SOURCE D'ELECTRONS A EMISSION DE CHAMP
    191.
    发明申请
    SOURCE D'ELECTRONS A EMISSION DE CHAMP 审中-公开
    场发射电子源

    公开(公告)号:WO2013110546A1

    公开(公告)日:2013-08-01

    申请号:PCT/EP2013/050883

    申请日:2013-01-18

    Inventor: SEMET, Vincent

    Abstract: Cette source d'électrons à émission de champ comporte une pointe (12-14) émettrice d'électrons dont la plus grande largeur de sa section transversale est supérieure à 0,4 mm, la face extérieure de cette pointe étant réalisée dans un matériau composite formé d'une matrice en matériau électriquement isolant à l'intérieur de laquelle et à la surface de laquelle sont réparties aléatoirement des particules de carbone pour rendre électriquement conductrice la pointe. Les particules de carbone représentent moins de 40% en masse du matériau composite. Les particules de carbone sont des particules de noir de carbone présentant une surface spécifique de plus de 150 m 2 /g ou de poudre de graphite et la pointe est entièrement réalisée dans ce matériau composite.

    Abstract translation: 本发明涉及一种场发射电子源,其包括电子发射尖端(12-14),其横截面的最大宽度大于0.4mm,其中所述尖端的外表面由 复合材料由电绝缘材料的基体组成,其内部和其表面上的碳颗粒是随机分布的,以使尖端导电。 碳颗粒构成复合材料的小于40重量%。 碳粒子是比表面积大于150m2 / g的碳黑颗粒,或石墨粉末颗粒,并且尖端完全由所述复合材料制成。

    FIELD EMISSION DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    192.
    发明申请
    FIELD EMISSION DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
    现场排放显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:WO2012074271A3

    公开(公告)日:2012-10-04

    申请号:PCT/KR2011009156

    申请日:2011-11-29

    Abstract: The present invention relates to a field emission display device and a manufacturing method thereof, wherein a lower plate includes: a cathode electrode formed on a substrate; a diffusion barrier formed on the cathode electrode; a seed metal layer formed on the diffusion barrier; carbon nano-tubes which are grown in a single crystal on grains of the seed metal layer; a gate insulating layer which is formed on the substrate having the cathode electrode, the diffusion barrier, and the seed metal layer so as to cover the carbon nano-tubes; and a gate electrode formed on the gate insulating layer.

    Abstract translation: 场致发射显示装置及其制造方法技术领域本发明涉及一种场发射显示装置及其制造方法,其中下板包括:形成在基板上的阴极; 形成在阴极上的扩散阻挡层; 形成在扩散阻挡层上的种子金属层; 在种子金属层的晶粒上生长在单晶中的碳纳米管; 栅极绝缘层,其形成在具有阴极电极,扩散阻挡层和种子金属层的基板上,以覆盖碳纳米管; 以及形成在栅极绝缘层上的栅电极。

    전계방출 표시장치와 그 제조방법
    193.
    发明申请
    전계방출 표시장치와 그 제조방법 审中-公开
    场发射显示器及其制造方法

    公开(公告)号:WO2012074271A2

    公开(公告)日:2012-06-07

    申请号:PCT/KR2011/009156

    申请日:2011-11-29

    Inventor: 이춘래 김학웅

    Abstract: 본 발명은 전계방출 표시장치와 그 제조방법에 관한 것으로, 그 하판은 기판 상에 형성되는 캐소드전극; 상기 캐소드전극 상에 형성되는 확산 차단층; 상기 확산 차단층 상에 형성되는 씨드 금속층; 상기 씨드 금속층의 그레인들 상에서 단결정으로 성장된 탄소나노튜브들; 상기 탄소나노튜브들을 덮도록 상기 캐소드전극, 상기 확산 차단층, 및 상기 씨드 금속층이 형성된 기판 상에 형성되는 게이트 절연층; 및 상기 게이트 절연층 상에 형성된 게이트전극을 포함한다.

    Abstract translation: 场发射显示器及其制造方法技术领域本发明涉及场发射显示器及其制造方法,其中下板包括在基板上形成的阴极电极; 在阴极上形成的扩散阻挡层; 形成在扩散阻挡层上的籽晶金属层; 碳纳米管在籽晶金属层的晶粒上生长为单晶; 在其上形成阴极电极,扩散阻挡层和籽晶金属层以覆盖碳纳米管的衬底上形成的栅极绝缘层; 并且在栅极绝缘层上形成栅电极。

    電子顕微鏡
    194.
    发明申请
    電子顕微鏡 审中-公开
    电子显微镜

    公开(公告)号:WO2011145645A1

    公开(公告)日:2011-11-24

    申请号:PCT/JP2011/061403

    申请日:2011-05-18

    Abstract: 本発明の電子顕微鏡の磁場界浸型Cold-FE電子銃(1)は、冷陰極電界放出電子源(101)と、前記電子源の周囲に配置された磁石レンズ(120)と、前記電子銃内部の真空度を改善するためのゲッターポンプ(16a、16b)とを備える。前記電子源の清浄化を行う(409)際には、清浄化後の電子光学系のパラメータを清浄化前のパラメータと同じ値に戻す(410、404)。これにより、使用中に電子銃の焦点距離が変化しない、観察効率の高い電子銃、及び電子顕微鏡を提供できるようになった。

    Abstract translation: 公开了一种电子显微镜,其中磁场浸渍式冷FE电子枪(1)包括:冷阴极场致发射电子源(101); 位于电子源的圆周处的磁性透镜(120); 和吸气泵(16a,16b),用于提高电子枪内的真空度。 当电子源被清洁(409)时,清洁后的电子光学系统的参数返回到与清洁之前的参数相同的值(410,404)。 结果,电子枪和电子显微镜可以提供高观察效率,并且电子枪的焦距在使用期间不改变。

