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公开(公告)号：CN104296799B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410601932.1
申请日：2014-10-30
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B2203/0109 , B81B2203/0127 , B81C1/00142 , B81C1/00158 , B81C2201/013 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181 , C23C14/0605 , C23C14/0617 , C23C14/14 , C23C14/34 , F24S25/30 , F24S25/636 , F24S2025/016 , F24S2025/801 , F24S2025/807 , G01F1/56 , G01J1/42 , H02S20/00 , Y02E10/47 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及传感器制造技术领域，公开了一种微型传感器本体及其制造方法，包括以下步骤：S1：在基板上涂布湿润胶体材料形成胶体层，在胶体层的表面覆盖一层一维纳米线膜，形成传感器胚体；S2：干燥传感器胚体的胶体层，使胶体层开裂形成多个胶体岛，一维纳米线膜一部分收缩形成粘附在胶体岛表面的收缩膜片，另一部分拉伸形成连接在相邻收缩膜片之间的连接结构。本发明的传感器本体中，收缩膜片与连接结构由一维纳米线膜抻拉而成，两者连接稳定性好，提高传感器件的稳定性；使用裂化的方法，容易获得大规模稳定悬浮的连接结构阵列传感器本体。本发明还提供一种传感器。
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公开(公告)号：CN105712292A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510959028.2
申请日：2015-12-18
Applicant: 德尔福芒斯公司
CPC classification number: H01H59/0009 , B81B3/0051 , B81B2201/018 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C2201/013 , H01H49/00 , H01H2059/0027 , H01H2059/0036 , H01H2227/004 , B81C1/00015 , B81B7/02
Abstract: 本发明涉及制造MEMS器件的方法，其包括以下步骤：在牺牲基层上方形成第一隔膜层，在第一隔膜层上方形成第二隔膜层，其中第二隔膜层包括暴露第一隔膜层的侧向部分的侧向凹入部，以及形成止动件以限定第一隔膜层的移动。此外，提供了MEMS器件，其包括可移动隔膜，可移动隔膜包括第一隔膜层与形成在第一隔膜层上方的第二隔膜层，其中第二隔膜层包括暴露第一隔膜层的侧向部分的侧向凹入部。
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公开(公告)号：CN105628288A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510831756.5
申请日：2015-11-25
Applicant: 大陆汽车系统公司
IPC: G01L9/06
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B3/007 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C2201/013 , G01L9/0044 , G01L9/0045 , G01L9/0047 , G01L9/0052 , G01L9/0054
Abstract: 公开了压阻式压力传感器设备。通过增加传感器的灵敏度来增加从低压力MEMS传感器输出的电压。通过使得低压力传感器设备的膜片变薄来增加灵敏度。通过同时在膜片的顶侧上产生交叉加固物来减少通过使得膜片变薄增加的非线性。顶侧的过蚀刻进一步增加灵敏度。
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公开(公告)号：CN102906009B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201180025546.7
申请日：2011-06-08
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： D.丹格 , T.多安 , G.A.邓巴 , 何忠祥 , R.T.赫林 , C.V.扬斯 , J.C.马林 , W.J.墨菲 , A.K.斯坦珀 , J.G.通布利 , E.J.怀特
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了平面腔体微机电系统（MEMS）结构、制造和设计结构的方法。该方法包括：采用反向镶嵌工艺形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60a，60b），该至少一个微机电系统腔体具有平面表面。
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公开(公告)号：CN104760925A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201410007410.9
申请日：2014-01-07
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 荆二荣
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00142 , B81C2201/0108 , B81C2201/0109 , B81C2201/013
Abstract: 本发明提供一种薄膜支撑梁的制作方法，首先完成牺牲层的制作并图形化，之后在牺牲层表面淀积制备介质膜层和金属膜层，图形化金属膜层，在介质膜层和金属膜层上光刻并刻蚀出支撑梁图形，然后仅需要去除牺牲层即可得到薄膜支撑梁结构，这样可以制备出最小尺寸等于最小线宽的支撑梁，同时，该方法对光刻的套准精度要求比较低，减小了工艺难度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102906009A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025546.7
申请日：2011-06-08
