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11.

发明公开
非易失性纳米机电系统器件失效转让

公开(公告)号：CN102712461A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080051006.1

申请日：2010-09-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·科恩 , D·J·法兰克

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/018 , B81B2203/0118 , B81B2207/053 , B81C2201/0167

Abstract: 提供了一种非易失性纳米机电系统器件，包括：悬臂结构，该悬臂结构包括具有初始形状的横梁，该横梁在其一端处由支撑底座支撑；以及横梁偏转器，该横梁偏转器包括相变材料(PCM)，该PCM在与横梁的材料无滑动的状况下布置在横梁的一部分上，该PCM采用非晶相或结晶相之一，并且当采用该结晶相时，使横梁从初始形状偏转。

12.

发明授权
微机电装置的扩散阻挡层失效转让

公开(公告)号：CN101305308B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200680040120.8

申请日：2006-10-19

Applicant: 高通MEMS科技公司

Inventor： 王新福 , 唐明华 , 斯蒂芬·奇

IPC: G02B26/00 , B81B3/00 , H01L23/06

CPC classification number: G02B26/001 , B81B3/0072 , B81B2201/047 , B81C1/00793 , B81C2201/0167

Abstract: 本文描述在MEMS装置中的金属层之间使用扩散阻挡层。所述扩散阻挡层防止两种金属的混合，所述混合可改变所要物理特征且使处理复杂化。在一个实例中，所述扩散阻挡层可用作干涉式调制器中的可移动反射结构的一部分。

13.

发明公开
制造提供气隙控制的微机电系统装置的方法失效转让

公开(公告)号：CN101484381A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200780024852.2

申请日：2007-05-16

Applicant: 高通MEMS科技公司

Inventor： 董明皓 , 利奥尔·科格特

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/042 , B81C1/00047 , B81C2201/0167

Abstract: 本发明提供用于控制光调制装置的两个层之间的腔的深度的方法和设备。一种制造光调制装置的方法包括：提供衬底；在所述衬底的至少一部分上方形成牺牲层；在所述牺牲层的至少一部分上方形成反射层；以及在所述衬底上方形成一个或一个以上挠曲控制器，所述挠曲控制器经配置以可操作地支撑所述反射层，且在移除所述牺牲层时，形成深度可测量地不同于所述牺牲层的厚度的腔，其中垂直于所述衬底测量所述深度。

14.

发明公开
用于在MEMS装置内形成层以实现锥形边缘的方法无效

公开(公告)号：CN101258101A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200680030211.3

申请日：2006-08-17

Applicant: 高通MEMS科技公司

Inventor： 桂成斌 , 笹川照夫 , 董明豪 , 王春明 , 斯蒂芬·泽

IPC: B81C1/00

CPC classification number: G02B26/0841 , B81B3/0072 , B81B2201/047 , B81B2203/0163 , B81B2203/019 , B81B2203/0307 , B81B2203/053 , B81C1/00142 , B81C1/00666 , B81C2201/0167 , G02B26/001 , Y10S359/90

Abstract: 某些MEMS装置包含经图案化以具有锥形边缘的层。一种形成具有锥形边缘的层的方法包含使用蚀刻前导层。另一种形成具有锥形边缘的层的方法包含沉积其中上部部分可以比下部部分快的速率蚀刻的层。另一种形成具有锥形边缘的层的方法包含使用多个反复蚀刻。另一种形成具有锥形边缘的层的方法包含使用具有包含负角的孔的剥离掩模层，使得可在所述剥离掩模层上沉积一层并去除所述掩模层，从而留下具有锥形边缘的结构。

15.