    電子放出体および電子放出体を備えた電界放射装置
    195.
    发明申请
    電子放出体および電子放出体を備えた電界放射装置 审中-公开
    具有电子发射器的电子发射器和场发射装置

    公开(公告)号:WO2010013772A1

    公开(公告)日:2010-02-04

    申请号:PCT/JP2009/063563

    申请日:2009-07-30

    Abstract: 炭素膜構造を有する電界放射電子の放射体において、局部的な電界集中を抑制し、熱劣化に伴う電流劣化や放電現象を起こらないようにする。また、電子の放出が分散することを抑制する。さらに、放射体を適用した電界放射装置において所望の機能を発揮し、より実用的な製品を提供する。 電子放出体は、プラズマCVD法により基板(7)に形成された炭素膜構造(10)の外周側に、ガード電極(13)を備える。このガード電極(13)は、炭素膜構造(10)の成膜方向に凸の曲面部(成膜方向とは反対側に湾曲した曲面部)(13a)を有し、曲面部(13a)においてガード電極(13)外周側の曲率半径(R2)が炭素膜構造側の曲率半径(R1)以上のものを適用する。

    Abstract translation: 提供了具有碳膜结构并发射场发射电子的发射极。 在发射极中,抑制了局部场浓度,并且防止了由于热劣化引起的电流恶化和放电现象。 电子发射的分散也被抑制。 此外,还提供了具有施加到其上的发射体的场致发射器件具有期望的功能并且更适合于实际使用。 电子发射体通过等离子体CVD法在形成于基板(7)上的碳膜结构(10)的外周侧设置有保护电极(13)。 保护电极(13)在碳膜结构(10)的成膜方向上具有曲面部(与成膜方向相反的一侧弯曲的曲面部)(13a),并且在外侧 保护电极(13)的圆周侧,与碳膜结构侧的曲率半径(R1)相当的曲率半径(R2)或更多的曲面部(13a)。

    FIELD EMISSION APPARATUS AND DRIVING METHOD THEREOF
    196.
    发明申请
    FIELD EMISSION APPARATUS AND DRIVING METHOD THEREOF 审中-公开
    现场排放装置及其驱动方法

    公开(公告)号:WO2008029963A1

    公开(公告)日:2008-03-13

    申请号:PCT/KR2006/003538

    申请日:2006-09-06

    CPC classification number: H01J1/304 H01J3/021 H01J31/127

    Abstract: The present invention relates to a field emission apparatus and a method of driving the field emission apparatus, which has a three-pole structure of dual emitters formed on both first and second electrodes of a rear substrate in order to obviate a distinction between a gate and a cathode, thus enabling dual field emission. In such a field emission apparatus, a ground is formed between an anode and a point of the first and second electrodes of the rear substrate, and a square wave is applied thereto in order to alternately generate field emission in the first and second electrodes, thus increasing a light-emitting area and emission efficiency, decreasing a driving voltage and consumption power, saving the manufacturing cost and manufacturing time, and accomplishing a longer lifespan.

    Abstract translation: 本发明涉及一种场致发射装置和一种驱动场致发射装置的方法,该场发射装置具有形成在后基板的第一和第二电极上的双发射极的三极结构,以便消除栅极与 一个阴极,从而实现双场发射。 在这种场致发射装置中,在阳极与后基板的第一和第二电极的点之间形成接地,并且向其施加方波以交替地在第一和第二电极中产生场发射,因此 增加发光面积和排放效率,降低驱动电压和功耗,节省制造成本和制造时间,达到更长的使用寿命。

    電界放出発電装置
    197.
    发明申请
    電界放出発電装置 审中-公开
    现场发电/发电装置

    公开(公告)号:WO2007116524A1

    公开(公告)日:2007-10-18

    申请号:PCT/JP2006/307607

    申请日:2006-04-11

    Applicant: 赤松 則男

    Inventor: 赤松 則男

    CPC classification number: H01J3/021 H01J45/00

    Abstract:  従来の発電方法とは異なる新しい概念に基づき、投入エネルギーが少なく、発電効率が良く、クリーンで、枯渇する心配のない、安定した発電を可能とする。  自由電子を保有する電子供給体20と、電子供給体20に電気導通状態に設けられる電子放出ポート30と、電子放出ポート30に電気絶縁場Fを介して対向配置されると共に電界を付加して電子を吸引放出させる電子引出電極40と、電子引出電極40によって放出された電子を受け取る電子受容体50と、電子放出ポート30からの放出電子が電子引出電極40に吸収されるのを防止する電子吸収防止手段とを備え、電子引出電極40に正電圧を加えることで電子放出ポート30から電子を電界放出させ、この放出電子を、電子受容体50で受け取らせて集める構成とした。

    Abstract translation: 基于与传统发电方式不同的新概念,可以实现能量需求较少,显示效率高,清洁性稳定的发电,无需疲劳。 包括一个保持自由电子的电子供体(20) 电子发射端口(30),其以与电子供应器(20)导电的方式位于电子供应器(20)处; 电子引入/释放电极(40),与电子发射端口(30)相对并且具有介于其间的电绝缘场(F),并且施加电场,从而使电子引入/释放电极 (40)拉入并释放电子; 接收由电子引入/释放电极(40)释放的电子的电子受体(50); 以及抑制电子吸入/释放电极(40)吸收从电子发射端口(30)发射的电子的电子吸收抑制装置。 向电子引入/释放电极(40)施加正电压,从而使电子发射端口(30)发射电子,然后由电子受体(50)接收用于收集的电子。

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