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公开(公告)号：JP4150003B2
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：JP2004572080
申请日：2003-04-25
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B81C1/00547 , B81B2201/042 , B81B2203/0136 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , G01P15/0802 , G02B26/0841
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公开(公告)号：JPWO2004103892A1
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：JP2004572080
申请日：2003-04-25
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： シヤオユウ ミイ , シヤオユウ ミイ , 高馬 悟覚 , 悟覚 高馬 , 壷井 修 , 修 壷井 , 匡郁 岩城 , 匡郁 岩城 , 奥田 久雄 , 久雄 奥田 , 曽根田 弘光 , 弘光 曽根田 , 上田 知史 , 知史 上田 , 佐脇 一平 , 一平 佐脇
CPC classification number: B81C1/00547 , B81B2201/042 , B81B2203/0136 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , G01P15/0802 , G02B26/0841
Abstract: 薄肉部(T1〜T3)を有するマイクロ構造体を製造するための方法は、第1導体層(11)、および、薄肉部(T1〜T3)の厚さに相当する厚さを有する第2導体層(12)、よりなる積層構造を含む材料基板に対し、第1導体層(11)の側から第1エッチング処理を行うことにより、第2導体層(12)において、当該第2導体層(12)の面内方向に離隔する一対の側面を有して第1導体層(11)に接するプレ薄肉部(T1’〜T3’)を形成するための工程と、第1導体層(11)の側からの第2エッチング処理により、第1導体層(11)においてプレ薄肉部(T1’〜T3’)に接する箇所を除去して薄肉部を形成するための工程と、を含む。
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公开(公告)号：JP2003532090A
公开(公告)日：2003-10-28
申请号：JP2001580284
申请日：2001-05-02
Applicant: ガウ,ジェン−ジェイアール
Inventor： ガウ，ジェン−ジェイアール
IPC: G01N33/483 , B01L3/00 , B81C1/00 , C12Q1/68 , C40B40/06 , C40B40/10 , C40B60/14 , G01N27/327 , G01N27/333 , G01N27/403 , G01N27/416 , G01N27/48 , G01N27/49 , G01N33/487 , G01N37/00
CPC classification number: B01L3/5088 , B01J2219/00317 , B01J2219/00497 , B01J2219/00585 , B01J2219/00596 , B01J2219/00605 , B01J2219/0061 , B01J2219/00612 , B01J2219/00617 , B01J2219/00619 , B01J2219/00621 , B01J2219/0063 , B01J2219/00637 , B01J2219/00653 , B01J2219/00659 , B01J2219/00702 , B01J2219/00722 , B01J2219/00725 , B81C2201/0133 , B82Y30/00 , C12Q1/68 , C12Q1/6876 , C12Q2600/156 , C40B40/06 , C40B40/10 , C40B60/14 , G01N27/3277
Abstract: A microelectromechanical systems (MEMS) and integrated circuit (IC) based biosensor capable of sensing or detecting various ionic molecules and macromelecules (DNA, RNA or protein). The MEMS based biosensor utilizes a hybridization and enzyme amplification scheme and an electrochemical detection scheme for sensitivity improvement and system miniaturization. The biosensor or biosensors are incorporated on a single substrate. Preferably, the biosensor system includes at least two electrodes. The electrodes includes a working electrode, a reference electrode and a counter (auxiliary) electrode. The biosensor or biosensors also provide an apparatus and method for confinement of reagent and/or solution in the biosensor or biosensors using surface tension at small scale. The confinement system provides controlled contacts between the reagent(s) and/or solution(s) with the components (i.e., electrodes) of the biosensor or biosensors using controllable surface properties and surface tension forces. The confinement system allows for incorporation of the biosensor or biosensors into a portable or handheld device and is immune to shaking and/or flipping. The invention also provides for a biosensor and/or sensors that are integrated with integrated circuit (IC) technologies. Preferably, the entire sensor system or systems are fabricated on a single IC substrate or chip and no external component and/or instrument is required for a complete detection system or systems. Preferably, the sensor system or systems are fabricated using the IC process and on a silicon substrate.
