公开(公告)号：FR2995133A1

公开(公告)日：2014-03-07

申请号：FR1258149

申请日：2012-08-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： EUVRARD CHRISTOPHE ,  GAY LAURENT ,  GUYADER FRANCOIS ,  GOURVEST EMMANUEL

IPC: H01L21/302

Abstract: L'invention concerne un procédé d'amincissement d'une tranche semiconductrice (W1) comprenant les étapes suivantes : former des composants et des niveaux d'interconnexion (IL) sur la face avant de la tranche ; creuser une rainure à partir de la face avant à la périphérie de la tranche et déposer une couche de protection (14) au moins sur les flancs de la rainure ; coller la tranche (W1) sur un support (W2) de mêmes dimensions ; et amincir la tranche (W1) à partir de sa face arrière au moins jusqu'à atteindre le fond de ladite rainure.

公开(公告)号：FR3037439A1

公开(公告)日：2016-12-16

申请号：FR1555362

申请日：2015-06-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： HOTELLIER NICOLAS ,  FOURNEL RICHARD ,  GIANESELLO FREDERIC ,  GUYADER FRANCOIS ,  FIORI VINCENT

IPC: H01L23/18 ,  H01L23/13 ,  H01L23/58

Abstract: Dispositif électronique et procédé de traitement, dans lesquels une plaque arrière (3) comprend une couche arrière de substrat (4), une couche avant de substrat (5) et une couche intermédiaire diélectrique (6), située entre la couche arrière et la couche avant, et comprenant une structure électronique (7) aménagée sur ladite couche avant de substrat (5), incluant des composants électroniques et des moyens de connexion électrique, et dans lesquels ladite couche arrière de substrat (4) présente au moins une région locale pleine (17) et au moins une région locale évidée (18), cette région locale évidée étant aménagée sur toute l'épaisseur de ladite couche arrière, de sorte que ladite couche arrière de substrat ne recouvre pas au moins une zone locale (19) de la face arrière de ladite couche intermédiaire diélectrique (6), correspondant à ladite région locale évidée (18).

公开(公告)号：FR2815174A1

公开(公告)日：2002-04-12

申请号：FR0012806

申请日：2000-10-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GUYADER FRANCOIS ,  AMAUD FRANK

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: The invention concerns a method for forming, in a substrate (1) having a first type of conductivity, a MOS transistor, comprising the following steps: a) forming on the substrate an insulated gate (3); b) implanting a doping agent having a second type of conductivity; c) forming on the edges of the gate silicon nitride spacers; d) simultaneously oxidising the apparent surfaces of the substrate, the gate and the spacers; and e) drain and source implantation.