中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

177 records (took 0.034 seconds)

    具有边缘增强效应的栅极场发射阴极结构及其制备方法
    12.
    发明公开
    具有边缘增强效应的栅极场发射阴极结构及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN101847557A

    公开(公告)日：2010-09-29

    申请号：CN201010200646.6

    申请日：2010-06-13

    Applicant: 福州大学

    Inventor： 郭太良 ,  张永爱 ,  林金堂 ,  翁卫祥 ,  叶芸

    IPC: H01J29/02 ,  H01J9/02

    CPC classification number: H01J1/3046 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30423 ,  H01J2329/0423

    Abstract: 本发明涉及一种具有边缘增强效应的栅极场发射显示器中的阴极结构，该阴极结构具有阴极基板，阴极单元包括电子发射阴极材料层、栅极层以及介电层。其中，电子发射阴极材料层与栅极层共面地设置在阴极玻璃基板上，而且相互对应并用介电层隔开。通过在结构边缘会增加电场强度的电学特性，将条状电极与介电层的宽度比进行控制，使得阴极板上条状电极边缘露出，而最靠近玻璃基板的条状通过刻蚀玻璃的方式而露出，实现发射极和栅极的任意选择及调控。这样在发射源处构成具有边缘结构，以提高位于发射源处的电场，增强栅极调控作用，降低场发射阴极开启电场，提高场发射显示器件的阴极场发射性能，简化工艺程序，降低制造成本。

    受限型电子场致发射器件及其制造工艺
    14.
    发明公开
    受限型电子场致发射器件及其制造工艺 无效

    公开(公告)号：CN1287679A

    公开(公告)日：2001-03-14

    申请号：CN99801823.6

    申请日：1999-02-06

    Applicant: 先进图像技术公司

    Inventor： 迈克尔D·波特

    IPC: H01J21/10 ,  H01J3/02 ,  H01J9/02

    CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J3/022 ,  H01J2201/30423

    Abstract: 横向发射体场致发射器件(10)具有栅极(60),该栅极通过绝缘层(80)与包含器件(10)的其它部件的真空或填充气体的微腔室环境(20)隔开。例如在微腔室(20)的外部设置栅极(60)。设置绝缘层(80)以便对从横向发射体(40,100)发射的电子来说不存在通过真空或填充气体到达栅极的通路。设置在发射体与栅极之间的绝缘层(70,80)最好包括具有介电常数大于1的材料。该绝缘层最好还在器件的电子能量工作范围内具有低二次电子产生率。对于显示应用来说,绝缘层最好是透明的。发射的电子被限制到包含发射体(100)的微腔室(20)内。发射体电流的栅极电流成分仅由位移电流组成。该位移电流是栅极电位相对其它部件例如相对发射体的任何变化的结果。防止从发射体到栅极的直接电子电流。器件的阵列包括微腔室阵列,以致来自各发射体(100)的电子电流仅可到达相同微腔室中的阳极(50,55),即使对于没有栅电极(60)的二极管器件也如此。制造工艺方法(S1－S28)特别适于制造器件和这种器件的阵列。

    自吸气电子场致发射体及其制造工艺
    15.
    发明公开
    自吸气电子场致发射体及其制造工艺 无效

    公开(公告)号：CN1281584A

    公开(公告)日：2001-01-24

    申请号：CN98812141.7

    申请日：1998-12-11

    Applicant: 先进图像技术公司

    Inventor： 迈克尔D·波特

    IPC: H01J1/02 ,  H01J1/16 ,  H01J19/10 ,  H01J1/62 ,  H01J63/04 ,  H01J17/24 ,  H01J19/70 ,  H01J61/26

    CPC classification number: H01J29/94 ,  H01J2201/30423 ,  H01J2329/00

    Abstract: 自吸气电子场致发射体(30)具有用于电子发射的低功函数材料形成的第一部分(40),和用作低电阻导电体和用作吸气表面的成一体的第二部分(50)。通过平行于衬底设置低功函数材料的薄膜,和通过平行于衬底且与低功函数材料薄膜接触地设置低电阻吸气材料薄膜,形成自吸气发射体(30)。自吸气发射体(30)特别适用于横向场致发射器件(10)。优选的发射体结构具有逐渐变细的边缘(60),该边缘具有超过吸气和低电阻材料边缘(55)延伸一小段距离的低功函数材料的突出部分(45)。制造工艺(S1－S6)本身特别适于形成自吸气电子场致发射体同时制造微电子场致发射器件。

    LATERAL-EMITTER FIELD-EMISSION DEVICE WITH SIMPLIFIED ANODE AND FABRICATION THEREOF
    17.
    发明申请
    LATERAL-EMITTER FIELD-EMISSION DEVICE WITH SIMPLIFIED ANODE AND FABRICATION THEREOF 审中-公开
    具有简化阳极和制造的侧向发射场场发射装置

    公开(公告)号：WO1996038854A1

    公开(公告)日：1996-12-05

    申请号：PCT/US1996008254

    申请日：1996-05-31

    Applicant: ADVANCED VISION TECHNOLOGIES, INC. ,  POTTER, Michael, D.

    Inventor： ADVANCED VISION TECHNOLOGIES, INC.

