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    DISPOSITIF INTEGRE DE FONCTION PHYSIQUEMENT NON CLONABLE, ET PROCEDE DE REALISATION
    5.
    发明专利
    DISPOSITIF INTEGRE DE FONCTION PHYSIQUEMENT NON CLONABLE, ET PROCEDE DE REALISATION 未知

    公开(公告)号：FR3064435A1

    公开(公告)日：2018-09-28

    申请号：FR1752336

    申请日：2017-03-22

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： LISART MATHIEU ,  BIANCHI RAUL ANDRES ,  FROMENT BENOIT

    IPC: H04L9/10

    Abstract: Le dispositif intégré de fonctions physiquement non clonables est basé sur un ensemble de transistors MOS (TR1i, TR2j) présentant une distribution aléatoire de tensions de seuil obtenues par des implantations latérales de dopants présentant des caractéristiques non prédictibles, résultant par exemple d'implantations à travers une couche de polysilicium. Un certain nombre de ces transistors forme un groupe de transistors « témoins » (TR1i) qui vont permettre de définir une tension grille-source moyenne permettant de polariser les grilles de certains autres de ces transistors (TR2j) (qui vont être utilisés pour définir les différents bits du code unique généré par la fonction). Tous ces transistors présentent par conséquent une distribution aléatoire de courants drain-source et la comparaison de chaque courant drain-source (ITRj) d'un transistor (TR2j) associé à un bit du code numérique avec un courant de référence (IRj) correspondant à la moyenne de cette distribution, va permettre de définir la valeur logique 0 ou 1 de ce bit.

    Device for protecting integrated circuit against laser attack
    6.
    发明专利
    Device for protecting integrated circuit against laser attack 有权
    用于保护集成电路以防止激光攻击的装置

    公开(公告)号：JP2009253297A

    公开(公告)日：2009-10-29

    申请号：JP2009090711

    申请日：2009-04-03

    Applicant: St Microelectronics (Rousset) Sas ,  エス テ マイクロエレクトロニクス(ローセット)エス アー エス

    Inventor： LISART MATHIEU ,  POUGET VINCENT

    IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04

    CPC classification number: H01L23/576 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device for protecting an integrated circuit against an laser attack, enabling protection of the major portion of the integrated circuit without significantly extending the surface area of the integrated circuit. SOLUTION: The integrated circuit includes a substrate of a semiconductor material, active areas formed on a first surface side of the substrate, and a protection device against laser attacks. The protection device includes at least one first doped region formed between the active area and a second surface side of the substrate, a biasing device for biasing the first doped region, and a detection device for detecting durable increase in a current provided by the biasing device. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种用于保护集成电路免受激光攻击的装置，能够保护集成电路的主要部分而不会显着地延长集成电路的表面积。 解决方案：集成电路包括半导体材料的基板，形成在基板的第一表面侧上的有源区域和防止激光攻击的保护装置。 保护装置包括形成在基板的有源区和第二表面侧之间的至少一个第一掺杂区，用于偏置第一掺杂区的偏置装置，以及检测装置，用于检测由偏置装置提供的电流的持久增加 。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

    PROTECTION D'UN CIRCUIT INTEGRE CONTRE DES ATTAQUES
    8.
    发明专利
    PROTECTION D'UN CIRCUIT INTEGRE CONTRE DES ATTAQUES 未知

    公开(公告)号：FR2998419A1

    公开(公告)日：2014-05-23

    申请号：FR1261066

    申请日：2012-11-21

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： WUIDART SYLVIE ,  LISART MATHIEU ,  SARAFIANOS ALEXANDRE

    IPC: H01L23/58 ,  G06F21/55 ,  G06K19/073 ,  H01L23/552

    Abstract: L'invention concerne un circuit intégré (100) comprenant : un substrat semiconducteur (102) d'un premier type de conductivité ; une pluralité de régions (112, 110, 113) du premier type de conductivité s'étendant verticalement depuis la surface du substrat, chacune desdites régions étant délimitée latéralement sur toute sa périphérie par une région (106, 108) du second type de conductivité ; et un dispositif de détection d'une variation de la résistance du substrat entre chaque région du premier type de conductivité et une prise de polarisation du substrat à un potentiel de référence.

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