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公开(公告)号：FR2969392A1
公开(公告)日：2012-06-22
申请号：FR1060638
申请日：2010-12-16
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： MAZOYER PASCALE , HALIMAOUI AOMAR
Abstract: Boîtier, comprenant un corps (1) comportant un premier élément (10) en silicium et un deuxième élément (20) en silicium poreux, au moins une première cavité (31) ménagée dans le silicium poreux, une première zone de contact électriquement conductrice (41) électriquement couplée à au moins une partie (310) d'au moins une paroi interne de ladite au moins une première cavité (31), une deuxième zone de contact électriquement conductrice (42) électriquement couplée à une portion (320) dudit deuxième élément (20) différente des parois internes de ladite au moins une première cavité (31), les deux zones de contact (41, 42) étant mutuellement électriquement isolées.
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公开(公告)号：FR2969392B1
公开(公告)日：2013-02-08
申请号：FR1060638
申请日：2010-12-16
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： MAZOYER PASCALE , HALIMAOUI AOMAR
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公开(公告)号：FR2972300A1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：FR1151775
申请日：2011-03-04
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： FOURNEL RICHARD , HALIMAOUI AOMAR
Abstract: Boîtier, en particulier pour biopile, comprenant trois éléments de boîtier (EL1, EL2, EL3) comportant chacun une membrane poreuse (MBC1, MBC2, MB3) dont deux d'entre elles (MBC1, MBC2) sont électriquement conductrices et forment la cathode et l'anode de la biopile.
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公开(公告)号：FR2972301A1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：FR1151776
申请日：2011-03-04
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： HALIMAOUI AOMAR , FOURNEL RICHARD
IPC: H01M2/14
Abstract: Procédé de fabrication d'un dispositif comportant une membrane poreuse électriquement conductrice fixée sur un support, caractérisé en ce qu'il comprend une réalisation de la membrane et du support à partir d'un même élément en silicium (SB), ladite réalisation comportant une formation locale d'une région de silicium poreux (RP) dans ledit élément en silicium (SB) et une siliciuration au moins partielle de ladite région de silicium poreux, la région siliciurée formant ladite membrane poreuse électriquement conductrice (MBC) et la partie restante en silicium dudit élément formant ledit support (SP).
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公开(公告)号：FR2966285B1
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：FR1058377
申请日：2010-10-14
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： BENSAHEL DANIEL , HALIMAOUI AOMAR
IPC: H01L21/77
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR2969373A1
公开(公告)日：2012-06-22
申请号：FR1060839
申请日：2010-12-20
Inventor： HALIMAOUI AOMAR , ZUSSY MARC
IPC: H01L21/304
Abstract: Procédé et dispositif correspondant d'assemblage d'une première plaque et d'une deuxième plaque (P1, P2) biseautées à leur périphérie, comprenant une étape d'excavation sur la partie périphérique biseautée (BIS) d'au moins une première face de la première plaque (P1) engendrant un dépôt en bordure de la zone excavée du matériau de la première plaque, et une étape de collage de la première face et d'une deuxième face de la deuxième plaque.
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公开(公告)号：FR2887370B1
公开(公告)日：2007-12-28
申请号：FR0551664
申请日：2005-06-17
Inventor： BARBE JEAN CHARLES , BARRAUD SYLVAIN , FENOUILLET BERANGER CLAIRE , GALLON CLAIRE , HALIMAOUI AOMAR
IPC: H01L29/792
Abstract: The device has a substrate (1), and an insulating layer having side walls formed on both sides of the zones of a drain (100) and a source (102). A channel zone (2a) is formed on the insulating layer and is restrained by the drain and source zones. The drain and source zones are made of the same material constituted of different thermal dilation coefficients of a mesh parameter and are formed directly on the insulating layer, and a gate (4) is separated from the channel by an insulating gate. An independent claim is also included for a method for forming an insulated transistor on a substrate.
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公开(公告)号：FR3062234B1
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：FR1750594
申请日：2017-01-25
Inventor： BERNASCONI SOPHIE , CHARPIN-NICOLLE CHRISTELLE , HALIMAOUI AOMAR
Abstract: La présente invention concerne un dispositif mémoire comprenant une première électrode (27), une deuxième électrode (28) et une portion active à changement d'état conducteur disposée entre une première face de la première électrode (27) et une première face de la deuxième électrode (28). La première électrode (27) comprend une portion supérieure formant la première face de la première électrode (27). Au moins l'une parmi la portion supérieure et la portion active à changement d'état conducteur comprend une couche poreuse (15).
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公开(公告)号：FR3003686A1
公开(公告)日：2014-09-26
申请号：FR1352497
申请日：2013-03-20
Inventor： HALIMAOUI AOMAR , HARTMANN JEAN-MICHEL
IPC: H01L21/20 , H01L21/26 , H01L21/324
Abstract: L'invention concerne un procédé comprenant : formation d'une couche de silicium germanium (208) par croissance épitaxiale sur une couche de silicium (206) disposée sur un substrat (202) ; implantation des atomes pour amorphiser la couche de silicium et une partie inférieure (208A) de la couche de silicium germanium sans amorphiser une partie superficielle (208B) de la couche de silicium germanium ; et recuit pour recristalliser la partie inférieure (208A) de la couche de silicium germanium et la couche de silicium (206), d'où il résulte que la couche de silicium devient une couche de silicium contraint.
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公开(公告)号：FR2969373B1
公开(公告)日：2013-07-19
申请号：FR1060839
申请日：2010-12-20
Inventor： HALIMAOUI AOMAR , ZUSSY MARC
IPC: H01L21/304
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