公开(公告)号：CN105810530A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610192237.3

申请日：2016-03-30

Applicant: 青岛科技大学

Inventor： 李镇江 ,  宋冠英 ,  孟阿兰 ,  张猛 ,  李凯华

IPC: H01J1/304 ,  C23C16/30 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/30

Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂石墨烯@SiO2同轴纳米管的制备方法和应用。本发明以三聚氰胺和甲烷为反应原料，Si?SiO2混合粉体为辅料，硝酸镍为催化剂，采用无模板一步化学气相反应法，在真空气氛炉中，制备出氮掺杂石墨烯@SiO2同轴纳米管。本发明提供的无模板一步化学气相反应法具有工艺简单，成本低，易于控制，可重复性好，获得的氮掺杂石墨烯@SiO2同轴纳米管的管径为150～250nm，SiO2包覆层的厚度为6～8nm，并具有优异的场发射性能，可使其在场发射平板显示器、真空电子器件、大屏幕LCD背光模组和场发射照明光源等领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN105448624A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410327704.X

申请日：2014-07-10

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 杜秉初 ,  柳鹏 ,  周段亮 ,  张春海 ,  范守善

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J3/021 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2203/0268 ,  H01J2203/0272 ,  H01J2203/028 ,  H01J2203/0284 ,  H01J2203/0288 ,  Y10S977/742

Abstract: 一种场发射阴极的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一微通道板，该微通道板具有多个开孔；提供一碳纳米管浆料，将所述碳纳米管浆料填充于所述微通道板的多个开孔内，部分碳纳米管浆料粘附于所述微通道板的开孔内壁；加热填充碳纳米管浆料的微通道板，使得所述碳纳米管浆料中的有机载体挥发，得到一场发射阴极。

公开(公告)号：CN105336560A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201410288346.6

申请日：2014-06-25

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 柳鹏 ,  陈丕瑾 ,  周段亮 ,  张春海 ,  范守善

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J25/22 ,  H01J1/304 ,  H01J3/021 ,  H01J23/04 ,  H01J23/06 ,  H01J2201/30469

Abstract: 一种反射式速调管包括电子发射装置，电子发射装置包括：一电子发射结构和一电子反射结构相对设置，其中，该电子反射结构包括：反射极、第二栅网；该电子发射结构包括：阴极、电子引出极、电子发射体、第一栅网，其中，该电子发射体与所述阴极电连接，该电子引出极具有一通孔对应所述电子发射体，所述电子发射体包括多个子电子发射体，每个子电子发射体具有一电子发射端，每一电子发射端至电子引出极的所述通孔的侧壁的最短距离基本一致，每一电子发射端与反射极之间的距离大于等于10微米小于等于200微米，所述反射式速调管内的压强小于等于100帕。本发明还提供一种电子发射装置。

公开(公告)号：CN102714119B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180006212.5

申请日：2011-01-20

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 井上武治郎 ,  重田和树 ,  定国广宣 ,  后藤一起

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J29/04 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30453 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/0444 ,  H01J2329/0455

Abstract: 本发明为一种电子发射源用膏料，其是含有电子发射源用碳材料、磷酸系玻璃和平均粒径为0.1μm～1.0μm的导电性颗粒的电子发射源用膏料，其中，磷酸系玻璃含有25摩尔%～70摩尔%的P2O5成分，导电性颗粒为含有导电性氧化物的颗粒、或者为氧化物表面的一部分或全部涂布有导电性氧化物的颗粒。本发明提供一种电子发射源，其中，通过所述电子发射源用膏料而能够同时良好地保持电子发射源用碳材料与阴极电极基板的强粘接性和电子发射源的导电性，并且能够在低电压下发射电子。

公开(公告)号：CN103367074B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201210087168.1

申请日：2012-03-29

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 柳鹏 ,  范守善

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y99/00 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/939

Abstract: 一种碳纳米管场发射体的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列形成于一生长基底；采用一拉伸工具从所述碳纳米管阵列中选定多个碳纳米管片段拉取获得一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括一三角区碳纳米管膜，所述拉伸工具所选定的多个碳纳米管片段为该三角区碳纳米管膜的一顶部；处理所述拉伸工具所选定的碳纳米管片段，使三角区碳纳米管膜的所述顶部形成一碳纳米管线；采用激光束以三角区碳纳米管膜的所述顶部为中心，沿着三角区碳纳米管膜的切割线切断所述三角区碳纳米管膜，所述三角区碳纳米管膜的切割线至三角区碳纳米管膜的顶部的距离为10微米~5毫米，得到一扇形或三角形的碳纳米管场发射体。

公开(公告)号：CN102884605B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201180017218.2