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公开(公告)号：JP2003504221A
公开(公告)日：2003-02-04
申请号：JP2001509997
申请日：2000-07-13
Applicant: インプット/アウトプット,インコーポレーテッド
Inventor： ディー． ゴールドバーグ，ハワード， , ユ，デュリ , ユ，リアンゾーン , ピー． ライド，ロバート
CPC classification number: G02B26/0816 , B81B2201/042 , B81C1/00396 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , B81C2203/0109 , C23F1/02
Abstract: (57)【要約】 本発明は微細加工装置を製造するための併合マスクのプロセス、及び特に光学スキャニング装置で使用するためのミラー組立体を提供する。 このプロセスは（ａ）所定の厚さを有する基板を提供し、（ｂ）第１マスキング層を基板の第１部分に、少なくとも第１マスキング層ほど厚い第２マスキング層を基板の第２部分に塗布し、（ｃ）基板の第１露出部を提供するために第２マスキング層の一部をエッチングし、（ｄ）基板の第１露出部を第１深さにエッチングし、（ｅ）基板の第２露出部を提供するために第２マスキング層の一部をエッチングし、及び（ｆ）基板の第１露出部を第２深さに、かつ基板の第２露出部を第１深さに同時にエッチングすることを含む含む。 このプロセスは基板の第２部分を提供するために、第２マスキング層を塗布する前に第１マスキング層をパターニングし、基板の第２部分を露出させるために、第１マスキング層をエッチングすることを更に含む。 第１及び第２マスキング層は基板のエッチングの前に塗布する。
Abstract translation: 本发明提供了用于一般地制造微机械装置和特别是用于光学扫描装置的镜面组件的合并掩模工艺。 一种制造三维结构的方法，包括：提供衬底，将第一掩模材料层施加到所述衬底上，将第二掩蔽材料层施加到所述第一掩模材料的所述层上，将所述第二掩模材料的所述层 掩模材料，将第三掩模材料层施加到未被第二掩模材料的图案化层覆盖的部分上，第三掩模材料的层至少与第一和第二掩模材料的层的组合厚度一样厚 掩模材料，图案化第一和第三掩模材料的层，蚀刻衬底的暴露部分，蚀刻第一和第三掩模材料的层的暴露部分并蚀刻衬底的暴露部分。
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205.发明专利
公开(公告)号：KR20210024689A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020217005915A
申请日：2018-03-05
Applicant: 엘피케이에프 레이저 앤드 일렉트로닉스 악티엔게젤샤프트
Inventor： 로만 오슈트홀트 , 노르베르트 암브로지우스 , 아르네 슈노어 , 다니엘 둔커
IPC: B23K26/402 , B23K26/00 , B23K26/0622 , B23K26/53 , B23K103/00 , B81C1/00 , C03C23/00
CPC classification number: B23K26/0006 , B23K26/06 , B23K26/0624 , B23K26/402 , B23K26/53 , B41J2/1433 , B41J2/162 , B41J2/1626 , B81B1/004 , B81C1/00087 , B81C1/00103 , B81C1/00595 , C03C15/00 , C03C23/00 , C03C23/0025 , B23K2103/50 , B23K2103/54 , B81B2201/052 , B81B2201/058 , B81B2203/0353 , B81B2203/0392 , B81C2201/0133 , B81C2201/0143
Abstract: 본 발명은 투명한 또는 투과성 유리 기판 (2) 안으로 적어도 하나의 관통구멍 (1) 을 도입하기 위한 방법에 관한 것이며, 상기 유리 기판 (2) 은 전자기 방사선, 특히 레이저를 이용해 빔축 (s) 을 따라 선택적으로 변조된다. 상기 변조들이 유리 기판 (2) 안에서 빔축 (s) 을 따라, 서로 다른 특성들을 갖는 전자기 방사선에 의해, 예컨대 서로 다른 펄스 에너지에 의해, 생성됨으로써, 상기 유리 기판 (2) 안의 에칭공정이 비균질하게 서로 다른 에칭률들로 진행된다. 이를 통해, 상기 투명한 또는 투과성 재료 안에서 에칭 처리를 근거로 생기는 관통구멍 (1) 을 타겟팅하여 그리고 선택적으로 상기 변조들의 서로 다른 특성들을 통해 형성하는 그리고 예컨대 상기 관통구멍 (1) 의 원뿔각도 (α, β) 를 변화시키는 가능성이 만들어내진다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2018158438A
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：JP2018040502
申请日：2018-03-07
Applicant: ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング , ROBERT BOSCH GMBH
Inventor： ベンヤミーン・シュトイアー , クリストフ・シェリング , ダニエル・パンテル , シュテファン・ピンター
