显影方法和显影装置
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107272354A

    公开(公告)日:2017-10-20

    申请号:CN201710213294.X

    申请日:2017-04-01

    Abstract: 在形成有抗蚀剂膜并曝光后的半导体装置的制造用的基板的面内进行显影处理以使抗蚀剂图案的尺寸的均匀性变高。实施以下工序:对上述的基板的表面供给显影液进行显影的显影工序;接着,为了从上述基板将上述显影液的一部分甩掉除去,以上述基板在绕中心轴的第一旋转方向上旋转的方式,使该基板的转速上升的第一旋转工序;和接着,为了将残留在上述基板的上述显影液从该基板甩掉除去,使上述基板在与上述第一旋转方向相反的第二旋转方向上旋转的第二旋转工序。由此,能够防止基板的面内的各部中的显影时间的不均,所以能够在基板的各部以均匀性高的尺寸形成抗蚀剂图案。

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