申请日：2011-04-04

Applicant: 光实验室瑞典股份公司

Inventor： 胡秋红

IPC: H01J1/304 ,  H01J31/12 ,  H01J63/02 ,  H01J63/06

CPC classification number: H01J1/3044 ,  B82Y20/00 ,  H01J1/304 ,  H01J31/123 ,  H01J63/02 ,  H01J63/04 ,  H01J2201/3043 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30484 ,  H01J2201/30488 ,  H01J2201/30492 ,  H01J2201/30496 ,  H01J2329/0428 ,  H01J2329/0439 ,  H01J2329/0465 ,  H01J2329/0468 ,  H01J2329/0471 ,  H01J2329/0473

Abstract: 本发明涉及一种场致发射阴极，所述场致发射阴极包括：至少部分导电的基底结构；和空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分，其中，所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。本发明的优点包括降低功耗以及增加例如包括所述场致发射阴极的场致发射照明装置的光输出。

公开(公告)号：CN102148121B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201010217367.0

申请日：2010-06-24

Applicant: 能资国际股份有限公司 ,  贾淑瑜

Inventor： 李普仁 ,  蓝文厚

IPC: G03F7/20 ,  H01J35/24 ,  H01J35/06 ,  H01J35/14 ,  H01J35/16

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J35/065 ,  H01J35/14 ,  H01J2235/062 ,  H01J2235/068

Abstract: 本发明提供一种X射线电子束产生器及其阴极。该X射线电子束产生器包含该阴极、一聚焦装置、一阳极靶以及一玻璃容器。该阴极包含一容器及一电子束发射体。该容器具有一基座及一侧壁，该侧壁环绕该基座，且该基座及该侧壁界定一凹槽。该电子束发射体包含至少一金属单元，各该至少一金属单元被以化学气相沉积法成长一碳膜层，且各该至少一金属单元被置放于该凹槽的一底部。该至少一金属单元与该X射线电子束产生器的一外部金属单元呈电性连接。该玻璃容器依序置放有该阴极、该聚焦装置及该阳极靶。各该至少一碳膜层面向该阳极靶。该玻璃容器具有一阀门及一窗口，该阀门用以将该玻璃容器抽成真空，该窗口用以射出一X射线。

公开(公告)号：CN103854935A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210518136.2

申请日：2012-12-06

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 柳鹏 ,  张春海 ,  周段亮 ,  杜秉初 ,  郭彩林 ,  陈丕瑾 ,  范守善

IPC: H01J1/304

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J3/021 ,  H01J31/127 ,  H01J2203/0236

Abstract: 一种场发射阴极装置，包括：一阴极电极；一电子发射体，该电子发射体与所述阴极电极电连接；一电子引出极，该电子引出极通过一绝缘隔离层与所述阴极电极电绝缘且间隔设置，该电子引出极具有一通孔对应所述电子发射体；所述电子发射体包括多个子电子发射体，每个子电子发射体远离阴极电极的一端至电子引出极所述通孔的侧壁的最短距离基本一致。本发明还涉及利用所述场发射阴极装置的场发射器件。

公开(公告)号：CN103730302A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201210380870.7

申请日：2012-10-10

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 郭彩林 ,  唐洁 ,  柳鹏 ,  范守善

IPC: H01J1/304 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J1/3042 ,  B82Y30/00 ,  B82Y99/00 ,  H01J1/304 ,  H01J3/021 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2203/0212 ,  H01J2329/0455 ,  H01J2329/4608

Abstract: 本发明提供一种场发射电子源，所述场发射电子源包括一碳纳米管线状结构、一绝缘层以及至少一导电环，其中，所述碳纳米管线状结构及绝缘层同轴设置，所述绝缘层设置于所述碳纳米管线状结构的表面，所述导电环设置于所述碳纳米管线状结构至少一端部的绝缘层外表面，所述导电环靠近碳纳米管线状结构端部的一环面与该碳纳米管线状结构的该端部平齐。

公开(公告)号：CN103262201A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180061074.0

申请日：2011-12-07

Applicant: 光实验室瑞典股份公司

Inventor： Q·胡

IPC: H01J1/304 ,  H01J63/04 ,  H01J63/06 ,  H05B37/02 ,  H05B41/42

CPC classification number: H05B41/36 ,  H01J1/304 ,  H01J61/523 ,  H01J63/02 ,  H01J63/04 ,  H01J63/06

Abstract: 本发明涉及场致发射照明装置，所述场致发射照明装置包括至少部分被荧光粉层覆盖的阳极结构、内置阳极结构的真空外壳和场致发射阴极，其中，所述场致发射照明装置被配置为接收用于激励所述场致发射照明装置的驱动信号，并为了发光按照顺序激发所述荧光粉层中被选择的多个部分。同样的控制机制也可用于包含多个场致发射阴极和单个场致发射阳极的装置。本发明的优势包括延长场致发射照明装置的寿命。