CPC classification number: B81C1/00626 , B81C2201/0123 , B81C2201/0133 , B81C2201/016 , B81C2201/053 , G02B26/0833
Abstract: 【課題】傾斜した表面を備える微小機械装置の製造方法および対応する微小機械装置を提供する。 【解決手段】前面(OS)の第1垂線(N)が、シリコン基板の〈111〉方向から第1角度(α)だけずれたシリコン基板(1)を準備し、前面に第1溝と第2溝を形成する。第1溝と第2溝は上記ずれの方向に沿って延在し、かつ第1溝および第1溝が実質的に平行に離間している。第1溝と第2溝との間に位置する第1開口範囲(OE)を除いて前面を覆うエッチングマスク(M)を形成し、エッチングマスクを使用して前面に異方性エッチングプロセスを実施し、第1垂線に対して第1角度(α)にほぼ相当する第2角度をなす傾斜した表面を開口範囲(OE)に形成するステップを含む。 【選択図】図2d
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公开(公告)号：JP6333464B2
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：JP2017500124
申请日：2015-05-05
Applicant: 無錫華潤上華半導体有限公司
CPC classification number: B81C1/00619 , B81C1/00 , B81C2201/0133 , B81C2201/0142
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公开(公告)号：JP2017516676A
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：JP2017500124
申请日：2015-05-05
Applicant: 無錫華潤上華半導体有限公司
CPC classification number: B81C1/00619 , B81C1/00 , B81C2201/0133 , B81C2201/0142
Abstract: MEMSに基づいたセンサーの製作方法であって、基材を提供するステップと、前記基材の正面に浅い槽と支持梁を形成するステップと、前記基材の正面に第一延伸層を形成することにより前記浅い槽を覆うステップと、前記第一延伸層の下に浮上状態のグリッド状構造を形成するステップと、前記第一延伸層の上に第二延伸層を形成するステップと、前記第二延伸層の上に回路層を形成するステップと、前記基材の背面であって前記浅い槽と対応する箇所に深い槽を形成し、かつ前記浅い槽と前記深い槽が連通するようにするステップと、前記支持梁を除去するステップとを含む。
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公开(公告)号：JPWO2010122953A1
公开(公告)日：2012-10-25
申请号：JP2011510305
申请日：2010-04-16
Applicant: 株式会社村田製作所
IPC: B81B3/00 , B81C1/00 , G01P15/125 , H01H59/00 , H01L29/84
CPC classification number: B81B3/0018 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/053 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C1/00587 , B81C2201/0133 , B81C2203/0118 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0828
Abstract: 加速度センサ1を、第1,第2の基板2,3に挟まれたエッチング層4を用いて形成する。このとき、エッチング層4には、基板2,3の厚さ方向に変位可能な可動部7を備えた構造部Aおよび支持枠9を形成する。また、第1,第2の基板2,3には、可動部7と対向した位置に第1,第2の固定電極10,12を形成する。そして、基板2には、第1の犠牲層22を全てエッチング除去したときに、第2の犠牲層23の一部が残存した残存犠牲層16を設ける。これにより、第1の犠牲層22をエッチング除去するときには、構造部A等に比べて第2の犠牲層22が優先的に腐食するから、構造部Aおよび支持梁9の腐食を防止することができる。
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公开(公告)号：JP4851036B2
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：JP2001509997
申请日：2000-07-13
Applicant: アイオーエヌ ジオフィジカル コーポレーション
Inventor： ディー． ゴールドバーグ，ハワード， , ユ，デュリ , ユ，リアンゾーン , ピー． ライド，ロバート
CPC classification number: G02B26/0816 , B81B2201/042 , B81C1/00396 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , B81C2203/0109 , C23F1/02
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