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公开(公告)号：FR3066282A1
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：FR1754200
申请日：2017-05-12
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： LE MAITRE PATRICK , CARPENTIER JEAN-FRANCOIS
Abstract: L'invention concerne un diviseur optique (IN) comprenant deux guides d'onde (202A, 202B) de part et d'autre d'un axe (204), chaque guide comporte des premier (206A, 206B) et deuxième (208A, 208B) tronçons plus proches de l'axe que le reste du guide, les premiers tronçons étant couplés optiquement et les deuxièmes tronçons étant couplés optiquement ; chaque guide comprend entre le premier et le deuxième tronçon, à partir du premier tronçon une première portion courbée (210A, 210B) comportant successivement une courbure (216) dont la concavité est tournée du côté opposé à l'axe puis une courbure dont la concavité (218) est tournée vers l'axe, et à partir du deuxième tronçon une deuxième portion courbée (212A, 212B) comportant successivement une courbure dont la concavité est tournée du côté opposé a l'axe puis une courbure dont la concavité est tournée vers l'axe ; et les premières portions courbées des deux guides sont courbées différemment.
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公开(公告)号：FR3066269A1
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：FR1754047
申请日：2017-05-09
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： TROCHUT SEVERIN , MONFRAY STEPHANE , BOISSEAU SEBASTIEN
Abstract: L'invention concerne un module de mesure (100) comprenant : un générateur électrique à récupération d'énergie ambiante (103) ; un élément capacitif de stockage (105) de l'énergie électrique produite par le générateur ; une batterie électrique (107) ; une première branche (B1) reliant un noeud de sortie (A) du générateur (103) à une première électrode (B) de l'élément capacitif de stockage ; une deuxième branche (B2) reliant une première borne (C) de la batterie à la première électrode de l'élément capacitif de stockage ; et un circuit actif (115) adapté à émettre un signal radio d'indication d'évènement à chaque fois que la tension aux bornes de l'élément capacitif de stockage dépasse un premier seuil, dans lequel, en fonctionnement, l'élément capacitif de stockage reçoit simultanément, un premier courant de charge provenant du générateur via la première branche, et un deuxième courant de charge provenant de la batterie via la deuxième branche.
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公开(公告)号：FR3056333B1
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：FR1658898
申请日：2016-09-22
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： CROCHERIE AXEL , MALINGE PIERRE EMMANUEL MARIE
IPC: H01L27/146 , H04N5/33
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公开(公告)号：FR3064399A1
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：FR1752371
申请日：2017-03-22
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： GAUTHIER ALEXIS , RIBES GUILLAUME C
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: L'invention concerne un transistor vertical comprenant deux portions (18) d'un conducteur de grille s'étendant dans une couche (6) d'isolant entre un drain (17) et une source (2), de part et d'autre d'une région de canal (14) formée par des épitaxies, l'épaisseur des portions (18) de conducteur de grille diminuant au voisinage de la région de canal (14).
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公开(公告)号：FR3064111A1
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：FR1752069
申请日：2017-03-14
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS , ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： JULIEN FRANCK , NIEL STEPHAN , RICHARD EMMANUEL , WEBER OLIVIER
IPC: H01L21/331 , H01L21/822 , H01L29/72
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication de premiers, deuxièmes et troisièmes transistors de types différents dans et sur des premières (LV), deuxièmes (MV) et troisièmes (HV) zones semiconductrices d'un circuit intégré, comprenant les étapes suivantes : a) déposer une première couche de diélectrique (16) et une première couche de silicium polycristallin (18) sur les troisièmes zones ; b) déposer une seconde couche de diélectrique (20) sur les deuxièmes zones ; c) déposer une couche d'interface (21) sur les premières zones ; d) déposer une couche de matériau à forte permittivité (22) puis une couche de matériau métallique (24) sur les premières et secondes zones ; e) déposer une seconde couche de silicium polycristallin (26) sur les premières, deuxièmes et troisièmes zones ; f) définir les grilles des transistors dans les troisièmes zones (HV) ; et g) définir les grilles des transistors dans les premières et deuxièmes zones.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3062952A1
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：FR1751154
申请日：2017-02-13
Inventor： LISART MATHIEU , FROMENT BENOIT
Abstract: L'invention concerne un condensateur de découplage comprenant : deux cellules (C1, C2) de condensateurs partageant un même caisson (25) ; une première tranchée isolée (27) traversant le caisson entre les deux cellules sans atteindre le fond du caisson ; et un contact (34, 35) avec le caisson formé au niveau de chaque cellule.
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公开(公告)号：FR3062236A1
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：FR1750540
申请日：2017-01-23
Inventor： BOIVIN PHILIPPE , RISTOIU DELIA
Abstract: L'invention concerne une barre de connexion (32) comprenant : une partie principale constituée d'une bande conductrice (34) s'étendant au-dessus de zones disjointes à interconnecter (16), la bande conductrice étant séparée de tout matériau conducteur par un matériau diélectrique, à l'exception des zones à interconnecter ; et des parties secondaires constituées de premiers plots conducteurs (36) traversant le matériau diélectrique, chacun de ces premiers plots s'étendant verticalement d'une zone à interconnecter (16) à la bande conductrice (34).
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公开(公告)号：FR3049764B1
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：FR1652720
申请日：2016-03-30
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： PRIETO HERRERA RAFAEL , COLONNA JEAN-PHILIPPE , COUDRAIN PERCEVAL
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
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公开(公告)号：FR3058564A1
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：FR1660745
申请日：2016-11-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： CACHO FLORIAN , HUARD VINCENT
Abstract: L'invention concerne un circuit intégré comprenant : une pluralité de domaines de circuit (102, 104, 106, 108), chaque domaine de circuit comprenant : une pluralité de transistors positionnés sur des caissons de type P et de type N (P, N), les transistors définissant un ou plusieurs trajets de données du domaine de circuit ; un circuit de surveillance (116) adapté à détecter quand le temps de réserve de au moins un des trajets de données du domaine de circuit chute sous un niveau de seuil à générer un signal de sortie basé sur ladite détection sur une ligne sortie ; et un circuit de polarisation (110) adapté à modifier une tension de polarisation d'un caisson de type N et/ou de type P du domaine de circuit.
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公开(公告)号：FR3050341B1
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：FR1653409
申请日：2016-04-18
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： CLERC SYLVAIN
IPC: G01R31/3181 , H03K5/153 , G06F1/12 , H03K5/156 , H03K5/19
Abstract: Le dispositif (DIS) de surveillance d'un chemin critique (CC) d'un circuit intégré (CIN), comprend une réplique du chemin critique (RCC) comportant au moins deux éléments séquentiels (ES1, ES2) mutuellement séparés par des moyens de retard programmables (MRP) à l'aide d'au moins un multiplexeur principal (MUXP1), des moyens de commande (MC) configurés pour commander ledit au moins un multiplexeur principal (MUXP1 à MUXP4) et un module de séquencement (MS) configuré pour séquencer chaque élément séquentiel (ES1, ES2) à partir d'un signal d'horloge principal (CLK). Le module de séquencement (MS) est configuré pour délivrer à partir du signal d'horloge principal (CLK) respectivement auxdits au moins deux éléments séquentiels (ES1, ES2), deux signaux d'horloge secondaires (SHS1, SHS2) mutuellement temporellement décalés de façon à prendre en compte au moins un temps de propagation inhérent audit au moins un multiplexeur principal (MUXP1 à MUXP4).
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