irradiation of at least one sub-region (34') of the photoconductive layer using electromagnetic radiation that is produced by the semiconductor body; - deposition of a conversion layer (44, 45) on the sub-region (34') of the photoconductive layer, by means of electrophoresis.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造光电子半导体元件的方法，包括以下步骤：提供半导体本体（10）; - 在半导体本体的辐射出射表面（31）上施加光电导层（34），其中半导体本体适于在工作状态下发射电磁辐射; - 用所述半导体主体产生的电磁辐射暴露所述光电导层的至少一部分（34'）; 通过电泳工艺在光电导层的部分（34'）上沉积转换层（44,45）。

公开(公告)号：DE112015004068B4

公开(公告)日：2023-01-19

申请号：DE112015004068

申请日：2015-08-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： OTTO ISABEL ,  STOLL ION

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/08 ,  C25D13/02 ,  C25D13/12 ,  H01L25/075 ,  H01L33/08 ,  H01L33/44

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements mit den Schritten:- Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (10);- Aufbringen einer photoleitfähigen Schicht (34) auf eine Strahlungsaustrittsfläche (31) des Halbleiterkörpers, wobei der Halbleiterkörper dazu ausgebildet ist, im Betriebszustand elektromagnetische Strahlung zu emittieren;- Belichten zumindest eines Teilbereichs (34') der photoleitfähigen Schicht mit von dem Halbleiterkörper erzeugter elektromagnetischer Strahlung;- Abscheiden einer Konversionsschicht (44, 45) auf dem Teilbereich (34') der photoleitfähigen Schicht durch einen Elektrophoreseprozess.

公开(公告)号：DE102017108322A1

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：DE102017108322

申请日：2017-04-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENZMANN ROLAND HEINRICH ,  WOJCIK ANDREAS ,  HALBRITTER HUBERT ,  BEHRINGER MARTIN RUDOLF ,  MARIC JOSIP ,  JAMA MARIEL GRACE ,  HAHN BERTHOLD ,  MÜLLER CHRISTIAN ,  OTTO ISABEL

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/026 ,  H01S5/042

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (20) zur Erzeugung von Laserstrahlung (L). An einander gegenüberliegenden Hauptseiten der Halbleiterschichtenfolge (2) befinden sich zwei elektrische Anschlussbereiche (21, 22). Ein Kontaktträger (3) umfasst elektrische Kontaktflächen (31, 32) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (2). Eine elektrische Verbindungsleitung (23) reicht von der dem Kontaktträger (3) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (2) hin zum Kontaktträger (3). Die Verbindungsleitung (23) befindet sich an oder in der Halbleiterschichtenfolge (2).

公开(公告)号：DE102017107198A1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：DE102017107198

申请日：2017-04-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： OTTO ISABEL ,  LEIRER CHRISTIAN

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/44 ,  H01L33/60

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben, umfassend die Schritte:a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zum Erzeugen oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) auf einem Substrat (29);b) Ausbilden zumindest einer Ausnehmung (25), die sich durch den aktiven Bereich erstreckt;c) Ausbilden einer metallischen Verstärkungsschicht (3) auf der Halbleiterschichtenfolge mittels galvanischer Abscheidung, wobei die metallische Verstärkungsschicht die Halbleiterschichtenfolge vollständig bedeckt und die Ausnehmung zumindest teilweise füllt; undd) Entfernen des Substrats.Weiterhin wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben.

公开(公告)号：DE112015000428A5

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：DE112015000428

申请日：2015-01-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÖÖTZ BRITTA ,  STOLL ION ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  SCHOLZ DOMINIK ,  OTTO ISABEL

IPC: C25D7/00 ,  C25D13/02 ,  C25D13/12 ,  C25D13/22 ,  H01L33/00 ,  H01L33/50

公开(公告)号：DE102016124380B4

公开(公告)日：2025-02-27

申请号：DE102016124380

申请日：2016-12-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA ,  OTTO ISABEL

IPC: H10H20/84 ,  H10H20/831

Abstract: Halbleiterbauelement (1) umfassend- einen Halbleiterkörper (2) mit- einer ersten Halbleiterschicht (3) und einer zweiten Halbleiterschicht (4),- einer ersten Hauptfläche (2A) und einer der ersten Hauptfläche (2A) gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche (2B), wobei die erste Hauptfläche (2A) durch eine Oberfläche der ersten Halbleiterschicht (3) und die zweite Hauptfläche (2B) durch eine Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht (4) gebildet wird,- mindestens einer Seitenfläche (2C, 2D), welche die erste Hauptfläche (2A) mit der zweiten Hauptfläche (2B) verbindet, wobei der Halbleiterkörper (2) an der ersten Hauptfläche (2A) eine Aufrauung aufweist,- eine metallische Schutzschicht (7), die die zweite Hauptfläche (2B) und die mindestens eine Seitenfläche (2C, 2D) zumindest bereichsweise überdeckt, und- eine metallische Startschicht (8), die- zwischen dem Halbleiterkörper (2) und der metallischen Schutzschicht (7) angeordnet ist und- eine erste Schicht (8A) und eine zweite Schicht (8B) aufweist, wobei sich die erste und die zweite Schicht (8A, 8B) durch ihr Material voneinander unterscheiden unddie zweite Schicht (8B) dicker ausgebildet ist als die erste Schicht(8A), undwobei die metallische Schutzschicht (7) auf die metallische Startschicht (8) direkt und unterbrechungsfrei aufgebracht ist.