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公开(公告)号：CN105593401B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201480053311.2
申请日：2014-09-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/12 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/061 , H01J2237/083
Abstract: 本发明涉及一种离子植入机，其在一或多个暴露于离子的导电表面上具有低电阻率碳化硅镀膜。举例来说，离子在离子源室中产生并且壁的内表面镀有低电阻率碳化硅。由于碳化硅是硬性并且耐溅镀的，这可以减少引入到从离子源室提取的离子束中的污染物离子的量。在一些实施例中，提取电极也镀有碳化硅以减少由这些组件引入的污染物离子。
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公开(公告)号：CN107275175A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710222521.5
申请日：2017-04-06
Applicant: 卡尔蔡司显微镜有限责任公司
CPC classification number: H01J27/20 , B03C1/023 , B03C3/383 , B03C3/41 , B03C3/47 , B03C3/60 , G21K1/087 , H01J27/022 , H01J27/26 , H01J37/08 , H01J2237/0807 , H01J37/261 , H01J2237/002 , H01J2237/022
Abstract: 一种离子源，包括外壳、导电尖端、配置为将操作气体供应到尖端的附近的气体供应系统以及配置为冷却尖端的冷却系统。气体供应系统包括具有中空内部的第一管，并且在管的中空内部中提供化学吸气剂材料。
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公开(公告)号：CN107248490A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710368331.4
申请日：2017-05-23
Applicant: 北京师范大学
IPC: H01J37/08 , H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/147 , H01J37/3171
Abstract: 本发明公开了一种新型的离子源引出‑加速电极结构，其中，引出电极由圆孔型引出设计为等宽的长条形引出形状，同时加速电极之间的距离不再恒定，设计为连续变化的引出间距，即加速电极之间的距离由5mm变为可变区间3‑7mm。通过实施本发明，离子束斑的形状发生明显的改变，由原来的圆形束斑变成长条形束斑，束斑尺寸可为(100‑200mm)×(300‑800mm)，大大提高了离子束斑的纵向宽度，在处理长条形工件时有着非常明显的优势。同时，通过引出‑加速电极的改变离子束流大大增加，在相同束流强度下能够大大增加阴极靶材的寿命。
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公开(公告)号：CN107078009A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580053465.6
申请日：2015-08-19
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/2658 , H01J37/08 , H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01L31/18 , H05K999/99
Abstract: 本发明描述使用固体掺杂剂磷及砷源及较高阶磷或砷植入源材料的设备及方法。在各种实施方案中，在离子源室中提供固体含磷或含砷材料以用于产生二聚物或四聚物植入物质。在其它实施方案中，通过使用反应器来分解气态含磷或含砷材料以形成用于离子植入的气相二聚物及四聚物而增强离子植入。
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公开(公告)号：CN107078005A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201480082170.7
申请日：2014-09-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 绫淳
IPC: H01J27/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/18 , H01J2237/006 , H01J2237/08
Abstract: 目的在于得到能够缩短固体材料的升华温度稳定化时间而提高工作效率的离子注入装置。离子注入装置具有：真空分隔壁(1)，其内部保持为真空；固体填充容器(3)，其整体配置于所述真空分隔壁(1)的内部，填充有固体材料(8)；加热器(7)，其使在所述固体填充容器(3)中填充的所述固体材料(8)升华而生成原料气体(9)；电弧室(6)，其将所述原料气体(9)离子化而作为离子束(11)射出；气体供给喷嘴(10)，其将所述原料气体(9)从所述固体填充容器(3)引导至所述电弧室(6)；以及支撑件(4)，其将所述固体填充容器(3)支撑固定于所述真空分隔壁(1)，所述支撑件(4)与所述真空分隔壁(1)及所述固体填充容器(3)相比导热性低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106876232A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710211164.2
申请日：2017-03-31
Applicant: 上海伟钊光学科技股份有限公司
IPC: H01J37/08
