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公开(公告)号:CN107661837A
公开(公告)日:2018-02-06
申请号:CN201710619786.9
申请日:2017-07-26
Applicant: 艾格赛尔工业公司
CPC classification number: B05B5/0533 , A61L2420/02 , B05B5/025 , B05B5/043 , B05B5/0531 , B05B5/082 , B05B5/087 , B05B5/10 , B05B7/0815 , B05B17/06 , B05D1/005 , B05D1/04 , H01T19/02 , B05B5/005 , B05B5/0255
Abstract: 一种具有超声头的涂布系统,这种涂布系统(2)用于以液体涂料制品涂布工件(W1),该涂布系统包括用于产生涂料制品的液滴的超声喷涂头(14)、用于在电极与超声喷涂头(14)之间产生静电场(E)的电极(32A)以及被连接到电极用以对电极供应高电压的高电压发生器(52)。有利地,可基于工件(W1)的几何形状来构造电极(32A)的形状。
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公开(公告)号:CN107615458A
公开(公告)日:2018-01-19
申请号:CN201680031649.7
申请日:2016-04-15
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , B05C11/08 , B05C11/10 , B05D3/00 , B05D3/10 , B05D7/24 , H01L21/027
CPC classification number: B05D1/005 , B05C11/08 , B05C11/10 , B05D3/007 , C23F1/00 , C23F1/08 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/67742 , H01L21/68707
Abstract: 本发明的基板处理装置具有:涂敷处理单元,其通过将含有金属的涂敷液作为含金属涂敷液向基板的被处理面供给,由此在被处理面形成含金属涂敷膜;金属去除单元,其在通过涂敷处理单元来形成含金属涂敷膜后,以含金属涂敷膜残留在基板的被处理面的除周缘部以外的区域的方式,向基板的周缘部供给用于使金属溶解的去除液;以及搬送机构,其在通过涂敷处理单元来形成含金属涂敷膜后,将基板搬送至金属去除单元。通过由涂敷处理单元向基板的被处理面供给含金属涂敷液,来在被处理面形成含金属涂敷膜。通过搬送机构将形成含金属涂敷膜后的基板搬送至金属去除单元。通过金属去除单元,以含金属涂敷膜残留在基板被处理面的除周缘部以外的区域的方式对基板的周缘部供给去除液。
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公开(公告)号:CN107406660A
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201680017108.9
申请日:2016-01-21
Applicant: 阿科玛法国公司
IPC: C08L53/00 , G03F7/004 , C08J5/18 , C09D153/00 , C08F212/08 , C08F220/14 , C08F297/02 , G03F1/68
CPC classification number: G03F7/0002 , B05D1/005 , B05D3/0254 , C08L53/00 , C08L2205/02 , C09D153/00 , G03F1/68 , G03F7/162 , G03F7/168 , C08F212/08 , C08F220/14 , C08F297/02 , C08J5/18 , C08J2353/00 , C08J2453/00 , C08L2203/16 , C08L2205/025 , G03F7/004
Abstract: 本发明涉及用于在纳米尺度上控制嵌段共聚物的有序膜的关键尺寸均匀性的方法。本发明还涉及用于控制嵌段共聚物的有序膜的关键尺寸均匀性的组合物,和涉及由此获得的有序膜,所述有序膜特别地可用作光刻领域中的掩模。
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公开(公告)号:CN107393834A
公开(公告)日:2017-11-24
申请号:CN201710324633.1
申请日:2017-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/50 , H01L23/00 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/4857 , B05D1/005 , B05D1/32 , B05D1/38 , B05D3/0209 , B05D7/546 , C23C14/024 , C23C14/046 , C23C14/0641 , C23C14/205 , C23C14/34 , C23C14/588 , C23C18/00 , C23C18/38 , H01L21/486 , H01L2224/16225 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H05K3/465 , H05K3/4682 , H05K2201/10378 , H05K2203/025 , H05K2203/0588 , H01L21/50 , H01L21/027 , H01L23/31 , H01L23/481 , H01L24/27
Abstract: 一种制造内插器的方法包括:提供载体基板;在载体基板上形成单元再分布层,该单元再分布层包括导电通路插塞和导电再分布线;以及从单元再分布层去除载体基板。形成单元再分布层包括:形成包括第一通路孔图案的第一光敏图案层;在第一光敏图案层上形成第二光敏图案层,第二光敏图案层包括第二通路孔图案和再分布图案;用导电材料至少部分地填充第一通路孔图案、第二通路孔图案和再分布图案的内部;以及执行平坦化以使单元再分布层的顶表面变平。根据该方法,在导电结构下面没有底切发生并且在相邻的导电结构之间没有气泡,因而器件可靠性增强并且图案精确性被实现。
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公开(公告)号:CN107272354A
公开(公告)日:2017-10-20
申请号:CN201710213294.X
申请日:2017-04-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30
CPC classification number: G03F7/26 , B05D1/002 , B05D1/005 , G03F7/3021 , G03F7/3028 , G03F7/3092 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/0274 , H01L21/6715