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： D.丹格 , T.多安 , G.A.邓巴 , 何忠祥 , R.T.赫林 , C.V.扬斯 , J.C.马林 , W.J.墨菲 , A.K.斯坦珀 , J.G.通布利 , E.J.怀特
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了平面腔体微机电系统（MEMS）结构、制造和设计结构的方法。该方法包括：采用反向镶嵌工艺形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60a，60b），该至少一个微机电系统腔体具有平面表面。
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公开(公告)号：CN107873014A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201680038079.4
申请日：2016-06-28
Applicant: 凯奥尼克公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2207/096 , B81C1/00301 , B81C2201/013 , H01L21/30604 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5329
Abstract: 公开了针对具有贯穿基板的互连和MEMS器件的电子系统的系统、方法和计算机程序产品。一种在具有第一表面和第二表面的基板中形成的互连，所述互连包括：块状区域；从第一表面延伸到第二表面的通孔；延伸穿过第一表面进入基板并且限定围绕通孔的闭环的绝缘结构，其中绝缘结构包括由至少一个实心部分分隔的接缝部分；以及从绝缘结构朝着第二表面延伸的绝缘区域，该绝缘区域将通孔与块状区域分隔，其中绝缘结构和绝缘区域共同提供通孔与块状区域之间的电隔离。
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公开(公告)号：CN104798154B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201380060719.8
申请日：2013-09-20
Applicant: 维斯普瑞公司
IPC: H01G5/16
CPC classification number: H01G5/16 , B81B3/0008 , B81B3/0016 , B81B3/0051 , B81B2201/0221 , B81C1/00166 , B81C1/00476 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , H01G5/18 , H01G7/00
Abstract: 用于微机电系统(MEMS)可调电容器的系统，设备和方法，所述电容器包括附着到基底的固定驱动电极，附着到所述基底的固定电容电极；以及定位在所述基底上方并相对于所述固定驱动电极和所述固定电容电极移动的活动部件。所述活动部件包括：定位在所述固定驱动电极上方的可动驱动电极和定位在所述固定电容电极上方的可动电容电极。所述可动电容电极的至少一部分以第一间隙与所述固定电容电极间隔开，以及所述可动驱动电极以大于所述第一间隙的第二间隙与所述固定驱动电极间隔开。
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公开(公告)号：CN107473176A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710427401.9
申请日：2017-06-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/019 , B81C1/00158 , B81C2201/013 , H04R19/005 , H04R19/016 , H04R19/04 , H04R31/00 , B81C1/00404 , B81B7/008 , B81B7/02 , B81B2207/03 , B81C2201/0198
Abstract: 本发明涉及微机电器件和制作微机电器件的方法。一种制作微机电部件的方法，该方法包括：在层之上形成掩模，该掩模包括结构化表面；将掩模的包括结构化表面的区域加热到掩模的玻璃转变温度以上，以使结构化表面的边缘平滑从而形成波状表面；对被掩模覆盖的层进行刻蚀，所述刻蚀去除掩模以将掩模的波状表面传递到层中并且形成该层的波状表面；在层之上形成隔膜，以形成隔膜的被配置为致动的波状区域；以及形成导电部件，该导电部件被配置为以下中至少之一：响应于传输到导电部件的电信号而提供用于致动隔膜的力，以及响应于隔膜的致动而提供电信号。
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公开(公告)号：CN105103031B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201480015234.1
申请日：2014-03-13
IPC: G02B26/08
CPC classification number: F16C11/12 , B81B3/0043 , B81B2201/0235 , B81B2201/034 , B81B2201/042 , B81B2203/0118 , B81B2203/0163 , B81C1/0015 , B81C1/00198 , B81C1/00523 , B81C2201/013 , E05D1/02 , E05D7/00 , E05D11/0081 , F16F1/48 , F16F2224/025 , F16F2226/00 , F16F2226/042 , G01C19/02 , G01P15/09 , G01P15/093 , G01P15/125 , G02B26/0833 , G02B26/105 , Y10T16/522 , Y10T16/525 , Y10T29/24 , Y10T29/25
Abstract: 本发明公开了一种机械设备(20、50、70、80、120)，其包括由刚性的弹性材料制成的窄长元件(26、54、66、90、122)。刚性框架(28、52、64、92)被配置为锚定所述元件的与框架附接的至少一个端部，并被配置为限定在梁和所述框架之间沿所述元件纵向延伸的间隙，使得所述元件在间隙内自由地移动。不同于刚性的弹性材料的固体填充材料(30、56、68、94、102、124)填充所述元件和所述框架之间的间隙的至少一部分，以允许元件在间隙内的第一运动模式，而抑制不同的第二运动模式。
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