СПОСОБ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ ПЕРЕОРИЕНТАЦИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ТЕЛА

    公开(公告)号:UA98967C2

    公开(公告)日:2012-07-10

    申请号:UAA201000722

    申请日:2008-06-25

    Abstract: Предлагаетсяспособизменениякристаллографическойориентациимонокристаллическоготела, которыйвключаетэтапыизучениякристаллографическойориентациимонокристаллическоготелаи вычисленияугланесогласованнойориентациимеждувыбраннымкристаллографическимнаправлениемданногомонокристаллическоготелаи проекциейэтогокристаллографическогонаправлениянаплоскостьпервойвнешнейосновнойповерхностимонокристаллическоготела. Этотспособдополнительновключаетудалениематериалас, покрайнеймере, частиуказаннойпервойвнешнейосновнойповерхностидляизмененияугланесогласованнойориентации.

    15.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE60001958T2

    公开(公告)日:2004-03-04

    申请号:DE60001958

    申请日:2000-06-06

    Abstract: A polishing slurry, useful in optical or CMP applications, comprises a ceria with a BET surface area of at least 10 m2/gm. The slurry may be made by subjecting a commercial ceria slurry comprising agglomerates to a mechano-chemical treatment at a pH of from 9 to 11 using media that are low purity alpha alumina or zirconia. Preferred slurries maintain a positive surface charge at all pH values. CMP slurries preferably comprise in addition an anionic surfactant to aid in removal of surface residues.

    Improved ceria powder
    16.
    发明专利

    公开(公告)号:AU752038B2

    公开(公告)日:2002-09-05

    申请号:AU5464700

    申请日:2000-06-06

    Abstract: A polishing slurry, useful in optical or CMP applications, comprises a ceria with a BET surface area of at least 10 m2/gm. The slurry may be made by subjecting a commercial ceria slurry comprising agglomerates to a mechano-chemical treatment at a pH of from 9 to 11 using media that are low purity alpha alumina or zirconia. Preferred slurries maintain a positive surface charge at all pH values. CMP slurries preferably comprise in addition an anionic surfactant to aid in removal of surface residues.

    САПФИРНАЯ ОСНОВА (ВАРИАНТЫ)

    公开(公告)号:UA97969C2

    公开(公告)日:2012-04-10

    申请号:UAA200906860

    申请日:2007-12-21

    Abstract: Описанасапфирнаяоснова, котораяимеетв целомплоскуюповерхностьс кристаллографическойориентацией, выбраннойизгруппы, котораясостоитиза-плоскостной, r-плоскостной, m-плоскостнойи с-плоскостнойориентаций, ивеличиной nTTV неболее, чемприблизительно 0,037 мкм/см, где nTTV являетсяобщейвариациейтолщины, нормированнойк площадиповерхностиуказаннойв целомплоскойповерхности, гдеуказанаосноваимеетдиаметрнеменее, чемприблизительно .

Patent Agency Ranking