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公开(公告)号：CN101064238B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200710098396.8
申请日：2007-04-24
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 亚历山大·M·帕特森 , 瓦伦丁·N·托多罗夫 , 西奥多洛斯·帕纳戈波洛斯 , 布赖恩·K·哈彻 , 丹·卡茨 , 爱德华·P·哈蒙德四世 , 约翰·P·荷文 , 亚历山大·马特尤什金
CPC classification number: H01J37/32935 , H01J37/321
Abstract: 本发明公开了一种用于处理工件的等离子体反应器，包括：构成反应器腔室的罩和所述腔室内的工件支架，所述罩包括面向所述工件支架的顶；环形等离子体源，包括中空凹角管道和靠近凹角外部管道的一部分的RF功率施加器，所述中空凹角管道在腔室外部并具有与腔室内部连接的一对端部同时形成经过管道延伸并贯穿工件支架直径的闭合环形路径；以及耦合至环形等离子体源的RF功率施加器的RF功率发生器。所述反应器进一步包括：具有源功率电极和VHF功率发生器的电容耦合等离子体源功率施加器和包括偏压功率电极和至少第一RF偏压功率发生器的等离子体偏压功率施加器。
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公开(公告)号：CN101939029A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200880126341.6
申请日：2008-11-28
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: A61L2/087 , A61L2202/122 , B29C71/04 , B29C2035/0877 , G21K5/10 , H01J33/00
Abstract: 本发明涉及一种以富含能量的电子束(10)处理成形件(2)的装置，其中电子束(10)通过两个相对置的静止或活动的电子输出窗传导到成形件(2)上，它们限定成形件(2)的处理空间(6)。设有一个用于成形件(2)的输送装置，成形件(2)可以借助该输送装置被引导从垂直于输送方向地基本上垂直地设置的电子输出窗(7，8)旁边穿过所述处理空间(6)，并且设置有一个相对于处理空间(6)中的伦琴射线在很大程度上被屏蔽的通道(3，3a，3b，3c)，用于输送所述成形件(2)。
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公开(公告)号：CN101013649B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710007999.2
申请日：2007-02-01
Applicant: FEI公司
CPC classification number: H01J37/18 , H01J37/301 , H01J37/3056 , H01J2237/182 , H01J2237/2608 , H01J2237/28
Abstract: 本发明涉及一种具有预定的最终压力的粒子光学仪器，为此，该仪器的真空室通过第一节气阀与一个装有处在已知压力下的气体或蒸气的容器相连接，并通过第二节气阀与真空泵相连接。通过调节与上述的节气阀相关的两个电导率的比率(校准比率)使真空泵的压力达到预定的最终压力。这样，就不需要设置例如真空测量仪和控制装置，从而使该仪器的结构更为紧凑。
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公开(公告)号：CN101643895A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200810117724.9
申请日：2008-08-04
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Abstract: 一种等离子体反应腔室预处理方法，利用所述反应腔室对引入其中的基底执行处理操作之前，还包括：将表面具有有机膜层的载片置于所述反应腔室；向所述反应腔室中通入离子化的氟碳气体，所述氟碳气体的氟碳比例小于或等于2∶1；将所述载片移出所述反应腔室。可减少所述弧光放电现象的产生。
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公开(公告)号：CN100573800C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710043463.6
申请日：2007-07-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于高真空技术领域，具体为一种杆状探针式直流低压气体激活装置。该装置由杆状金属探针、可外接电极的标准真空接口和两端都为标准真空接口的移动支架组成。金属探针焊接固定于移动支架一端的真空接口，另一端进入真空腔，移动支架另一端的标准接口与真空系统连接。本发明装置能精确调控其顶端与样品间距，适用于在高真空和超高真空系统中电离激活O2、H2等气体分子，实现对各种半导体、金属和氧化物电极材料的激活气体原位表面改性处理。该装置能在几伏到几十伏的直流低电压下实现局域高电场，从而导致周围气体离化，对真空系统中的其他工作部件不产生干扰和影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101346032A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810011202.0