发明授权
微型继电器失效

公开(公告)号：CN1173398C

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN99816420.8

申请日：1999-02-04

Applicant: 蒂科电子输给系统股份公司

Inventor： 厄皮利·斯里达 , 维克托·D·桑珀 , 符芳涛 , 德克·瓦格纳 , 凯·克鲁普卡 , 赫尔穆特·施拉克

IPC: H01L23/00 , H01H59/00

CPC classification number: B81C1/00666 , B81C2201/0167 , H01H59/0009 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

Abstract: 提供了一种包括S形支撑元件的微结构继电器。S形支撑元件在继电器中产生了多余行程，用以在继电器的整个寿命期限中产生高的接触力和低的接触电阻。在支撑元件上适当部位的压应力和拉应力引发层使之按所需弯曲。

16.

发明公开
包括(多个)可变形压力容器的压力传感器无效

公开(公告)号：CN107148562A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201580057455.X

申请日：2015-08-27

Applicant: 凯欧尼克公司

Inventor： S·G·亚当斯 , C·W·布莱克梅 , K·J·林奇

IPC: G01L9/00

CPC classification number: G01L9/003 , B81B3/0072 , B81B2201/0264 , B81C1/00 , B81C1/00666 , B81C2201/0167 , G01L9/0027 , G01L9/0055 , G01L9/0073 , G01L9/008 , G01L9/0082 , G01L13/00 , G01L13/02 , G01P15/006 , G01P15/08 , H01L21/00

Abstract: 本文描述了使用包括(多个)可变形压力容器的(多个)压力传感器来进行压力感测的技术。压力容器是具有限定空隙的横截面的物体。可变形压力容器为具有至少一个弯曲部分的压力容器，所述至少一个弯曲部分被配置为基于空腔中的空腔压力与所述压力容器中的容器压力之间的压差而在结构上发生变形(例如，弯曲、剪切、拉长等)，所述压力容器的至少一部分悬挂在所述空腔中。

17.

发明公开
微电子的结构元件装置和用于其的制造方法无效

公开(公告)号：CN106920782A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201610843672.8

申请日：2016-09-23

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： F.安特 , M.安贝格尔

IPC: H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/488

CPC classification number: B81B3/0054 , B81B2201/0264 , B81B2207/098 , B81C1/00309 , B81C1/00333 , B81C2201/0167 , B81C2201/053 , H01L2224/27013 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L24/09

Abstract: 本发明建立了微电子的结构元件装置和用于微电子的结构元件装置的相应的制造方法。微电子的结构元件装置包括传感器，其中，所述传感器具有至少一个侦测面和至少一个带有彼此处于第一间距中的接触元件的区域。微电子的结构元件装置还包括带有安装面的载体，所述传感器借助至少局部地彼此处于第一间距中的接触元件紧固在载体上，并且所述侦测面具有相对于所述安装面的第二间距地对置于安装面。在此，接触元件通过使得机械稳定的材料润湿，并且所述至少一个带有所述接触元件的区域通过所述使得机械稳定的材料包封并且所述侦测面没有所述使得机械稳定的材料。

18.

发明授权
微机械装置及其设计方法有权

公开(公告)号：CN103650343B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201280023350.9

申请日：2012-05-11

Applicant: 芬兰国家技术研究中心

Inventor： 米卡·普伦尼拉 , 安特尔·亚科拉 , 托马斯·彭萨拉

IPC: H03H9/02 , H03H9/24 , B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0271 , B81C2201/0164 , B81C2201/0167 , B81C2201/0177 , G06F17/5045 , H03H9/02448 , H03H9/2447 , H03H2009/2442

Abstract: 本发明涉及一种微机械装置，包括：半导体元件，所述半导体元件能够产生偏转或谐振，并且包括具有不同材料性质的至少两个区域；以及功能性连接到所述半导体元件的驱动或传感机构。根据本发明，所述区域中的至少一个包括一种或多种n型掺杂剂，并且所述区域的相对体积、掺杂浓度、掺杂剂和/或晶体定向构造成使得所述区域的广义刚度的温度敏感度至少在一个温度下符号相反，并且在100℃的温度范围内，所述半导体元件的广义刚度的总体温度漂移为50ppm或更少。所述装置可以为谐振器。还公开了一种设计所述装置的方法。