    IPC: H01J01/62

    CPC classification number: H01J3/022 ,  H01J2201/30423 ,  H01J2209/385

    Abstract: A lateral field-emission device (10) has a lateral emitter (100) substantially parallel to a substrate (20) and has a simplified anode structure (70). The anode's top surface is precisely spaced apart from the plane of the lateral emitter and receives electrons emitted by field emission from the edge of the lateral emitter cathode, when a suitable bias voltage is applied. The device may be configured as a diode, or as a triode, tetrode, etc. having control electrodes (140) positioned to allow control of current from the emitter to the anode by an electrical signal applied to the control electrode.

    Abstract translation: 横向场发射器件（10）具有基本上平行于衬底（20）的侧向发射器（100）并且具有简化的阳极结构（70）。 当施加合适的偏置电压时，阳极的顶表面与横向发射器的平面精确地间隔开并且接收从侧向发射极阴极的边缘发射的电场。 该器件可以被配置为具有控制电极（140）的二极管或三极管四极管等，该控制电极定位成允许通过施加到控制电极的电信号来控制从发射极到阳极的电流。

    Cold cathode field emission device and cold cathode field emission display
    18.
    发明公开
    Cold cathode field emission device and cold cathode field emission display 审中-公开
    Kaltkathodenfeldemitter und Anzeigevorrichtung mit solchen Emittern

    公开(公告)号：EP0974998A2

    公开(公告)日：2000-01-26

    申请号：EP99401872.9

    申请日：1999-07-23

    Applicant: SONY CORPORATION

    Inventor： Iwase, Yuichi, c/o Sony Coorporation ,  Okita, Masami, c/o Sony Corporation

    IPC: H01J1/30 ,  H01J31/12

    CPC classification number: H01J3/022 ,  H01J29/467 ,  H01J2201/30423 ,  H01J2329/00

    Abstract: A cold cathode field emission device comprising an electron emission layer (14), an insulating layer (13) and a gate electrode (12) which are laminated one on another with the insulating layer (13) positioned between the gate electrode (12) and the electron emission layer (14), and further comprising an opening portion (17) which penetrates through at least the insulating layer (13) and the electron emission layer (14), the electron emission layer (14) having an edge portion (14A) for emitting electrons, the edge portion (14A) being projected on a wall surface of the opening portion (17), and the electron emission layer (14) being connected to a power source through a resistance layer (23).

    Abstract translation: 一种冷阴极场发射器件，包括电子发射层（14），绝缘层（13）和栅电极（12），它们彼此层叠，绝缘层（13）位于栅电极（12）和 电子发射层（14），并且还包括穿透至少绝缘层（13）和电子发射层（14）的开口部分（17），电子发射层（14）具有边缘部分（14A ），所述边缘部分（14A）突出在所述开口部分（17）的壁表面上，并且所述电子发射层（14）通过电阻层（23）连接到电源。

    Field emitter for flat panel display
    20.
    发明公开
    Field emitter for flat panel display 失效
    Feldemissionsanordnungfüreine flache Anzeigevorrichtung

    公开(公告)号：EP0739022A2

    公开(公告)日：1996-10-23

    申请号：EP96302621.6

    申请日：1996-04-15

    Applicant: Hewlett-Packard Company

    Inventor： Kue, Huel-Pel

    IPC: H01J3/02 ,  H01J1/30

    CPC classification number: H01J3/022 ,  H01J2201/30423 ,  H01J2201/319

    Abstract: A field emission device (100) including a substrate (130), an emitter layer (106), a spacer layer (104) and a gate layer (102). In one preferred embodiment, the emitter layer (106) is made of a resistive material, and has a side end (120) that has an edge (122). The spacer layer (104) is on and over only a portion of the emitter layer (106) to expose the edge (122). The gate layer (102), on the spacer layer (104), also has a side end (128) that is tapered to form a wedge (129) with an edge. In one application, the device (100) is used in a flat panel display (90), with a screen (124). The screen (124) is at a selected positive voltage and is positioned above the gate layer (102). When a selected potential difference is applied between the emitter layer (106) and the gate layer (102), an electron-extraction field is established between the edge (132) of the gate layer (102) and the edge (122) of the emitter layer (106) to extract electrons from the edge (122) of the emitter layer (106). Then, the electrons are attracted to the screen (124). The wedge (129) reduces the amount of electrons collected at the gate and increases the efficiency of the device. The resistive nature of the emitter layer (106) enhances the uniformity of the electrons emitted along the edge (122) of the emitter layer (106).

    Abstract translation: 一种场发射器件（100），包括衬底（130），发射极层（106），间隔层（104）和栅极层（102）。 在一个优选实施例中，发射极层（106）由电阻材料制成，并具有具有边缘（122）的侧端（120）。 间隔层（104）仅在发射极层（106）的一部分上并暴露出边缘（122）。 在间隔层（104）上的栅层（102）也具有锥形以形成具有边缘的楔形物（129）的侧端（128）。 在一个应用中，设备（100）用于具有屏幕（124）的平板显示器（90）中。 屏幕（124）处于选定的正电压并且位于栅极层（102）上方。 当在发射极层（106）和栅极层（102）之间施加选择的电位差时，在栅极层（102）的边缘（132）和栅极层（102）的边缘（122）之间建立电子提取场 发射极层（106），以从发射极层（106）的边缘（122）提取电子。 然后，电子被吸引到屏幕（124）。 楔形物（129）减少了在门处收集的电子的量并且提高了装置的效率。 发射极层（106）的电阻性质增强沿发射极层（106）的边缘（122）发射的电子的均匀性。

Patent Agency Ranking