Abstract: 在形成有抗蚀剂膜并曝光后的半导体装置的制造用的基板的面内进行显影处理以使抗蚀剂图案的尺寸的均匀性变高。实施以下工序:对上述的基板的表面供给显影液进行显影的显影工序;接着,为了从上述基板将上述显影液的一部分甩掉除去,以上述基板在绕中心轴的第一旋转方向上旋转的方式,使该基板的转速上升的第一旋转工序;和接着,为了将残留在上述基板的上述显影液从该基板甩掉除去,使上述基板在与上述第一旋转方向相反的第二旋转方向上旋转的第二旋转工序。由此,能够防止基板的面内的各部中的显影时间的不均,所以能够在基板的各部以均匀性高的尺寸形成抗蚀剂图案。
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公开(公告)号:CN107267160A
公开(公告)日:2017-10-20
申请号:CN201710191906.X
申请日:2017-03-28
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: C09K19/56 , C08J5/18 , C08G73/10 , C08L79/08 , G02F1/1337
CPC classification number: C09K19/56 , B05D1/005 , B05D1/265 , B05D3/0254 , B05D3/065 , C08G73/1067 , C08G73/1082 , C08G73/16 , C09D179/08 , G02F1/133723 , G02F1/13378 , G02F1/133788 , G02F2001/133397 , C08L63/00 , C08J5/18 , C08J2379/08 , C09K19/542
Abstract: 本申请涉及取向膜组合物、液晶显示装置及制造液晶显示装置的方法,所述取向膜组合物包含基于二酐的化合物与基于二胺的化合物的共聚物以及交联剂。所述共聚物具有由化学式Ia或化学式Ib表示的结构,并且所述交联剂由化学式IIa或化学式IIb表示: 以及
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公开(公告)号:CN107085255A
公开(公告)日:2017-08-22
申请号:CN201710345433.4
申请日:2012-07-11
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 大金政信
IPC: G02B5/02
CPC classification number: G02B1/11 , B05D1/005 , B05D3/0254 , B82Y20/00 , G02B5/0247 , G02B5/0278 , Y10S977/834
Abstract: 本发明提供光学部件及其制备方法。本发明提供具有耐磨性和透明性的光学部件和该光学部件的制备方法。该光学部件的制备方法包括在基材上涂布含有中空颗粒和溶剂的涂料和进而涂布含有粘结剂和溶剂的涂料以形成膜,在该膜中该粘结剂位于该中空颗粒之间;然后将该膜干燥。
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公开(公告)号:CN107001819A
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:CN201580068710.0
申请日:2015-12-14
Applicant: 波音公司
CPC classification number: C23F11/00 , B05D1/005 , B05D1/02 , C08K3/24 , C08K5/46 , C09D1/00 , C09D5/00 , C09D5/086 , C09D7/00 , C09D137/00 , C09D7/63
Abstract: 提供了制剂、涂料和用于在基底上涂布缓蚀制剂的方法。缓蚀制剂包括(a)至少一种树脂,(b)至少一种布朗斯台德酸和(c)至少一种含硫缓蚀剂。
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公开(公告)号:CN106847747A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201610997489.3
申请日:2016-11-11
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L21/78 , B05D1/005 , B05D3/06 , H01L21/268 , H01L21/30604 , H01L21/67092 , B23D19/00 , B23K10/00 , B23K26/032 , B23K26/08 , B23K26/364 , B28D5/022
Abstract: 提供晶片的分割方法,不使含有Cu的碎屑在加工槽内成长并使碎屑不与器件的配线层接触。对晶片(W)进行分割,该晶片在上表面(W2a)具有含有Cu的配线层(W2),并且在由分割预定线(S)划分出的区域内形成有器件(D),该晶片的分割方法具有如下工序:激光加工槽形成工序,从配线层侧(W2)照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线而沿着分割预定线将配线层去除并形成加工槽(M);切削工序,在实施了激光加工槽形成工序之后,使宽度比加工槽(M)的最外侧宽度Mw(Max)窄的切削刀具(60)沿着加工槽切入晶片并将晶片完全切断;以及干蚀刻工序,在实施了激光加工槽形成工序之后,至少对加工槽(M)进行干蚀刻。
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公开(公告)号:CN104553215B
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:CN201310484816.1
申请日:2013-10-16
Applicant: 北京化工大学 , 池州市英派科技有限公司
CPC classification number: B05D1/005 , B05D1/02 , B05D5/00 , B05D7/50 , B05D2201/00 , B05D2252/10 , B32B27/08 , B32B2307/3065 , B32B2307/412 , B32B2439/00 , B32B2457/00 , C08J7/042 , C08J7/047 , C08J2367/02 , C08J2429/14
Abstract: 本发明公开了一种透明阻燃隔热防紫外高分子复合贴膜,该透明阻燃隔热防紫外高分子复合贴膜自上而下依次为:阻燃功能层、基片层、隔热功能层和防紫外功能层,膜厚度为1um~500um,其可见光透过率大于80%,紫外光透过率小于1%,近红外光的透过率小于10%。本发明还公开了透明阻燃隔热防紫外高分子复合贴膜的制备方法,本发明的透明阻燃隔热防紫外高分子复合贴膜的制备工艺简便易行,生产成本低,适于大规模的工业化生产。本发明的透明阻燃隔热防紫外高分子复合贴膜,可以用于玻璃、视窗、保护膜、容器和电子元件等透明的材料和器件上,在建筑、交通、电子、航天航空、医药等诸多领域具有广泛的应用前景。
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