公开(公告)号：CN101587131A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910203811.0

申请日：2009-05-13

Applicant: 大日本印刷株式会社

Inventor： 前川慎志

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/12 ,  B81B7/02

CPC classification number: G01P15/18 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0109 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/084 ,  G01P2015/0842

Abstract: 本发明提供一种具有高耐冲击力的加速度传感器，当向加速度传感器施加过度加速时，其不会被破坏，而是能够展现稳定的感应性能。加速度传感器由三层结构的SOI衬底11形成，所述三层结构包括硅层12(活性层硅)、二氧化硅层13和硅层14(衬底硅)。加速度传感器包括：框架部分23和27；多个梁部分22，梁部分从框架部分向内伸出；和由梁部分22支撑的重物部分21；以及设在梁部分2a的每一部分上的应变感应部分。梁部分22的每一部分的宽度W、梁部分22的每一部分的长度I以及框架部分23的内部框架长度L满足表达式(1)和(2)的下述关系：2＜L/I≤2.82 表达式(1)；I/W≤3.68 表达式(2)。

公开(公告)号：CN101535765A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780042906.8

申请日：2007-11-15

Applicant: 大日本印刷株式会社

Inventor： 武下清和 ,  相田和彦

IPC: G01C19/56 ,  G01P9/04

CPC classification number: G01P15/18 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00714 ,  G01C19/56 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/097 ,  G01P15/125 ,  Y10T29/49002

Abstract: 力学量传感器具备：第1结构体，具备具有开口的固定部、配置在该开口内且相对上述固定部位移的位移部、连接上述固定部与上述位移部的连接部；第2结构体，具有与上述位移部接合的重量部、包围上述重量部配置且与上述固定部接合的台座，且在上述第1结构体上层叠配置；第1基体，与上述固定部连接并在上述第1结构体上层叠配置；以及第2基体，与上述台座连接并在上述第2结构体上层叠配置，上述重量部在上述第1结构体作成后且在上述第2基体与上述第2结构体接合前进行厚度的调整。

公开(公告)号：CN100374865C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN03121845.8

申请日：2003-04-21

Applicant: 株式会社和广

Inventor： 冈田和广

IPC: G01P15/12

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B3/0062 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/053 ,  B81B2203/055 ,  B81B2203/056 ,  B81B2203/058 ,  G01P15/08 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/084 ,  G01P2015/0842 ,  G01P2015/0871

Abstract: 本发明提供了易于实现的用于限制惯性锤位移的精密控制结构的加速度传感器。其配备具有硅层(100)、氧化硅层(20)和硅层(300)的三层结构SOI衬底，通过从上面选择性地仅除去硅的感应耦合等离子体蚀刻，形成狭缝(S1)和(S2)，接下来，从下面进行同样的蚀刻，形成沟槽部分(G1)和(G2)，将硅层(300)隔离为惯性锤(310)和基座(330)(图(a))。接着，在选择性地仅除去氧化硅的蚀刻液中浸渍，除去氧化硅层(20)的露出部分的附近部分，用连接层(200)(图(b))将玻璃基板(400)连接在基座(330)的底面上。在硅层(100)的上面，形成压敏电阻元件，检测挠曲。根据连接层(200)的厚度正确设定惯性锤(310)向上的位移自由度。

公开(公告)号：CN101115675A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200580047787.6

申请日：2005-12-06

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： 帕德罗格·欧马奥尼 ,  弗兰克·卡里斯 ,  特奥·克希斯 ,  克里斯蒂安·帕克特

IPC: B81B7/00

CPC classification number: G01P15/08 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/019 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0828 ,  H04M2250/12 ,  Y10T29/49002

Abstract: 本发明的一个实施例包括多传感器组件(20)。该组件(20)具有：由一个晶片层(51)定义的机电运动传感器构件(57)；由两个或更多个其他晶片层(31、41)中第一晶片层承载的第一传感器(32)；以及由所述其他晶片层(31、41)中第二晶片层承载的第二传感器(42)。所述一个晶片层(51)位于其他晶片层(31、41)之间，从而相应地把所述传感器构件(57)封入所述组件(20)的空腔(56)中。

公开(公告)号：CN101069099A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200480005010.9

申请日：2004-02-24

Applicant: 佛罗里达大学

Inventor： 谢会开 ,  加里·K·费德 ,  潘志宇 ,  威廉·弗雷

IPC: G01P15/18 ,  G01P15/125 ,  G01P15/08

CPC classification number: H03H9/02338 ,  B81B3/0062 ,  B81B2201/0235 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0728 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/082

