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公开(公告)号：KR1020060061631A
公开(公告)日：2006-06-08
申请号：KR1020040100426
申请日：2004-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B26/06
CPC classification number: H04B10/299 , G02F2001/211 , G02F2203/70
Abstract: 본 발명은 광통신 시스템에서 광섬유를 통해 전송된 광신호의 왜곡을 보정하기 위한 신호 재생기에 관한 것으로, 서로 다른 길이의 반도체 광증폭기를 구비하며 2R(re-amplifying, re-shaping) 재생하는 비대칭형 마흐-젠더 간섭계와 서로 다른 길이의 광도파로를 구비하는 지연간섭계로 구성되어 제작이 용이하고 초고속 신호의 재생이 가능하다.
신호 재생기, 마흐-젠더 간섭계, 지연간섭계, 반도체 광증폭기, 도파로, 위상조절수단-
公开(公告)号：KR100560426B1
公开(公告)日：2006-03-13
申请号：KR1020030084711
申请日：2003-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/2507 , H04B10/00
Abstract: 재생되는 클락의 펄스 형태에 가변성을 가지는 클락 재생 방법 및 시스템을 개시한다. 본 발명에 따른 클락 재생 방법은, 광학적 주입 잠금에 의해 광신호를 재생하는 1차 재생 단계; 재생된 광신호를 전기신호로 바꾸는 단계; 및 전기적 주입 잠금에 의해 펄스폭이 작은 클락을 재생하는 2차 재생 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR100526999B1
公开(公告)日：2005-11-08
申请号：KR1020020079599
申请日：2002-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/18
CPC classification number: H01S5/227 , H01S5/028 , H01S5/0623 , H01S5/06258 , H01S5/0658 , H01S5/1215 , H01S5/1237 , H01S5/2081 , H01S5/2226 , H01S5/3213 , H01S5/32333 , H01S2301/173
Abstract: 본 발명은 자발적 펄스를 발생하는 다영역 DFB 레이저 다이오드에 굴절 변화층을 부가시켜 이들 굴절 변화층의 유효 굴절율의 차이에 의해 두 DFB 영역의 브라그 파장에 차이를 쉽게 조절함과 동시에 변조지수의 향상을 도모하는 것이다.
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公开(公告)号：KR100453814B1
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：KR1020020007011
申请日：2002-02-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/10
CPC classification number: G02B6/124 , H01S5/1203 , H01S5/1215 , H01S5/1231
Abstract: A semiconductor optical device with a differential grating formed by a holography method and a method for manufacturing the same are provided. The provided semiconductor optical device includes an n-type InP substrate, a stack structure on the InP substrate having a waveguide and active layers, a first grating formed under the stack structure and on the InP substrate, and a second grating formed on the stack structure. The provided method for manufacturing the semiconductor optical device forms a first grating on the n-type InP substrate and under the active layer, and forms a second grating on the active layer. The first and second gratings are formed by the holography method.
Abstract translation: 提供了一种通过全息方法形成的具有差分光栅的半导体光学器件及其制造方法。 所提供的半导体光学器件包括n型InP衬底，具有波导和有源层的InP衬底上的堆叠结构，在堆叠结构下和InP衬底上形成的第一光栅以及形成在该堆叠结构上的第二光栅 。 所提供的用于制造半导体光学器件的方法在n型InP衬底上和有源层下方形成第一光栅，并在有源层上形成第二光栅。 第一和第二光栅通过全息方法形成。
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公开(公告)号：KR100438891B1
公开(公告)日：2004-07-02
申请号：KR1020010081776
申请日：2001-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B26/06
Abstract: PURPOSE: A semiconductor optical modulator is provided to optionally compensate the loss of optical absorption to be generated when the divided light beams are phase modulated by adjusting the ratio of the optical division during the optical division. CONSTITUTION: A semiconductor optical modulator includes an input optical division region(105), an optical converging output region(101) and an optical phase modulation region(103) formed between the input optical division region(105) and the optical converging output region(101). The semiconductor optical modulator includes a substrate, a bottom electrode formed on the bottom surface of the semiconductor, an active layer, a cladding layer and a top layer. An optical wave guide(250) is formed in the form of ridge on the top of the cladding layer so as to guide the optical light beam.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体光学调制器，用于可选地补偿当通过调整光学分割期间的光学分割的比率对分割的光束进行相位调制时产生的光学吸收的损失。 一种半导体光调制器，其特征在于，在输入光分割区域（105）与光会聚输出区域（105）之间形成输入光分割区域（105），光会聚输出区域（101）和光相位调制区域（103） 101）。 该半导体光调制器包括衬底，形成在半导体底面上的底部电极，有源层，包层和顶层。 光波导（250）在包层顶部形成为脊的形式，以引导光学光束。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040051905A
公开(公告)日：2004-06-19
申请号：KR1020020079599
申请日：2002-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/18
CPC classification number: H01S5/227 , H01S5/028 , H01S5/0623 , H01S5/06258 , H01S5/0658 , H01S5/1215 , H01S5/1237 , H01S5/2081 , H01S5/2226 , H01S5/3213 , H01S5/32333 , H01S2301/173
Abstract: PURPOSE: A distributed feedback laser diode in multi region is provided to improve the modulation index and the yield of the multi region distributed feedback laser diode by including layers having a refractive index different from each other. CONSTITUTION: A distributed feedback laser diode in multi region includes a distributed feedback(DFB) region and an amplification region. The DFB region includes a diffraction grating(6), an n-InP layer(4), a non-doping InGaAsP active layer(8), a pair of electrode layers(14a,14b) and a pair of refractive change layers(16a,16b). The n-InP layer(4) is provided with the diffraction grating(6) and the pair of refractive change layers(16a,16b) divided together with the electrode layers(14a,14b) insulatingly by an etching groove formed inside of the p-InP layer stacked as a clad layer. And, the amplification region is placed between the DFB region.
