公开(公告)号：FR2972300A1

公开(公告)日：2012-09-07

申请号：FR1151775

申请日：2011-03-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： FOURNEL RICHARD ,  HALIMAOUI AOMAR

IPC: H01M2/02 ,  B01D67/00 ,  H01M8/16

Abstract: Boîtier, en particulier pour biopile, comprenant trois éléments de boîtier (EL1, EL2, EL3) comportant chacun une membrane poreuse (MBC1, MBC2, MB3) dont deux d'entre elles (MBC1, MBC2) sont électriquement conductrices et forment la cathode et l'anode de la biopile.

公开(公告)号：FR2857155B1

公开(公告)日：2005-10-21

申请号：FR0307982

申请日：2003-07-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： HALIMAOUI AOMAR ,  BENSAHEL DANIEL

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/322

Abstract: Fabrication of a stressed layer of silicon or silicon-germanium alloy comprises: (a) formation of a layer (2) of silicon or silicon-germanium alloy on a layer (1) of a material having a modifiable mesh parameter; and (b) modification of the mesh parameter.

公开(公告)号：FR2972301A1

公开(公告)日：2012-09-07

申请号：FR1151776

申请日：2011-03-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： HALIMAOUI AOMAR ,  FOURNEL RICHARD

IPC: H01M2/14

Abstract: Procédé de fabrication d'un dispositif comportant une membrane poreuse électriquement conductrice fixée sur un support, caractérisé en ce qu'il comprend une réalisation de la membrane et du support à partir d'un même élément en silicium (SB), ladite réalisation comportant une formation locale d'une région de silicium poreux (RP) dans ledit élément en silicium (SB) et une siliciuration au moins partielle de ladite région de silicium poreux, la région siliciurée formant ladite membrane poreuse électriquement conductrice (MBC) et la partie restante en silicium dudit élément formant ledit support (SP).

公开(公告)号：FR2857155A1

公开(公告)日：2005-01-07

申请号：FR0307982

申请日：2003-07-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： HALIMAOUI AOMAR ,  BENSAHEL DANIEL

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/322

Abstract: Fabrication of a stressed layer of silicon or silicon-germanium alloy comprises: (a) formation of a layer (2) of silicon or silicon-germanium alloy on a layer (1) of a material having a modifiable mesh parameter; and (b) modification of the mesh parameter.

公开(公告)号：FR2826177A1

公开(公告)日：2002-12-20

申请号：FR0107861

申请日：2001-06-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BENSAHEL DANIEL ,  HALIMAOUI AOMAR

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L23/15 ,  H01L27/08 ,  H05K1/03

Abstract: An essentially plane silicon based substrate (1) comprises, in at least one zone (2) of the substrate, some grains (3) and some interstices (4) between the grains distributed over the whole thickness of the substrate at the level of this zone, in such a manner that the substrate presents a porosity of at least 20 % at all points of the volume of the substrate at the level of this zone. Independent claims are also included for: (a) a semiconductor or electronic product incorporating such a substrate; (b) a method for the fabrication of such a substrate; (c) a semiconductor or electronic product obtained by use of this method.