Abstract: 一种单片集成三轴加速度计芯片，包括单晶基板，该基板包括至少一个单晶膜层部分。由单晶膜形成的单个传感器微结构感测全部三个正交方向的每个上的加速度。至少一个电子电路亦可设置在该芯片上，如用于驱动、检测、控制和信号处理的电路。

公开(公告)号：CN101013141A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200710006797.6

申请日：2004-07-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山口靖雄

IPC: G01P15/125 ,  G01P15/08 ,  G01P1/02

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/031 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种加速度传感器和加速度传感器的制造方法，该加速度传感器的特征在于包括：基板；在上述基板上形成的传感器元件；在上述基板上形成的、在平面视图内包围上述传感器元件的多晶硅接合框；以及通过使其端面与上述多晶硅接合框的上表面接合，而隔着预定的空间覆盖在上述传感器元件的上方的盖；上述多晶硅接合框中未掺杂杂质。由此可以提供可提高接合框和玻璃盖的接合强度的加速度传感器。

公开(公告)号：CN1766648A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510068900.0

申请日：2005-05-11

Applicant: 富士通媒体部品株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 田中浩 ,  石川宽 ,  永田宪治 ,  小野正明 ,  宫下勉 ,  山田澄夫

IPC: G01P15/12 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81B7/0048 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0235 ,  G01D11/30 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0842

Abstract: 加速度传感器。该加速度传感器减少了噪声，可以解决由于热膨胀系数差异而出现的应力问题。该加速度传感器检测三维坐标系统中的三个轴向的加速度，包括：具有四个侧面的框架，通过半导体基板一体形成；重物部分，位于该框架中；和四个梁部分，分别与四个侧面中的每一个相对应，所述梁部分的一端连接到重物部分上以支撑该重物部分，另一端连接到四个侧面的相应侧面的中心，在四个梁部分的每一个上形成检测元件，该检测元件检测与作用在重物部分上的加速度相对应的梁部分的挠曲；在框架的四个侧面的每一个上形成有接合部分对，在该接合部分对之间形成有间隙；在一个侧面上形成的所述接合部分对之间的间隙相对该侧面的中心对称，并具有预定的长度。

公开(公告)号：CN1246911C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN01813971.X

申请日：2001-06-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石桥清志 ,  堀川牧夫 ,  奥村美香 ,  青砥正明 ,  吉田大作 ,  高仓博文

IPC: H01L29/84 ,  G01P15/125

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0169 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  H01G4/33 ,  H01G5/16

Abstract: 本发明的目的在提供一种薄膜结构体及其制造方法，是关于使用半导体加工技术而形成的薄膜结构体及其制造方法，特别是构成半导体加速传感器的薄膜结构体及其制造方法，不仅可简便地进行薄膜体的应力控制，同时可很容易将薄膜体的膜厚予以加厚。为了达成上述目的，半导体加速传感器的质量体(3)、梁(7)及构成固定电极(5)的薄膜体(8)，是由多个的经掺杂的多晶硅薄膜(33，35)所构成，而该经掺杂的多晶硅薄膜(33，35)，则是薄由进行多次一边掺杂做为杂质的磷一边使多晶硅成膜的程序而层叠而成。

公开(公告)号：CN1697108A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510071242.0

申请日：2005-05-13

Applicant: 摩托罗拉公司

Inventor： 旭辉·史蒂文·陈 ,  稔欢·艾伯特·邱 ,  卡尔·A·罗斯

IPC: H01H35/14 ,  H01H11/00

CPC classification number: H01H1/0036 ,  B60C23/0408 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  H01H35/14

Abstract: 一种加速度开关及其方法，包括提供传导基板(10)和绝缘顶盖(16)。在绝缘顶盖(16)中形成了凹陷区域。绝缘层(12)安置在基板(10)上。传导层(14)安置在绝缘层(12)上。对传导层(14)进行刻蚀以形成悬梁(34)和电气隔离岛(40)。在悬梁(34)周围对绝缘层(12)进行刻蚀以释放悬梁(34)使之移动。触点安置在悬梁(34)上和凹陷区域中，由此在向开关施加加速度时，触点能够相互电气接触。顶盖(16)接合到传导层(14)，用以密封悬梁(34)。

公开(公告)号：CN1643701A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03806400.6

申请日：2003-01-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 奥村美香 ,  堀川牧夫 ,  佐藤公敏

IPC: H01L29/84 ,  G01P15/125

CPC classification number: B81C1/00095 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0159 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84

Abstract: 本发明的目的在于提供在形成与半导体衬底例如搭载加速度传感器的硅衬底接触的电极时，降低光致抗蚀剂覆盖的台阶的技术，而且，为了达到上述目的，在形成牺牲层(4)或者半导体膜(50)和固定电极(51)之前，形成用于形成电极(90)的开口(80)，由此不需要厚的光致抗蚀剂。