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公开(公告)号：CN103569941A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310345497.6
申请日：2013-08-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0041 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00253 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H04R19/005 , H04R31/006 , H04R2201/003 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及包括嵌入式MEMS器件的装置和用于制造嵌入式MEMS器件的方法。公开了用于形成封装的MEMS器件的系统和方法。在一个实施例中，封装的MEMS器件包括：具有第一主表面的MEMS器件，所述第一主表面具有沿第一方向和第二方向的第一区域；部署在MEMS器件的第一主表面上的膜；以及与膜相邻的背板。封装的MEMS器件进一步包括灌封MEMS器件并限定背面容积的灌封材料，而背面容积具有沿第一方向和第二方向的第二区域，其中第一区域小于第二区域。
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公开(公告)号：CN103534195A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280023162.6
申请日：2012-04-13
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/0264 , B81C1/00666 , G01L9/0042
Abstract: 一种改变膜的应力特性的方法在一个实施例中包括：提供膜层；确定期望应力改变；和基于所确定的期望应力改变在膜层中形成至少一个槽。
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公开(公告)号：CN103226047A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310035555.5
申请日：2013-01-30
Applicant: 大陆汽车系统公司
CPC classification number: G01L9/0042 , B81B7/0019 , B81B2201/0264 , B81C2203/032 , G01L9/0054 , G01L19/04
Abstract: 本发明涉及最小化热噪声的半导体传感器件。一种MEMS压力传感器被设计来减少或消除热噪声、诸如温度偏移电压输出。该压力传感器包括具有膜片以及腔的压力传感元件，所述腔被形成为压力传感元件的部分，其中所述腔容纳流体，使得膜片至少部分地偏转。该压力传感元件还包括多个压电电阻器，所述多个压电电阻器在工作中基于膜片中的偏转量来生成信号。至少一个沟槽被整体地形成为压力传感元件的部分，并且胶粘剂把压力传感元件连接到至少一个基板，使得胶粘剂的至少部分被附着到所述沟槽，并且将压力传感元件上的热感应应力重新分配，使得热感应噪声基本上被消除。
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公开(公告)号：CN103125019A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201080067839.7
申请日：2010-04-30
Applicant: 优博创新科技产权有限公司
IPC: H01L23/28
CPC classification number: H01L23/055 , B81B7/007 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81B2207/092 , B81B2207/096 , H01L21/50 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2924/1461 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在此提供了一种被配置为连接到印刷电路板上的半导体封装体（100）。该半导体封装体可以包含：（a）具有一个或多个第一导电引线（111，116）的罩盖（110）；（b）一个底座（130），该底座连接到该罩盖上并且具有电气连接到该一个或多个第一导电引线上的一个或多个第二导电引线（131）；（c）一个或多个第一半导体器件，该一个或多个第一半导体器件机械地连接到该罩盖上并且电气连接到该一个或多个第一导电引线上；以及（d）一个或多个第一微机电系统器件，该一个或多个第一微机电系统器件机械连接到该罩盖上并且电气连接到该一个或多个第一导电引线上。该罩盖或该底座中的至少一个可以具有至少一个舷孔。该一个或多个第一导电引线可以被配置成用于连接到该印刷电路板上。在此还提供了一种制造半导体封装体的方法。
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公开(公告)号：CN102015523B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200980114990.9
申请日：2009-03-13
Applicant: 罗伯特.博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/016 , B81B2201/0264 , B81C1/00666 , H01H59/0009
Abstract: 用于制造微机械的元件的方法，其中对至少具有金属层(3、6、7、7’)以及包含SiGe的牺牲层(5、5’)的基底(1)进行结构化，并且其中还通过用含氟的化合物例如ClF3进行的蚀刻至少部分地再去除所述牺牲层(5、5’)，其中，在蚀刻所述牺牲层(5、5’)之前，将带有所述牺牲层(5、5’)和所述金属层(3、6、7、7’)的所述基底(1)在≥100℃到≤400℃的温度下进行回火。所述金属层(3、6、7、7’)的材料可以包括铝。此外，本发明涉及一种包括金属层(3、6、7、7’)的微机械的元件，其中所述金属层的材料以多晶的组织存在，并且其中≥90％的晶粒具有≥1μm到≤100μm的尺寸，并且将这种微机械的元件用作压力传感器、高频开关或者变容二极管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101331080B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200680046903.7
