公开(公告)号：FR2853452A1

公开(公告)日：2004-10-08

申请号：FR0304008

申请日：2003-04-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： COSNIER VINCENT ,  MORAND YVES ,  KERMARREC OLIVIER ,  BENSAHEL DANIEL ,  CAMPIDELLI YVES

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

Abstract: The fabrication of a semiconductor device having a dielectric grid of a material with a high dielectric permittivity includes a stage (40) of deposition, directly on the grid dielectric, of a first layer of Si1-xGex with 0.5 less than x = 1, at a temperature essentially low with respect to the temperature of deposition of poly-Si by thermal chemical vapour deposition. An independent claim is also claimed for the semiconductor device thus fabricated.

公开(公告)号：FR2812763B1

公开(公告)日：2002-11-01

申请号：FR0010346

申请日：2000-08-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BENSAHEL DANIEL ,  KERMARREC OLIVIER ,  CAMPIDELLI YVES

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/12 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L21/205

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation, sur un substrat semiconducteur monocristallin (40) d'un premier matériau, de boîtes quantiques (41) en un second matériau, consistant à faire croître par épitaxie en phase gazeuse le second matériau sur le premier matériau dans des conditions optimales propres à assurer une croissante à une vitesse contrôlable maximum. Dans une étape initiale, on envoie sur le substrat une bouffée d'un gaz comprenant le second matériau, dans des conditions correspondant à une vitesse de dépôt nettement plus rapide que ladite vitesse contrôlable maximum.