Abstract translation: 目的：提供多区域分布式反馈激光二极管，通过包括折射率彼此不同的层来提高多区域分布反馈激光二极管的调制指数和产量。 构成：多区域中的分布式反馈激光二极管包括分布式反馈（DFB）区域和放大区域。 DFB区域包括衍射光栅（6），n-InP层（4），非掺杂InGaAsP有源层（8），一对电极层（14a，14b）和一对折射层（16a ，16B）。 n-InP层（4）设置有衍射光栅（6），并且一对折射变换层（16a，16b）与电极层（14a，14b）一起被形成在p内部的蚀刻槽绝缘地分开 -InP层作为覆层层叠。 并且，放大区域位于DFB区域之间。
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公开(公告)号：KR100341388B1
公开(公告)日：2002-06-21
申请号：KR1019990025034
申请日：1999-06-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12
Abstract: 본발명은단일광파장으로동작하는반도체레이저다이오드의발진광을항상동일한발진파장으로고정시키기위한집적광학형광파장감시기구에관한것이다. 이러한집적광학형광파장감시기구는, 입사되는단일광파장의빛을서로다른광경로들을통해통과시키는판형광도파로와; 상기판형광도파로에형성되어상기광경로의각도에따라상기빛의투과중심파장을변화시키는회절격자형광필터; 및상기회절격자형광필터를투과한빛들을입력받아그 투과중심파장에따른광전류를검출하는공간분할광검출기를포함한다.
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公开(公告)号：KR100279734B1
公开(公告)日：2001-03-02
申请号：KR1019980020411
申请日：1998-06-02
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 평면 매립형 반도체 레이저 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 그 구조는 pnp 구조의 전류차단층(304, 305, 306)이 반절연성 전류 차단층(309)의 양 내측면에 함께 형성된 구조이고, 이러한 구조의 제조는 메사 식각을 행하여 활성층 영역을 정의하는 과정과, 그 활성층 영역으로의 전류주입을 위하여 활성층 주변에 pnp 구조의 전류 차단층을 재성장하는 과정과, pnp 구조의 전류 차단층 재성장 후 활성층 영역 위에 크래드 층과 오옴 접촉층을 재성장하는 과정과, 크래드 층과 오옴 접촉층을 재성장한 후 변조 속도를 높여주기 위해 반절연층을 재성장하는 과정으로 제조함으로써, 고성능의 광출력 특성을 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 변조 특성을 현저히 높일 수 있으므로 고성능의 평면 매립형 반도체 레이저를 얻을 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100276078B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019980016751
申请日：1998-05-11
IPC: H01L29/20
Abstract: PURPOSE: A structure of a planar buried semiconductor and a fabricating method thereof are provided to reduce an optical loss by changing only a structure of a current intercepting layer. CONSTITUTION: An active layer(22) of a hetero-junction structure and a p type InP clad layer(21) grow on an n type InP substrate(23). An insulating layer is deposited thereon and a stripe for forming a mesa is formed. An etch process for the mesa is performed. A re-growing layer is formed by a p type InP layer(24), an n type InP layer(25), a p type InP layer(26) and an n type InP layer(27). The insulating layer used for the mesa etch process is removed. A p type InP clad layer(28) and an InGaAs ohm contact layer grow after the insulating layer is removed.
Abstract translation: 目的：提供平面埋入式半导体的结构及其制造方法，通过仅改变截流层的结构来减少光损耗。 构成：异质结结构的有源层（22）和p型InP包层（21）在n型InP衬底（23）上生长。 在其上沉积绝缘层，并形成用于形成台面的条带。 执行台面的蚀刻工艺。 再生长层由p型InP层（n），n型InP层（25），p型InP层（26）和n型InP层（27）形成。 去除用于台面蚀刻工艺的绝缘层。 在绝缘层被去除之后，p型InP覆盖层（28）和InGaAs欧姆接触层生长。
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公开(公告)号：KR100264975B1
公开(公告)日：2000-09-01
申请号：KR1019970063395
申请日：1997-11-27
Abstract: PURPOSE: A selective crystal growth method is provided to be capable of forming a crystal growth layer of a good quality by reducing defects generated at a boundary portion of a crystal growth layer and an insulating layer. CONSTITUTION: A selective crystal growth method forms insulating film patterns(A,B) using SiO2 or Si3N4 on a semiconductor substrate(21) of GaAs or InP, etc. The insulating film patterns(A,B) has a sawtooth shape in a length direction. That is, the insulating film patterns(A,B) has a rectangle shape. The insulating film patterns(A,B) has a sawtooth shape in which an oblique side of a continued rectangle forms facing two edges of the rectangle so that hills and fields are continuous at an edge in a length direction.
Abstract translation: 目的：提供选择性晶体生长方法，通过减少在晶体生长层和绝缘层的边界部分产生的缺陷，能够形成质量良好的晶体生长层。 构成：选择性晶体生长方法在GaAs或InP等的半导体衬底（21）上使用SiO 2或Si 3 N 4形成绝缘膜图案（A，B）。绝缘膜图案（A，B）的长度为锯齿形 方向。 也就是说，绝缘膜图案（A，B）具有矩形形状。 绝缘膜图案（A，B）具有锯齿形状，其中连续矩形的倾斜面形成为面向矩形的两个边缘，使得山丘和场在长度方向上的边缘处连续。
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