CPC classification number: H01J37/08
Abstract: 现有的离子源离子引出系统，如射频源中的屏极、加速极、抑制极三层栅孔板，沿轴向间隔排列，栅孔板通常做成凸曲面形状以获得希望的空间扩散形离子束流，通常几层栅孔板上的开孔位置是相同和均布的，不同栅孔板上开的孔一一对应，当栅孔板沿轴向分开放置后，外层栅网的栅孔远离轴线的一侧易被离子束流蚀刻。本发明的方案为，靠外侧的栅孔板，栅孔位置比内侧栅板的对应栅孔位置略远离轴线，形成沿着栅板径向逐渐离散的开孔分布。本发明的有益之处是，通过合理的栅孔分布设计，使外层栅板上的栅孔相对内层栅板上的栅孔具有预错位，减少外层栅孔被离子流蚀刻变形，延长栅板的使用寿命，节约成本，使用这种具有预错位栅孔离子引出栅极板的离子源可以长期以稳定的工况工作，输出的空间扩散形离子束流不因栅孔板使用寿命的变化而改变束流截面能量分布。
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公开(公告)号：CN105340050B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201480035014.5
申请日：2014-07-11
Applicant: 株式会社日立高新技术
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J37/20 , H01J37/3053 , H01J2237/006 , H01J2237/06 , H01J2237/08 , H01J2237/182 , H01J2237/1825 , H01J2237/184 , H01J2237/2001 , H01J2237/2002 , H01J2237/31749
Abstract: 本发明的离子铣削装置具备真空室(105)、进行该真空室内的真空排气的排气装置(101)、在上述真空室内支撑离子束所照射的试样(102)的试样台(103)、加热上述真空室内的加热装置(107)、向上述真空室内导入作为热介质的气体的气源(106)、控制该气源的控制装置(110)，该控制装置在由上述加热装置进行的加热时，以上述真空室内的压力为预定的状态的方式控制。由此，在冷却试样进行离子铣削后大气开放时，可在短时间内进行用于抑制产生的结露等的温度控制。
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公开(公告)号：CN104380425B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201380033434.5
申请日：2013-05-24
Applicant: FEI 公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/22 , H01J37/08
CPC classification number: H01J37/21 , H01J27/205 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01J2237/082 , H01J2237/0827 , H01J2237/31749
Abstract: 具有气体腔室的高亮度离子源包括多个通道，其中，多个通道各自具有不同的气体。使电子射束穿过通道之一以提供某些种类的离子用于处理样本。能够通过将电子引导到具有不同的气体种类的另一个通道中并且利用第二种类的离子处理样本来快速地改变离子种类。偏转板用于将电子射束对准到气体腔室中，借此允许快速地切换聚焦离子射束中的气体种类。
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公开(公告)号：CN106663582A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580044598.7
申请日：2015-08-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/05 , H01J37/30 , H01J37/317 , H05H5/06
CPC classification number: H01J37/3007 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0473 , H01J2237/0815 , H05H5/063
Abstract: 本发明揭示一种具有改进的性能的串列式加速器和离子植入机。所述串列式加速器包含多个输入电极、多个输出电极和安置在其间的高电压端子。高电压端子包含去除管。中性分子注射到去除管中，这从传入的负离子束移除电子。所得正离子朝向所述多个输出电极加速。为减小退出去除管的非所要正离子的量，偏置电极安置在去除管的入口和出口处。偏置电极以大于施加到端子的第一电压的第二电压偏置。偏置电极排斥缓慢移动的正离子，从而防止其退出去除管和污染工件。
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公开(公告)号：CN106653529A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610931250.6
申请日：2016-10-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC: H01J37/08 , H01J37/305
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/3053
Abstract: 本发明公开了一种宽束流的条形离子源，包括安装法兰、放电室、磁场部件、阳极、放电灯丝以及栅网部件，所述放电室固定在安装法兰上，所述放电室包括上法兰、下法兰和中间矩形腔体，所述磁场部件安装在放电室的四周，所述阳极安装在放电室的下法兰上，所述磁场部件为放电室提供竖直方向平行对称磁场，所述放电灯丝包括三段灯丝，并通过灯丝夹和真空电极固定在放电室的垂直中心面上，与灯丝安装法兰连接。本发明具有结构更加合理、能够大大降低维护保养难度等优点。
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