申请日：2008-04-24
Applicant: 大连海事大学
Abstract: 本发明涉及常压微波等离子体发生装置，该装置由矩形波导管、透波气体密封膜、波导管转换机构、微波谐振腔、截止端可调节位相匹配器、反应器、点火器、外层冷却套管和旋转气流发生部件组成，微波在矩型波导管中传输，反应器设置于谐振腔内部几何中心，其外层装配空气冷却套管，点火器置于气体反应管和旋转气流发生部件的上方，点火器的复合式绝缘耐高温电极置于石英管内部中心轴线，电极尖端位置可上下自由调节。本发明的有益效果是，采用矩型波导和波导转换使微波能量集中，使其具有较大的功率。功率容量可以达到2kW。截止端可调节位相匹配器，使谐振腔内产生驻波，保证微波能量耦合于谐振腔，减少微波反射损耗，提高能量利用效率。
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公开(公告)号：CN100416414C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200610049580.9
申请日：2006-02-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的在氧化锌薄膜上绘制亚微米级紫外发光图案的方法，其步骤如下：将醋酸锌、柠檬酸钠和醇胺溶解于去离子水溶液中，调节pH值到10-11，然后将干净的衬底浸入到该溶液中去，于60℃～90℃温度下超声振荡，在衬底上沉积得到氧化锌薄膜；清洗氧化锌薄膜，去除表面反应残余物，在低于400℃的空气气氛中烘干；将氧化锌薄膜置于扫描电镜中，用聚焦电子束在氧化锌薄膜上根据所需图案进行照射。该方法简单廉价，操作方便，易于大规模制备。所得发光图案精度高，能在空气中长期保持不变。本发明可应用于高分辨率的场发射显示和高密度信息存储等领域。另外，由于发光图案不能直观地从形貌上识别，该方法可用来记录秘密文字信息。
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公开(公告)号：CN101202197A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200610147394.9
申请日：2006-12-15
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01J37/00 , H01L21/00 , H01L21/3065 , H05H1/46 , C23C16/44
Abstract: 本发明提供一种离子化装置，其至少包括一个反应腔和一个阴极，阴极和反应腔相互绝缘且阴极的阴极头伸入反应腔内；其中，阴极伸入反应腔的阴极头表面粗糙。阴极头的表面利用喷砂机打磨粗糙。离子化装置工作过程中产生的附着物集中附着在阴极头的表面。与现有技术相比，本发明的阴极头表面粗糙，可以使离子化装置工作过程中产生的附着物集中附着在阴极头的表面，而且不会掉到反应腔和阴极之间的缝隙造成堵塞，有效防止阴极和反应腔短接。
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公开(公告)号：CN101093777A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710043463.6
申请日：2007-07-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于高真空技术领域，具体为一种杆状探针式直流低压气体激活装置。该装置由杆状金属探针、可外接电极的标准真空接口和两端都为标准真空接口的移动支架组成。金属探针焊接固定于移动支架一端的真空接口，另一端进入真空腔，移动支架另一端的标准接口与真空系统连接。本发明装置能精确调控其顶端与样品间距，适用于在高真空和超高真空系统中电离激活O2、H2等气体分子，实现对各种半导体、金属和氧化物电极材料的激活气体原位表面改性处理。该装置能在几伏到几十伏的直流低电压下实现局域高电场，从而导致周围气体离化，对真空系统中的其他工作部件不产生干扰和影响。
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公开(公告)号：CN101075550A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200610064447.0
申请日：2006-10-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/31 , H01L21/311 , H01L21/205 , H01L21/67 , C23F4/00 , C23C16/00 , H01J37/32 , H01J37/00 , H05H1/00 , B32B9/00 , B32B33/00
CPC classification number: C23C4/04 , C23C4/02 , C23C24/04 , Y10T428/24355 , Y10T428/24413
Abstract: 当耐腐蚀构件暴露于含氯气体或其等离子体且随后暴露于环境气氛时，构件表面不吸收湿气。待暴露于含氯气体或其等离子体的构件表面不形成基体材料的氯化物颗粒。在用水冲洗构件后，冲洗水不会显示出对基体的腐蚀性质。构件不存在对基体的损伤而且构件也不会损失耐腐蚀能力。
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