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    用于制造微机电器件的方法和由该方法获得的微机电器件
    13.
    发明公开
    用于制造微机电器件的方法和由该方法获得的微机电器件 失效 转让

    公开(公告)号：CN1708450A

    公开(公告)日：2005-12-14

    申请号：CN200380102053.4

    申请日：2003-10-17

    Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

    Inventor： J·T·M·范比克 ,  M·范格鲁特

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B2203/0323 ,  B81C2201/0142

    Abstract: 本发明涉及一种制造微机电器件(10)的方法，在该方法中，在衬底(1)上依序地沉积其中形成第一电极(2A)的第一导电层(2)、由第一材料构成的第一电绝缘层(3)、由不同于第一材料的第二材料构成的第二电绝缘层(4)、以及其中形成与第一电极相对的第二电极(5A)的第二导电层(5)，第二电极(5A)与第一电极(2A)以及第一绝缘层(3)一起形成器件(10)，其中在沉积第二导电层(5)之后，借助于相对于第二导电层(5)的材料具有选择性的蚀刻剂除去第二绝缘层(4)。根据本发明，对于第一材料和第二材料，选择相对于彼此仅有有限的选择蚀刻性的材料；且在沉积第二绝缘层(4)之前，在第一绝缘层(3)的顶部上提供由另一材料构成的另一层(6)，该另一材料相对于第一材料可被选择蚀刻。这样，将氧化硅和氮化硅用于绝缘层(3、4)，且因此根据本发明的方法与当前的IC工艺非常兼容。优选地，通过蚀刻局部地除去第二绝缘层(4)，然后通过蚀刻完全除去另一层(6)，且最后通过蚀刻完全除去第二绝缘层(4)。

    Method for manufacturing a micro-electro-mechanical structure
    15.
    发明公开
    Method for manufacturing a micro-electro-mechanical structure 有权
    一种制造微机电结构的方法

    公开(公告)号：EP1770056A3

    公开(公告)日：2008-09-10

    申请号：EP06076692.0

    申请日：2006-09-07

    Applicant: Delphi Technologies, Inc.

    Inventor： Chilcott, Dan W.

    IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00531 ,  B81B2203/033 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0142

    Abstract: A technique (500) for manufacturing a micro-electro-mechanical (MEM) structure includes a number of steps. Initially, a substrate is provided (502). Next, a plurality of trenches are etched into the substrate with a first etch (508). Then, a charging layer is formed at a bottom of each of the trenches to form undercut trenches (510). Finally, a second etch is provided into the undercut trenches. The charging layer causes the second etch to laterally etch foots in the substrate between the undercut trenches (512). The footers undercut the substrate to release a portion of the substrate for providing a movable structure between the undercut trenches and above the footers.

    MEMS-BASED METHOD FOR MANUFACTURING SENSOR
    17.
    发明公开
    MEMS-BASED METHOD FOR MANUFACTURING SENSOR 有权

    公开(公告)号：EP3150548A4

    公开(公告)日：2018-01-03

    申请号：EP15800029

    申请日：2015-05-05

    Applicant: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO LTD

    Inventor： HU YONGGANG ,  ZHOU GUOPING

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81C1/00 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0142

    Abstract: An MEMS-based method for manufacturing a sensor comprises the steps of: forming a shallow channel (120) and a support beam (140) on a front surface of a substrate (100); forming a first epitaxial layer (200) on the front surface of the substrate (100) to seal the shallow channel (120); forming a suspended mesh structure (160) below the first epitaxial layer (200); and forming a deep channel (180) at a position on a back surface of the substrate (100) corresponding to the shallow channel (120), so that the shallow channel (120) is in communication with the deep channel (180). In the Method of manufacturing a MEMS-based sensor, when a shallow channel is formed on a front surface, a support beam of a mass block is formed, so the etching of a channel is easier to control, the process is more precise, and the uniformity and the homogeneity of the formed support beam are better.

    VERFAHREN ZUM ANISOTROPEN PLASMAÄTZEN VON HALBLEITERN
    18.
    发明授权
    VERFAHREN ZUM ANISOTROPEN PLASMAÄTZEN VON HALBLEITERN 有权
    方法用于半导体的各向异性等离子体蚀刻

    公开(公告)号：EP1095401B1

    公开(公告)日：2007-11-14

    申请号：EP00931030.1

    申请日：2000-04-26

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

    Inventor： LAERMER, Franz ,  SCHILP, Andrea

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/66

    CPC classification number: B81C1/00626 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0142 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655

    Abstract: The invention relates to a method for the anisotropic etching of structures on a semiconductor body, in particular for etching recesses in a silicon body (18) which are defined laterally in a precise manner by an etching mask, using a plasma (28). An ion-accelerator voltage is applied to the semiconductor, at least during an etching step which continues for a predetermined period. Said ion-accelerator voltage is induced, in particular, by a high-frequency alternating current. The duration of the etching step is subdivided further into at least two etching periods, between which the applied ion-accelerator voltage is modified. A preferred embodiment contains two etching periods, whereby a higher accelerator voltage is used during the first etching period than during the second etching period. The duration of the first etching period can also be determined dynamically or statically during the etching steps using a device for detecting a polymer breakthrough. In addition, high frequency pulses or pulse packets with an adjustable pulse-pause ratio are preferably used to generate and adjust the level of the accelerator voltage.

    精密加工法及び精密加工装置
    20.
    发明申请
    精密加工法及び精密加工装置 审中-公开
    精密加工方法和精密加工设备

    公开(公告)号：WO2008004513A1

    公开(公告)日：2008-01-10

    申请号：PCT/JP2007/063220

    申请日：2007-07-02

    Applicant: 財団法人大阪産業振興機構 ,  国立大学法人大阪大学 ,  佐野泰久

    Inventor： 佐野泰久

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/31

    CPC classification number: H01L21/3065 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0142

    Abstract: 加工形状の制御を容易に行うことができる精密加工法及び精密加工装置を提供する。 本発明の精密加工法は、被酸化物（１０）の表面（１０ａ）に所望の厚み分布で酸化部位（１２）を形成する酸化工程と、酸化部位（１２）を除去する除去工程とを含む精密加工法である。本発明の精密加工法によれば、例えば酸化工程において酸化部位（１２）の厚みを計測しながら所望の厚みまで酸化を行うことにより、加工量（除去量）を精密に制御できる。これにより、加工形状の制御を容易に行うことができる。

    Abstract translation: 提供了可以容易地控制加工形状的精密加工方法和精密加工装置。 精密加工方法包括在氧化材料（10）的表面（10a）上以期望的厚度分布形成氧化部分（12）的氧化步骤和除去氧化部分（12）的去除步骤。 处理量（去除量）可以通过例如在氧化步骤中测量氧化部分（12）的厚度的同时进行氧化至所需厚度来精确控制。 因此，可以容易地控制加工形状。

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