申请日：2006-07-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0061 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81C1/0023 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/1461 , H01L2924/3025 , H04R1/04 , H04R19/005 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在衬底级组件(22)中，半导体材料的器件衬底(20)具有顶面(20a)并包封第一集成器件(1；16)，特别地第一集成器件具有形成于器件衬底(20)之内的埋藏腔(3)以及在顶面(20a)附近悬置于埋藏腔(3)上方的膜(4)。在顶面(20a)上方将帽盖衬底(21)耦合到器件衬底(20)以便覆盖第一集成器件(1；16)，从而在膜(4)上提供第一空白空间(25)。电接触元件(28a，28b)将集成器件(1；16)与衬底级组件(22)的外部电连接。在一个实施例中，该器件衬底(20)集成至少一个具有相应膜(4′)的其他集成器件(1′，10)；并且在所述其他集成器件(1′，10)的相应膜(4′)上方提供与第一空白空间(25)流体隔离的其他空白空间(25′)。
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公开(公告)号：CN102786025A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210210481.X
申请日：2012-05-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/057 , B81B7/0058 , B81B2201/0264 , G01L19/0636 , H01L23/04 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及集成压力传感器密封。本公开的一些实施例涉及用于压力感测元件的改进的封装组件。不是将压力感测元件以使它容易受到来自零星丝线、灰尘等的损坏的方式毫无遮掩地暴露于周围环境；本文公开的改进的封装组件包括盖，其帮助形成绕着压力感测元件的外壳。所述盖包括在其中布置有阻挡构件的流体流动通道。流体流动通道将压力感测元件安置为与外部环境流体连通以便可以进行压力测量，同时阻挡构件帮助保护压力感测元件免受外部环境(例如，在某种程度上的零星丝线和灰尘)影响。以这样的方式，本文公开的封装组件帮助促进比先前实施例更加精确且可靠的压力测量。
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公开(公告)号：CN102742012A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180005860.9
申请日：2011-01-10
Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司
Inventor： 恩德·腾海夫
IPC: H01L29/423 , H01L29/786
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00626 , B81C99/0035 , B81C2201/019 , G01L9/0047 , H01L29/4916 , H01L29/84
Abstract: 一种半导体部件，尤其是为了用作微机电半导体器件诸如压力传感器或加速度传感器中的对于机械应力敏感的部件，具有：半导体衬底(1，5)，在该半导体衬底的上侧上通过离子注入引入有源区(78a，200)，该有源区由第一导电类型的材料构成。在有源区(78a，200)内构建有限定的长度(L)和宽度(B)的半导体沟道区。在有源区(78a，200)中纵向伸展部中的沟道区的端部上分别连接有接触区(79，80)，接触区由第二导电类型的半导体材料构建。沟道区被离子注入掩膜材料(81)覆盖，其具有限定沟道区的长度(L)的横向边缘以及限定沟道区的宽度(B)的纵向边缘，并且在沟道区的对置的并且与沟道区的纵向延伸端部平齐的横向边缘上分别具有边缘留空部(201，202)，与沟道区邻接的接触区(79，80)延伸至边缘留空部中。
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公开(公告)号：CN102741979A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180005859.6
申请日：2011-01-10
Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司
Inventor： 迈克尔·德勒
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00626 , B81C99/0035 , B81C2201/019 , G01L9/0047 , H01L29/4916 , H01L29/84
Abstract: 一种微机电半导体器件，设置有：半导体衬底(4，5)，半导体材料构成的、能够可逆变形的弯曲元件(8a)，以及对机械应力敏感的至少一个晶体管，其构建为弯曲元件(8a)中的集成部件。晶体管设置在引入弯曲元件(8a)中的、第一导电类型的半导体材料构成的、注入的有源区阱(78a)中。在有源区阱(78a)中构建有两个彼此间隔的、第二导电类型的半导体材料构成的、注入的漏极区和源极区(79，80)，沟道区在所述漏极区和源极区之间延伸。第二导电类型的半导体材料构成的、注入的馈电线朝向漏极区和源极区(79，80)引导。有源区阱(78a)的上侧被栅极氧化物(81a)覆盖。在沟道区的区域中在栅极氧化物(81a)上有多晶硅构成的栅电极(81)，同样由多晶硅构成的馈电线引导至该栅电极。
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公开(公告)号：CN102468153A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110333940.9
申请日：2011-10-28
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/306 , H01L21/02 , B23K26/00
CPC classification number: B81C1/00476 , B23K26/361 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B81B2201/0264 , B81C2201/0133 , C30B29/06 , C30B33/04 , C30B33/08 , G01P15/0802 , G01P15/125 , H01L21/268 , H01L21/30608
Abstract: 在一种半导体器件的制造方法中，制备包括单晶硅的衬底(10)，在衬底(10)中形成连续延伸的重组层(11)，并通过蚀刻去除重组层(11)。形成重组层(11)包括在衬底(10)中移动激光束(L)的焦点的同时利用脉冲激光束(L)照射衬底(10)，从而使单晶硅的一部分多晶化。
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