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公开(公告)号：FR3078440B1
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：FR1851613
申请日：2018-02-23
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： MONFRAY STEPHANE , BOEUF FREDERIC
IPC: H01L29/06 , H01L21/20 , H01L21/302
Abstract: L'invention concerne une jonction PN verticale comprenant une première région (46) divisée en une partie supérieure (47) en silicium-germanium et une partie inférieure (49) en silicium. Figure 4.
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公开(公告)号：FR3078437A1
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：FR1851612
申请日：2018-02-23
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： MONFRAY STEPHANE , BOEUF FREDERIC
IPC: H01L21/761 , H01L21/04 , H01L21/18
Abstract: L'invention concerne une jonction PN comprenant une zone (36) en SiGe dont la concentration en germanium est graduelle.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3076916A1
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：FR1850290
申请日：2018-01-15
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： MONFRAY STEPHANE
IPC: G02F1/025
Abstract: L'invention concerne un modulateur de phase électro-optique comprenant un guide d'onde (100) comportant un empilement d'une première bande (101) en un matériau semiconducteur dopé d'un premier type de conductivité, d'une deuxième bande (103) en matériau conducteur ou en un matériau semiconducteur dopé du deuxième type de conductivité, et d'une troisième bande (105) en un matériau semiconducteur dopé du premier type de conductivité, la deuxième bande étant séparée de la première bande par une première couche d'interface (107) en un matériau diélectrique et de la troisième bande par une deuxième couche d'interface (109) en un matériau diélectrique.
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公开(公告)号：FR3066269B1
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：FR1754047
申请日：2017-05-09
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： TROCHUT SEVERIN , MONFRAY STEPHANE , BOISSEAU SEBASTIEN
Abstract: L'invention concerne un module de mesure (100) comprenant : un générateur électrique à récupération d'énergie ambiante (103) ; un élément capacitif de stockage (105) de l'énergie électrique produite par le générateur ; une batterie électrique (107) ; une première branche (B1) reliant un noeud de sortie (A) du générateur (103) à une première électrode (B) de l'élément capacitif de stockage ; une deuxième branche (B2) reliant une première borne (C) de la batterie à la première électrode de l'élément capacitif de stockage ; et un circuit actif (115) adapté à émettre un signal radio d'indication d'évènement à chaque fois que la tension aux bornes de l'élément capacitif de stockage dépasse un premier seuil, dans lequel, en fonctionnement, l'élément capacitif de stockage reçoit simultanément, un premier courant de charge provenant du générateur via la première branche, et un deuxième courant de charge provenant de la batterie via la deuxième branche.
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公开(公告)号：FR3100082A1
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：FR1909284
申请日：2019-08-19
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： CREMER SEBASTIEN , BOEUF FREDERIC , MONFRAY STEPHANE
Abstract: Modulateur de phase La présente description concerne un procédé comprenant les étapes suivantes : a) former un guide d'onde (100) en un premier matériau, le guide d'onde étant configuré pour guider un signal optique ; b) former une couche (106) en un deuxième matériau conducteur électriquement et transparent à une longueur d'onde du signal optique, les étapes a) et b) étant mises en oeuvre de manière que la couche (106) en le deuxième matériau soit en contact d'au moins une des faces du guide d'onde (100), ou soit séparée de ladite au moins une des faces par une distance inférieure à la moitié, de préférence au quart, de la longueur d'onde du signal optique. La demande concerne en outre un modulateur de phase, notamment obtenu par un tel procédé. Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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公开(公告)号：FR3029355B1
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：FR1461760
申请日：2014-12-02
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： DUBOIS EMMANUEL , ROBILLARD JEAN-FRANCOIS , MONFRAY STEPHANE , SKOTNICKI THOMAS
IPC: H01L37/00
Abstract: Générateur thermoélectrique, comprenant une membrane semiconductrice (2) à structure phononique contenant au moins une jonction P-N (3, 4) suspendue entre un premier support (5) destiné à être couplé à une source thermique froide et un deuxième support (6) destiné à être couplé à une source thermique chaude et une architecture permettant de redistribuer le flux thermique dans le plan de ladite membrane.
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公开(公告)号：FR3152192A1
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：FR2308741
申请日：2023-08-17
Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV
Inventor： DHAR SIDDHARTHA , MONFRAY STEPHANE
Abstract: Commutateur RF La présente description concerne un transistor (10) comportant, sur une couche semiconductrice (11), un empilement d'une couche d'isolant de grille (13) et d'une couche de grille conductrice (17), dans lequel : la longueur de la grille conductrice (L1, L3) est moins importante du côté d'une face inférieure, située au voisinage de la couche d'isolant de grille (13), et est plus importante du côté d'une face supérieure, opposée à la face inférieure ; et les flancs latéraux de la couche de grille conductrice (17) sont recouverts, sur une partie inférieure par un premier matériau (291) et sur une partie supérieure par un deuxième matériau (293), le premier matériau ayant un module de Young plus important que celui du deuxième matériau. Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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