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    CAPTEUR ECLAIRE PAR LA FACE ARRIERE A ISOLEMENT PAR JONCTION
    12.
    发明专利
    CAPTEUR ECLAIRE PAR LA FACE ARRIERE A ISOLEMENT PAR JONCTION 未知

    公开(公告)号：FR2974240A1

    公开(公告)日：2012-10-19

    申请号：FR1153183

    申请日：2011-04-12

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： MARTY MICHEL ,  PRIMA JENS ,  ROY FRANCOIS

    IPC: H01L27/146

    Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'un capteur d'images (31) à éclairement par la face arrière comportant les étapes suivantes : a) former, depuis la face avant, des régions (35) de silicium polycristallin dopé, de type de conductivité opposé à celui du substrat (33), s'étendant en profondeur orthogonalement à ladite face avant ; b) amincir le substrat par sa face arrière jusqu'à atteindre les régions (35) de silicium polycristallin ; c) déposer, sur la face arrière du substrat aminci, une couche de silicium amorphe (41) dopé, de type de conductivité opposé à celui du substrat ; et d) recuire à une température adaptée à transformer la couche de silicium amorphe en une couche (43) cristallisée.

    13.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2969385A1

    公开(公告)日：2012-06-22

    申请号：FR1005005

    申请日：2010-12-21

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ROY FRANCOIS ,  HIRIGOYEN FLAVIEN ,  MICHELOT JULIEN

    IPC: H01L27/146

    Abstract: A method of fabricating an image sensor includes the steps of: forming at least two photosites in a semiconductor substrate; forming a trench between the photosites; forming a thin liner on at least the sidewalls of the trench; depositing a conductive material having a first refractive index in the trench; and forming a region surrounded by the conductive material and having a second refractive index lower than the first index of refraction within the conductive material in the trench.

    PROCEDE DE REALISATION D'UN CAPTEUR D'IMAGES A ECLAIREMENT PAR LA FACE ARRIERE
    16.
    发明专利
    PROCEDE DE REALISATION D'UN CAPTEUR D'IMAGES A ECLAIREMENT PAR LA FACE ARRIERE 未知

    公开(公告)号：FR2974238A1

    公开(公告)日：2012-10-19

    申请号：FR1153178

    申请日：2011-04-12

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ROY FRANCOIS ,  MARTY MICHEL

    IPC: H01L27/146

    Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'un capteur d'images (31) à éclairement par la face arrière à partir d'un substrat semiconducteur (33), ce procédé comportant les étapes suivantes : a) former, depuis la face avant du substrat, des zones (38) de même type de conductivité que le substrat mais de niveau de dopage supérieur, s'étendant en profondeur sous ladite face avant, ces zones étant bordées de régions isolantes (35) orthogonales à la face avant ; b) amincir le substrat par la face arrière jusqu'à proximité desdites zones et jusqu'à atteindre les régions isolantes ; c) évider partiellement les régions isolantes du côté de la face arrière ; et d) recuire superficiellement, par laser, la face arrière du substrat.

    DISPOSITIF D'IMAGERIE MATRICIEL A PHOTOSITES A COMMANDES MONOCOUP DE TRANSFERT DE CHARGES
    18.
    发明专利
    DISPOSITIF D'IMAGERIE MATRICIEL A PHOTOSITES A COMMANDES MONOCOUP DE TRANSFERT DE CHARGES 未知

    公开(公告)号：FR2969821A1

    公开(公告)日：2012-06-29

    申请号：FR1061198

    申请日：2010-12-23

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

    Inventor： ROY FRANCOIS ,  MICHELOT JULIEN

    IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

    Abstract: Dispositif d'imagerie formé dans un substrat (8) semi-conducteur comprenant un réseau matriciel de photosites, chaque photosite comportant une zone semi-conductrice de stockage de charges (90), une zone semi-conductrice de lecture de charges (3) propre audit photosite, et des moyens de transfert de charges configurés pour autoriser un transfert de charges entre la zone de stockage de charges (90) et la zone de lecture de charges (3). Chaque photosite comprend au moins une première électrode (2) enterrée dont au moins une partie délimite au moins une partie de ladite zone de stockage de charges (90), et les moyens de transfert de charges de chaque photosite comprennent au moins deuxième une électrode enterrée (4).

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