公开(公告)号：JP6175134B2

公开(公告)日：2017-08-02

申请号：JP2015518815

申请日：2013-06-29

Applicant: シーエスエムシー テクノロジーズ エフエイビー1 カンパニー リミテッド

Inventor： ダイ ダン ,  チャン シンウェイ ,  チョウ グオピン ,  シア チャンフェン

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00825 ,  B81B7/0029 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/053

公开(公告)号：JP6151437B2

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：JP2016511932

申请日：2015-03-31

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 平田 智也 ,  中西 太樹 ,  井上 博元 ,  川間 吉竜

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/304 ,  G01F1/692

CPC classification number: B81C1/00674 ,  B81B3/0075 ,  B81C1/00666 ,  G01F1/692 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/99 ,  B81C2201/0102 ,  B81C2201/0111 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/0161 ,  B81C2201/053

公开(公告)号：JP2015502693A

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：JP2014540330

申请日：2011-11-14

Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag ,  エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag

Inventor： レイフ， スティーン ヨハンセン， ,  レイフ， スティーン ヨハンセン， ,  ヤン トゥ ラフンキルデ， ,  ヤン トゥ ラフンキルデ， ,  ピルミン ロンバッハ， ,  ピルミン ロンバッハ， ,  カート ラスムッセン， ,  カート ラスムッセン，

IPC: H04R19/04 ,  H01L29/84 ,  H04R31/00

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B7/0025 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2201/053 ,  H04R19/005 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003 ,  H04R2410/03

Abstract: 寄生容量を低減したMEMSマイクロフォンが提供される。このため、マイクロフォンは、バックプレートの縁部側領域を覆う保護フィルムを備える。【選択図】図1

Abstract translation: 设置MEMS麦克风具有降低的寄生电容。 因此，麦克风设置有覆盖所述背板的所述端部的区域的保护膜。 点域1

公开(公告)号：JP5630243B2

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：JP2010266215

申请日：2010-11-30

Applicant: セイコーエプソン株式会社

Inventor： 陽子 金本 ,  陽子 金本 ,  竜児 木原 ,  竜児 木原

IPC: H03H3/007 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H03H9/02 ,  H03H9/24

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2207/07 ,  B81C2201/053 ,  Y10T29/49165

公开(公告)号：JP2012524405A

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：JP2012506042

申请日：2010-03-19

Applicant: ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー.

Inventor： キンバリー イエス ,  グゥ シュ ,  ティンジ タン ,  シン−フー チョン ,  ラマチャンドラン ケイ． トリチャー ,  トニー ディー． フレイム ,  ウェンビン ホン

IPC: H01L21/302 ,  G03F7/012 ,  H01L21/306

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81C2201/053 ,  C08G61/08 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/418 ,  G03F7/033 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3081 ,  Y10T428/31645 ,  Y10T428/31667 ,  Y10T428/31692 ,  Y10T428/31855 ,  Y10T428/31909

Abstract: New compositions and methods of using those compositions as protective layers during the production of semiconductor and MEMS devices are provided. The compositions comprise a cycloolefin copolymer dispersed or dissolved in a solvent system, and can be used to form layers that protect a substrate during acid etching and other processing and handling. The protective layer can be photosensitive or non-photosensitive, and can be used with or without a primer layer beneath the protective layer. Preferred primer layers comprise a basic polymer in a solvent system.

公开(公告)号：JP2012096350A

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：JP2011216769

申请日：2011-09-30

Applicant: Freescale Semiconductor Inc ,  フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド

Inventor： KARLIN LISA H ,  KIERST DAVID W ,  LIU LIANJUN ,  LIU WEI ,  MONTEZ RUBEN B ,  STEIMLE ROBERT F

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81B2207/07 ,  B81C2201/053

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming a MEMS device.SOLUTION: The method of forming a MEMS device (10) includes a step of forming a sacrificial layer (34) over a substrate (12). The method further includes a step of forming a metal layer (42) over the sacrificial layer (34) and a step of forming a protection layer (44) overlying the metal layer (42). The method further includes a step of etching the protection layer (44) and the metal layer (42) to form a structure (56) having a remaining portion of the protection layer formed over a remaining portion of the metal layer. The method further includes a step of etching the sacrificial layer (34) to form a movable portion of the MEMS device, wherein the remaining portion of the protection layer protects the remaining portion of the metal layer during the step of etching of the sacrificial layer to form the movable portion of the MEMS device (10).

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种形成MEMS器件的方法。 解决方案：形成MEMS器件（10）的方法包括在衬底（12）上形成牺牲层（34）的步骤。 该方法还包括在牺牲层（34）上形成金属层（42）的步骤，以及形成覆盖金属层（42）的保护层（44）的步骤。 该方法还包括蚀刻保护层（44）和金属层（42）以形成在金属层的剩余部分上形成有保护层的剩余部分的结构（56）的步骤。 该方法还包括蚀刻牺牲层（34）以形成MEMS器件的可移动部分的步骤，其中保护层的剩余部分在蚀刻牺牲层的步骤期间保护金属层的剩余部分 形成MEMS装置（10）的可移动部分。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP4838476B2

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：JP2001558361

申请日：2000-12-28

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： グラフ エックハルト ,  フィッシャー フランク ,  ハイン ペーター

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81C3/00 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81B2203/0136 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/053 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814

公开(公告)号：JP4540765B2

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：JP12766199

申请日：1999-05-07

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： ビショフ ウド ,  グラーフ エックハルト ,  ミュンツェル ホルスト ,  ルッツ マルクス ,  オフェンベルク ミヒャエル

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01C19/56 ,  G01P15/08

CPC classification number: G01P15/0802 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/00301 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/053 ,  G01C19/56 ,  H01L24/02 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074

公开(公告)号：JP4151164B2

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：JP19634599

申请日：1999-07-09

Applicant: 株式会社デンソー

Inventor： 晋二 吉原 ,  浩司 武藤 ,  毅 深田 ,  純朋 猪俣 ,  哲夫 藤井 ,  建一 青

IPC: H01L21/301 ,  B81C1/00 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B29C33/0022 ,  B29C2043/023 ,  B81C1/00888 ,  B81C1/00896 ,  B81C2201/053 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：JP2008529273A

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：JP2007552128

申请日：2005-12-14

Applicant: フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド

Inventor： サリアン，アーヴィンド・エス ,  フーパー，スティーブン・アール ,  マクドナルド，ウィリアム・ジー

IPC: H01L21/56 ,  G01L9/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00309 ,  B81C2201/053

Abstract: センサ（１００）を製造するための方法を提供する。 該方法は、ウェハ上に取り付けられた少なくとも１つのセンサエレメントを備えた該ウェハ上に第１の所定の厚さで犠牲材料（３３０）を堆積させ、該犠牲材料は少なくとも１つのセンサエレメント上の少なくとも一部に堆積され、前記ウェハ上で、堆積された犠牲材料の周りに第１の所定の厚さよりも薄い第２の所定の厚さで封止層（３３２）を形成し、犠牲材料を除去することを有する。 上述の方法により製造されたセンサのための装置も提供される。